Японские компании инвестируют в полупроводники для контроля мощности под названием «силовые полупроводники». Они используются в широком спектре таких областей, как бытовая техника, промышленное оборудование и фотоэлектрическая выработка электроэнергии, но экологические правила, как ожидается, станут основным полем битвы в будущем. Для реализации миниатюризации силового оборудования для чистых электрических транспортных средств или для эффективного управления двигателями спрос на силовые полупроводники с энергосберегающими эффектами возрастает.
В 2020 году Toshiba увеличит мощность производства мощных полупроводников в 1,5 раза по сравнению с 2017 годом. Завод Toshiba Kushiro Semiconductor Factory (расположенный в Тайко-чо, префектура Хёго) будет использоваться в качестве центра для производства дочерней компании Kaga Toshiba Electronics. И полупроводниковый завод в Таиланде также укрепит процесс сборки.
Ожидается, что в течение трех лет инвестиции достигнут примерно 30 млрд. Иен. Toshiba производит силовой полупроводник под названием «Дискретный». Положительная маржа этого продукта достигает 10%, поэтому Toshiba рассматривает отдельный силовой полупроводниковый бизнес. Продажи к 2020 году увеличатся на 25% до 200 млрд. Иен. После продажи бизнеса с объемом продаж более 400 млрд. Иен Toshiba надеется развить отдельный силовой полупроводник для нового бизнеса. Один из столпов прибыльного бизнеса.
По данным Международного энергетического агентства (МЭА), к 2030 году количество чистых электромобилей, продаваемых по всему миру, достигнет в 15 раз больше, чем в 2017 году, увеличившись до 21,5 млн. Согласно экономической статистике Японии Fuji, силовые полупроводники достигнут мирового рынка в 2030 году. Ожидается, что масштаб увеличится на 70% по сравнению с 2017 годом, достигнув 4,68 трлн иен, но с популярностью чистых электромобилей, скорее всего, он будет расти.
Согласно статистическим данным IC Insights, американской исследовательской компании, японские компании в 1990 году составляли 49% продаж полупроводников, занимая первое место в мире, но упали до 7% в 2017 году. С другой стороны, хотя силовые полупроводники учитывают рынок полупроводников в целом. Соотношение составляет всего около 5%, но Mitsubishi Electric и Toshiba являются третьим и четвертым местами в этой области, а японские компании выдающимися.
Ожидается, что не только чистые электромобили, но и спрос на автоматизацию производства (FA) в глобальном масштабе. В области промышленного оборудования и железных дорог из-за спроса на энергосбережение в будущем можно ожидать стабильных доходов, поэтому европейские, американские и японские компании Совместное предприятие для увеличения инвестиций в производство.
Крупнейшая в Японии компания Mitsubishi Electric инвестирует около 10 млрд. Иен на главный завод в Кумамото и в Китай в 2018 году. Силовой полупроводниковый бизнес, сосредоточенный на силовых полупроводниках, будет стремиться к достижению 200 млрд. Иен к 2022 году.
Fuji Electric вложит 20 миллиардов иен в 2018 году для укрепления отечественного заводского оборудования. Разработайте силовые полупроводники для чистых электромобилей и небольших и легких. В 2017 году компания только что сформировала систему массового производства. В 2020 году она инвестирует еще 30 миллиардов иен. Юань, я надеюсь увеличить годовой объем продаж Power Semiconductor в 2023 году до 1,5 раз, достигнув 150 миллиардов иен.
Infineon Technologies AG, крупнейшая в мире компания, объединила усилия с Shanghai Automotive в марте, чтобы сформировать производственную компанию для силовых полупроводниковых модулей в Шанхае, а также американский полупроводниковый гигант ON Semiconductor ( ON Semiconductor также расширит свои силовые полупроводниковые продукты с помощью автомобильных полупроводников в качестве своего центра.
Японские компании, которые находятся в невыгодном положении по масштабам, будут стремиться к развитию технологий. Мы будем укреплять снижение потерь мощности силовых полупроводников и стремиться к созданию более долговременной и высокотемпературной системы разработки. Мы также сосредоточимся на нитриде галлия (GaN) и карбиде кремния. (SiC) разработки силовых полупроводников с использованием нового поколения материалов.