南亚科, 华邦电营运逐季创新高

DRAM大厂陆续洽谈第3季DRAM合约价格, 维持小涨局面, 推升全球本季DRAM产值将再改写新高, 台系DRAM南亚科 (2408) 和华邦电等, 预料今年将缴出逐季创新高佳绩.

集邦旗下存储器储存研究 (DRAMeXchange) 昨 (2) 日出具报告指出, 受惠第3季传统旺季需求来临, 加上通路商增加库存, 即便供给位元逐季增加, 预料本季DRAM平均销售单价仍可望小幅上扬.

DRAMeXchange预估, 第3季供货位元增幅可达4.8%, 但因旺季需求支撑, DRAM价格仍持续小幅上扬, 带动第3季DRAM总产值续创新高.

DRAMeXchange预估, 第3季DRAM价格涨幅, 主要由服务器存储器与移动式存储器带动. 服务器存储器需求比第2季稳健提升, 出货给一线厂的主流服务器模组价格仍有1%至2%上涨空间. 但供货率自今年年初起一路提升, 价格涨势已趋缓, 且第3季服务器存储器在一线厂与二线厂的报价区间将趋持平.

移动式存储器部分, 主要由非苹高端手机提升低功耗LPDDR4 DRAM搭载量采用量, 支撑价格. 近期推出的高端手机已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB, 使LPDDR4系列不论是在分离式元件或者是eMCP的应用都吃紧. 预期本季整体移动式存储器价格在高端机种带动下, 涨幅可维持在1%至2%.

值得注意的是, 绘图用存储器与利基型存储器受到虚拟货币需求骤减影响, 原先预估的涨幅可能完全消失. 尤其绘图用存储器经历上半年价格飙涨, 预估下半年价格将下跌.

集邦预估, 今年DRAM整体而言维持稳健局面, 不过, 价格涨幅愈来愈小, 第4季很可能持平. 近期不少外资机构认为, DRAM产业已进入高原期, 预料随产出增加及国际变数干扰, 引发价格反转的风险也增加.

南亚科昨天下跌2.2元, 以81元作收, 跌幅2.6%; 华邦电同步收黑, 以19.1元作收, 跌幅逾2%.

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