ราคาหน่วยความจำเพิ่มสูงขึ้น: การสืบสวนต่อต้านการผูกขาดของจีนในการให้คำปรึกษาระดับรัฐ

ที่ผ่านมาสองปีชิปหน่วยความจำ DRAM และราคาหน่วยความจำได้เพิ่มสูงขึ้นเพื่อให้อุตสาหกรรมทั้งหมดอนาถเท, ซัมซุง, SK Hynix ไมครอนบิ๊กสามจะได้รับ. สามรวมส่วนแบ่งการตลาดมากกว่า 95% การควบคุมที่แข็งแกร่ง

สำหรับพฤติกรรมของตลาดนี้ที่ผิดปกติทางการจีนซ้ำยังชกต่อยยิง. ปีที่ผ่านมาช่วงปลายเดือนพฤษภาคมของปีนี้ตามรายงานของ บริษัท และหน่วยงานอุตสาหกรรม, หน่วยงานต่อต้านการผูกขาดของจีนได้สัมภาษณ์ซัมซุงและไมครอนและในช่วงต้นเดือนมิถุนายนสำหรับบิ๊กสาม ตั้งอยู่ทางทิศเหนือของสำนักงานสืบสวนบุกลึก

ตามรายงานล่าสุด พุธ 27 มิถุนายน, การบริหารงานของไต้หวันตลาด DRAMeXchange และให้คำปรึกษาแห่งรัฐส่วนการจัดเก็บข้อมูล (TrendForce) DRAMeXchange ในเซินเจิ้นสำนักงานดำเนินการสืบสวนความประหลาดใจ

DRAMeXchange มีสำนักงานใหญ่อยู่ในกรุงไทเปและมีสาขาในภาคเหนืองานวิจัยหลักครอบคลุมหน่วยความจำ DRAM อุตสาหกรรมแฟลชเมมโมรี่และถือข้อมูลข้อมูลอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ที่ครอบคลุมมากรวมทั้งข้อมูลที่มีอำนาจเช่นราคาของส่วนประกอบ

นักวิเคราะห์ชี้ให้เห็นว่า การบริหารการกำกับดูแลตลาดรัฐดำเนินการตรวจสอบ DRAMeXchange บางทีอาจจะเก็บข้อมูลราคาผลิตภัณฑ์ DRAM เพิ่มเติม

ข้อมูลแสดงให้เห็นว่าตั้งแต่วันที่ 1 มิถุนายน 2016 จนถึงวันที่ 1 กุมภาพันธ์ 2018 ราคาหน่วยความจำ DRAM ขนาด 4GB เพิ่มขึ้น 1.3 เท่าในปี 2017 ราคาหน่วยความจำเพิ่มขึ้น 47% ซึ่งเพิ่มขึ้นมากที่สุดในรอบ 30 ปี

ตามกฎหมายป้องกันการผูกขาดของจีน, Samsung Electronics, SK Hynix, Micron อาจถูกปรับได้ระหว่าง 800 ล้านเหรียญสหรัฐและ 8 พันล้านเหรียญสหรัฐหากพบว่าอาจมีการปรับราคา ซึ่งคำนวณจากประมาณการของ บริษัท ทั้งสามแห่งในตลาด DRAM ของจีนในปีพศ. 2016-2017

จีนเป็นผู้บริโภครายใหญ่ที่สุดในโลกของหน่วยความจำ DRAM ในปี 2017 นำเข้าชิปหน่วยความจำมูลค่า 88.92 พันล้านเหรียญซึ่งสูงกว่าปีก่อนหน้าเกือบ 40%