World avanzó para construir la primera fundición GaN de 8 pulgadas del mundo

alza cita de obleas de silicio a la fundición de obleas de 8 pulgadas, avanzada 8 pulgadas capacidad de escasez de la oferta mundial y la demanda en auge todo el camino hasta el final del año, y un gran aumento de la capacidad de producción de nitruro de galio, los fabricantes de IDM internacionales han sido optimista sobre las perspectivas del mercado, la industria del automóvil eléctrico, pre-recubierto en virtud de la capacidad de producción de GaN avanzado del mundo el próximo año en volumen de salida de GaN se convertirá rápidamente en los primeros 8 pulgadas fundiciones de GaN del mundo.

La fundición de semiconductores ocho pulgadas aguas arriba precios de las materias requisitos ajustados

YTD semiconductor de silicio material de todo el camino para aumentar los precios aguas arriba, aguas abajo reflejan la demanda de obleas de fundición de 8 pulgadas escasea, la experiencia avanzada del mundo desde el año pasado tiene reconocimiento de huellas dactilares, aumentar debido a la sola MOSFET y otros clientes en el primer semestre de este año y se benefician de la fuente de alimentación gestión y a gran escala panel de IC pulgadas controlador IC fuerte hasta las mercancías, desde hace algunos productos ofrecen alza OEM, y elevó aún más la gestión de la energía IC y un gran controlador del panel pulgadas escala de participación en los ingresos del IC al 48% y el 30% a principios de este año.

GaN de alta tensión no disruptiva se puede adaptar el diseño de automóviles ligeros

Además, los fabricantes de IDM internacionales siguen externalizar liberación de la orden de producción, centrándose en los coches eléctricos, redes y otros productos de alta calidad, avanzada la capacidad del mundo de 8 pulgadas mensual de producción de alrededor de 209.000, la tasa de utilización de la capacidad del 100%, que era el uso ya inadecuada Además extranjera a la expansión de la capacidad de producción, pero también optimista acerca de la investigación más avanzado del mundo y el desarrollo en el futuro la aplicación de GaN, GaN tiene resistencia de alto voltaje, alta temperatura resistente y adecuado para ventajas de funcionamiento de alta frecuencia, y se puede lograr la reducción de módulos, componentes y sistemas en todo el sistema de refrigeración El volumen es ideal para aplicaciones de diseño de vehículos livianos.

Se espera que el margen de beneficio bruto aumente

En la actualidad de la compañía GaN I + D progreso sin problemas, con equipos y materiales planta Kyma, QROMIS MILL reinversión GaN de silicio trabajan juntos, uno tras otro para los clientes de administración de IC de los 8 pulgadas de la capacidad de producción en el último año, en respuesta a la capacidad de producción de amplificación GaN demanda externa se espera en el próximo año a mediados espera que produzca grandes cantidades de paquete avanzada extranjera por adelantado en la capacidad de producción del mundo el próximo año, se espera que la producción se detuvo el margen bruto global.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports