tecnologia de litografia EUV pesquisa e frutificar desenvolvimento! Toppan EUV photomask enviado oficialmente

A fim de mostrar a determinação da Japan Toppan em apoiar o desenvolvimento da indústria de semicondutores da China, o primeiro “Toppan Technology Forum” estreou oficialmente em Xangai, e a Toppan Toppan afirmou que já enviou mais de 300 testes. A máscara fotovoltaica EUV, a estreita cooperação entre a futura empresa de chips e a empresa de fotomáscara, é a única maneira de ajudar a máquina de litografia EUV a introduzir rapidamente a produção em massa no mercado.

A Toppan Japan vem desenvolvendo tecnologia de fotomáscara para máquinas de litografia EUV há muitos anos Nos últimos 5 anos (2014 ~ 2108.04), a Toppan Toppan publicou 37 artigos relacionados à tecnologia de foto-máscara EUV. Várias vezes, muitos concorrentes nessa indústria mostram a profundidade da pesquisa e desenvolvimento.

Foi anunciada ASML litografia EUV NEX: 3400B foi conseguida no laboratório certo marco em 140 por hora, e a fonte de energia é de 246 watts, ao mesmo tempo, ASML máquina litografia EUV também é obtida na máquina de semicondutor 7 nm utilizados, incluindo primeira geração da nanotecnologia 7 da Samsung, e a segunda geração de 7 nm TSMC e outros importados em 2019, boas-vindas oficialmente litografia EUV era da indústria de semicondutores.

Toppan também anunciou que vendeu mais de 300 teste com um photomask EUV para o cliente, e eu acredito que o futuro de uma estreita cooperação entre as empresas e fornecedores fotomáscara de chips, pode ajudar a máquina de litografia EUV rapidamente em produção de volume no mercado.

Toppan Shanghai fábrica de passado e presente, um desenvolvimento cooperativo chinesa no estrangeiro da evidência de semicondutores inovador

Toppan entrou em 1961, a indústria de semicondutores fotomáscara, China Xangai fábrica começou a produção em 1995. A fábrica da China Toppan Xangai, anteriormente conhecido como DuPont, DuPont Divisão disposição photomask indústria de semicondutores da China é ponto muito cedo no tempo, mesmo Antes do que muitas fábricas chinesas de semicondutores de primeira linha, no entanto, depois que a DuPont vendeu a fábrica de Xangai para o Japão em 2004, ela gradualmente se retirou da indústria.

Academia Chinesa de Ciências, é também materiais renomado cientista Zou ano também envolveu a construção de uma planta DuPont máscara em Xangai, Shanghai Hua Hong NEC, Grace, é o testemunho do desenvolvimento da indústria de semicondutores da China.

Zou recorda, visita aos Estados Unidos em 1993, a DuPont sede em Nova York e visitou a fábrica para a tecnologia DuPont, expandir as negociações comerciais com a DuPont, voltas e mais voltas, a joint venture máscara Shanghai DuPont foi formalmente criado em 1995.

Após o Shanghai DuPont nos primeiros anos, os Estados Unidos lideram a gestão, o estabelecimento das perdas sofridas nos anos anteriores, o Conselho de Administração, após deliberação, enviado a partir de Coreia do Sul para a empresa de joint venture como gerente geral da planta, com base na experiência e estratégia no exterior para cortar despesas, planta Xangai no início de 2000 começar a reviravolta, que também irá aumentar o nível de produção photomask interna para 0,25 micron Technology, para melhorar a entrega e produção de qualidade.

Zou salientou que a sensibilidade, Toppan Printing Shanghai fábrica de passado e presente, um desenvolvimento cooperativo chinesa no estrangeiro da evidência de semicondutores inovador.

Ele salientou ainda que, na frente do semicondutor doméstica prosperando em todo o fab está em toda parte, mas a tecnologia doméstica photomask high-end ainda é fraca, principalmente dependem de importações estrangeiras, levantou esperança para o conselho futuro para preencher as lacunas de tecnologia high-end para promover o desenvolvimento industrial, porque A ascensão do desenvolvimento industrial da China é inseparável da cooperação interna e externa e dos esforços conjuntos de montante e jusante.

Toppan quer alta tecnologia de 28 / 14nm, DRAM aterra na China para aumentar quota de mercado

As colisões do Japão transferiram sucessivamente tecnologia de ponta para a fábrica de Xangai TPCS, que em 2015 introduziu o equipamento de tecnologia fotoelástico de 90nm e começará a produzir a tecnologia 65 / 55nm em 2018 e, em seguida, entrará no processo lógico em 2018. A produção de 14 mM de fotomáscara e o processo 1X / 1Y da DRAM devem investir US $ 150 milhões para aumentar a participação de mercado do mercado chinês.

Ao mesmo tempo, a Japan Toppan produzirá os produtos de tecnologia de fotomáscara mais sofisticados localmente na China, o que ajudará a reduzir o período de entrega e fornecerá serviços de proximidade.O objetivo é aumentar a participação do mercado de fotomáscara da China para 70% até o final de 2020.

Além de altos investimentos em tecnologia de processo, Toppan também há vários anos em uma fotomáscara para a máquina de litografia EUV usando um de alta energia, fonte de luz de onda curta, um padrão de circuito é transferido para o wafer, o comprimento de onda da fonte de luz EUV que o ultravioleta profundo atual DUV deficiente cerca de 15 vezes o comprimento de onda da fonte de luz, é possível alcançar o tamanho funcionalidade reduzida continuar fins.

Litografia EUV fotomáscara é utilizada para áspero-usinagem e tecnologia de desenho fino micro-óptica é aplicado na superfície do substrato, e o teste mais do que 300 a diferentes alturas, espaçamento, forma, a combinação de materiais, etc., para alcançar uma redução bem sucedida de excesso a luz reflectida, o problema da linha de largura desigual circuito de redução, conducente à formação de um circuito semicondutor fino.

Ela difere da fotomáscara convencionais EUV e a foto-mascara que uma fotomáscara convencional é selectivamente transmitir luz de um comprimento de onda de 193 nm, um padrão de circuito para a bolacha, mas utilizando 13,5 nm de comprimento de onda litográfico EUV quando todos os materiais de máscara são opacas, tendo, assim, um multi-espelho padrão de circuito fotomáscara revestimento compósito pode ser reflectida sobre a bolacha.

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