माइक्रोन घोषणा की कि वह अगले GDDR6 स्मृति कणों बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू हो गया है, लेकिन यह भी DRAM तीन बड़ी पिछले एक में, सैमसंग, एसके Hynix सभी बड़े पैमाने पर उत्पादन और लदान GDDR6 में किया गया था।
इतना ही नहीं धीमी प्रगति, माइक्रोन GDDR6 विनिर्देश में भी पीछे दो अन्य lags, वर्तमान में 8Gb (1GB) एकल क्षमता हैं, बाद 16GB (2GB) करना होगा- अधिकतम स्वीकार्य जीडीडीआर 6 एक 32 जीबी (4 जीबी) है।
गति के संदर्भ में, माइक्रोन की पहली पेशकश 10 जीबीपीएस, 12 जीबीपीएस, 14 जीबीपीएस तीन विकल्प, वोल्टेज विभाजक 1.25V, 1.35V दो प्रकार, बहुत GDDR5 1.5-1.6V की तुलना में कम है, स्वाभाविक रूप से सत्ता के संरक्षण के लिए अनुकूल।
16Gbps कणों विकास, माइक्रोन और 20Gbps अति उच्च गति पर और भी आंतरिक प्रस्तुतियों के तहत कर रहे हैं। बेशक, सैमसंग ने इस साल की शुरुआत में 18 जीबीपीएस का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया था।
लेकिन फिर भी, कम गति 12Gbps GDDR6 भी उच्च बैंडविड्थ 48GB / s, अधिक आधा। 14Gbps GDDR6 से सबसे तेजी से GDDR5X 17% ऊर्जा तेजी से प्रतिशत सबसे तेजी से GDDR5 हो सकता है।
आप 20Gbps करते हैं, और है कि बैंडविड्थ बहुत भयानक 80GB / s, 256-बिट बिट चौड़ा ऊपर 640GB करने के लिए / s की कुल बैंडविड्थ के तहत, दो बार GTX 1080, भी आ टाइटन वी के HBM2 स्मृति है
माइक्रोन ने कहा कि पारंपरिक GPU ग्राफिक्स कार्ड के अलावा, उनके GDDR6 स्मृति भी विभिन्न क्षेत्रों ऐ कृत्रिम बुद्धि, नेटवर्किंग, मोटर वाहन और इतने पर में इस्तेमाल किया जा सकता है।
