Definir mensagens de rede de micro (compilação / Jimmy), os fabricantes de equipamentos vão continuar a investir, eles gastam no centro de dados em nuvem, automotivo, industrial, consumidor (jogo) de despesa do mercado terminal é particularmente óbvia.
SEMI prevê 2018 os gastos de capital de semicondutores para continuar a crescer e continuará até o início 2019.2018 anos, é esperado que a despesa equipamentos fab para crescer em 14%, superior à previsão de fevereiro previsão de 9% para 2019 também aumentou de 2 A taxa de crescimento mensal de 5% é aumentada para 9% e, no futuro, 92 fábricas / linhas de produção iniciarão a produção em 2018 ou mais tarde.
O investimento fabuloso é apenas um indicador de que a crescente demanda por inteligência artificial, armazenamento de dados em nuvem, automotivo e Internet das Coisas está gerando gastos sem precedentes na indústria de semicondutores.Aqui estão alguns destaques da recente perspectiva SEMI FabView:
A nova fábrica de 300 mm da Infineon na Áustria - a Infineon planeja planejar uma nova fábrica de wafers finos de 300 mm para dispositivos de energia em Verac, na Áustria;
Rumores sobre o novo programa de fabs da Toshiba - a Toshiba aumentará a fab de 3D NAND dependendo das condições do mercado, e a previsão será ajustada de acordo;
A fab avançada de 300 mm do mundo - a gerência líder mundial disse que, como todas as fábricas de 200 mm são basicamente de capacidade total, é possível comprar ou construir uma nova fábrica de 300 mm em breve;
A Powerchip planeja construir uma nova fábrica de memória em Taiwan - a Powerchip está trabalhando duro para expandir a capacidade, à medida que os preços da memória continuam a subir;
ROHM anuncia o estabelecimento de uma nova fábrica de painéis SiC em Fukuoka, Japão - ROHM anuncia planos para estabelecer uma nova planta de fabricação de SiC
A Micron está construindo uma nova fábrica em Cingapura - Micron inaugurou a cerimônia de inauguração da nova fábrica em Cingapura, em 4 de abril de 2018;
Bosch no final de Abril de 2018, uma cerimônia foi realizada em Dresden de seu 300 milímetros fab - investir um bilhão de euros, que é a Bosch história do maior investimento individual (revisão / Jimmy) 130 anos.
2. Produção de volume de processo 14nm da SMIC é colocada na agenda Talentos estão faltando na indústria de CI
maior mais recente processo de FinFET da China fundição da SMIC 14 nanômetros está próximo de completar a fase de desenvolvimento do seu rendimento produção experimental já pode chegar a 95% da meta de produção 2019 massa parece distante. Mas O pool de talentos de semicondutores insuficiente continua sendo uma questão importante para o SMIC.
SMIC e o campo da linha de frente têm grandes diferenças
Fundada em 2000, a SMIC é a mais abrangente, bem equipada e maior fabricante de circuitos integrados da China continental.A partir do seu estabelecimento, a SMIC tem se concentrado em chips semicondutores.A partir do mundo externo, a SMIC é a representante da China Core. .
No entanto, o atual processo de ponta da SMIC é de 28 nanômetros e, a partir do primeiro trimestre de 2018, 28 nanômetros representaram 3,2% de sua receita, comparado a fabricantes como UMC e Intel, que têm um desenvolvimento mais lento de processos avançados. , mais de uma geração atrás, mas ignorou a teoria e avançado progresso do desenvolvimento rápido processo TSMC, GlobalFoundries, Samsung e outras empresas estão prontas para cortar processo 7 nm em comparação.
No final do segundo trimestre de 2017, o processo de fabricação de 28 nanometros da TSMC de chip de alta-fim tem 54% da receita total, 40 nanometros ou menos representavam 67%, enquanto SMIC 2017 contribuição receita vem do mais alto de 90 nm e abaixo tecnologia de processo, respondendo por 50,7%. 2017 SMIC 14 nanômetros tecnologia de pesquisa e desenvolvimento também foi fundamental para o período de avanço, o desenvolvimento não foi concluída. Assim, enquanto entre os 28 nanômetros SMIC ainda lutando, tecnologia da TSMC tem pelo menos três gerações à frente.
A fim de recuperar o atraso com tal lacuna, SMIC não só para recrutar ex-top Samsung Electronics e TSMC Liangmeng canção no final de 2017 para servir funções executivas como co-chefe, principalmente esperando que sua experiência passada para orientar o desenvolvimento do processo de FinFET 14 nanômetros SMIC processo no processo FinFET SMIC 14 nanometros para atingir um volume de produção alvo em 2019.
SMIC também anunciou no início deste ano, vai investir conjuntamente $ 10,24 bilhões, em conjunto com dois fundos do governo para acelerar o avançado de 14 nanômetros e abaixo pesquisa processo e planos de desenvolvimento e produção, e finalmente alcançar uma meta de produção mensal de 35 000 Hoje no caso do rendimento do processo de FinFET 14nm SMIC atingiu 95%, equivalente ao alvo e um grande passo em frente.
Falta de talento levou ao desenvolvimento lento da indústria
SMIC para explorar a estrada de chips independente para a frente 18 anos, ainda é incapaz de entrar no primeiro acampamento. Além de um progresso mais lento em pesquisa e desenvolvimento em comparação com os gigantes TSMC e outros concorrentes externos, a outra uma razão mais importante é que o pool de talentos do chip de high-end insuficiente, o que não só impedem o desenvolvimento de SMIC, indústria de chips da China, mas também todo o problema comum. fraca pool de talentos e formação é um factor chave no nosso país ainda existem lacunas significativas na indústria de chips semicondutores e de alto nível internacional.
2017 Indústria e Informação Software Tecnologia e Circuit Promoção Centro Integrado lançou o "Livro Branco sobre talentos da indústria da China IC (2016-2017)", atualmente exige 70 milhões de pessoas para a indústria, a falta de talento levou a indústria da China IC A inovação independente é lenta.
Universidade do Sudeste como um dos primeiros países a base de treinamento de circuito integrado, todos esses anos é a formação de um grande número de talentos para circuitos integrados. Southeast University Inscrição no circuito integrado relacionado a um aumento acentuado na pós-graduação treinamento, matrícula na faculdade tem Microelectronics mais de 200 pessoas nos últimos anos, aumentou para mais de 400 pessoas no ano passado. Huazhong Universidade de Ciência e Tecnologia treinamento de pessoal no circuito integrado, no ano passado, um aumento de 120 a tempo parcial estudantes de engenharia de pós-graduação locais, este ano planos para expandir a 50% do plano de inscrição de doutorado.
No entanto agora não será o passo seguinte, a indústria de circuitos integrados é uma experiência intensivos em tecnologia, pessoal-intensivas e indústrias de capital intensivo, a cadeia industrial, incluindo uma pluralidade de ligações design, fabricação, embalagem, testes de equipamentos e materiais. A indústria enfatizaram treinamento de pessoal não é novo. Assim, em um curto espaço de tempo, a indústria de chips da China ainda não consegue se livrar do dilema da falta de talento.
Como se livrar da dor do 'núcleo vazio'?
ZTE embora as coisas chegou ao fim, mas não necessariamente a tecnologia de núcleo 'preso na minha garganta.' Tecnologia de núcleo controlado por outros, a China não é forte base de produção em 2025.
O desenvolvimento da indústria de chips precisa investir um monte de recursos humanos, materiais e financeiros, e essas entradas é difícil ver resultados no curto prazo, uma única empresa por si só não é suficiente. Afinal de contas, a indústria do IC é uma competição abrangente poder nacional .
Apesar de hoje chips quentes reunindo uma série de políticas, capital e outros recursos na indústria de IC, pode desempenhar um papel na atração de talentos, mas o talento, a fim de romper o gargalo da indústria de circuitos integrados, também precisa considerar a estratégia de mais longo prazo, vamos chips quente 'não é apenas uma rajada de vento. além disso, com base nas características da globalização integrado indústria circuito, o fluxo de globalização talento é uma tendência inevitável no nível industrial da China está relativamente atrasado, o circuito integrado deve ser aumentada para atrair os melhores esforços de talentos do mundo.
Com a liberação 2014 "indústria nacional IC resumo promoção", o Fundo Nacional de Investimento Indústria circuito integrado foi estabelecido, a China é aumentar o apoio para empresas líderes, incentivar as empresas a aumentar o investimento em I & D em áreas-chave de foco de tecnologia. Em colaboração com a investigação aspectos do mecanismo, a indústria também está explorando ativamente. com o aumento da inovação contínua e de investimento, e cada vez mais sofisticada inovação mecanismo, e, gradualmente, aumentar a conscientização sobre os direitos de propriedade intelectual, indústria de chips da China pode se livrar da dor 'núcleo oco' o mais rápido possível. informações de comunicação Notícias
3. TSMC 7 nm na fase de produção em massa começando 5 Nami produção experimental Ming-risco
O líder de fundição mundial fórum anual de tecnologia da TSMC realizada no dia 21, irá revelar o mercado está mais preocupado com 7 nm e 5 nm andamento de processo avançado, Presidente e casa Vice-Presidente Wei Che-ho, disse que um grande número de 7 nm entrou no palco, como 5 processo nm é esperado para o risco de produção experimental no início do próximo ano e vai produzir uma grande quantidade no início ou no final do ano a seguir ao próximo.
casa Wei Che-ho mencionado, 5G e Inteligência Artificial (AI) o advento de novas tecnologias, grandes mudanças ocorrerão no mundo, TSMC está empenhada em pesquisa e desenvolvimento, R & D no ano passado, o número chegou a 6145, um aumento de quase 2 vezes em comparação com 2069 pessoas em 2008, os custos de pesquisa e desenvolvimento totalizaram 78 bilhões NT $, tecnologia futuro mais difícil, os custos de pesquisa e desenvolvimento vai continuar a aumentar. Além disso, TSMC também tem um talento 1,500 design.
família Wei Che-ho também mencionados,, redes, celulares automotivos e computação de alta velocidade irá conduzir o desenvolvimento futuro de quatro potência do fuso da indústria de semicondutores. Na seção carro, vai aumentar muito o número de sensores embutidos, também equipado com funcionalidades avançadas de comunicação, TSMC parte, com 28 nm e 16 nm e processo específico pode, a rede foi TSMC baixo consumo de ataque tecnologia ;. um terminal de telefone móvel, TSMC fornece principalmente de 12 nm, 10 nm e 7 nm tecnologia de processo, enquanto que no de alta velocidade termos de computação, TSMC avançada tecnologia anterior e no segmento posterior de sincronização, de modo que o desempenho do sistema é melhor.
Wei Che-ho casa em seu discurso também não se esqueceu de viver na parceiros da cadeia de suprimentos propaganda jusante, ele ressaltou que não importa como as tecnologias inovadoras, a cooperação é verdade imutável pode ser convivência, os clientes TSMC parceiros leais, e os clientes não vai competir.
planejamento de capacidade, TSMC é esperado para 7 nm e 10 nm capacidade de produção este ano do que no ano passado dobrou no próximo ano será mais de um ano, cinco por cento da capacidade. tecnologia da TSMC Sunyuan Cheng revelou 7 nm tem sido produzido em massa, não haverá mais do que o final deste ano 50 produto completa de fita para fora, esses chips são usados em inteligência artificial, processador gráfico e aplicações moeda virtual, e 5G e AP.
Além disso, a versão melhorada de 7 nm na segunda metade deste ano com uma fita de chip para fora, o risco de produção experimental no terceiro trimestre do ano, o volume pesado, que no ano seguinte irá também importar uma versão melhorada de 7 nanômetros processo EUV; e 5 nanómetros aspecto, a primeira metade de 2019 risco Produção de teste sexual, baseado em aplicações de computação de alta velocidade.
TSMC também revelou 15 wafer 5ª fábrica e 6ª planta TSMC 7 nm e 10 nm base de produção processo, a 7ª planta está prevista para ser concluída no próximo ano. Este ano, casa 7 nm e 10 capacidade de produção nm será dobrado em comparação com o ano passado, no próximo ano este ano vai ser mais do que uma capacidade de 5 por cento. Além disso, a capacidade total TSMC será ampliado este ano para cerca de 12 milhões quando a capacidade de produção de wafer de 12 polegadas vai aumentar em 9% sobre o ano passado. Riqueza Notícias
À medida que a era 4.5G se aproxima, o SiP vai jogar uma tecnologia de empacotamento chave
5G próxima geração de comunicações globais em operação comercial até 2020, os gigantes da tecnologia Samsung Electronics, Huawei, Qualcomm e outros Fun layout de prosseguir activamente, embora para indústria de chips com sede em Taiwan, o 2021-2022 é o período do surto real, mas considerar a energia cinética de P & D não deve atrasar o investimento, após o ponto de embalagem e da indústria de testes foi pensando todos os tipos de novos tipos de tecnologia multi-pacote, e em comparação com a expectativa de geração 5G 4G terá uma maior mudança, frequentemente precisa incluir sistema-in-package número IC de peças (SIP), vai desempenhar um processo de embalagem muito importante em gerações 5G. indústria estimado 2020 5G mercado irá criar um sistema de software e fornecimento de hardware mundial ascenderam a US $ 580 bilhões de valor de saída, então 5G ponto de vendas de smartphones de vista 2 milhões em 2025 e mais vai sair para mais de 1,1 bilhão apoio, substituição rápida jogo efeito, tornar-se o mais importante dinâmica de crescimento do mercado de smartphones devido ao módulo interno smartphones 5G saltou complexidade técnica, tecnologia de embalagem deve levar em conta as necessidades dos dispositivos móveis com semicondutores finas e curtas, e múltiplas funções, novo padrões SIP vai se tornar tecnologia de embalagem geração de chaves 5G. na verdade, as gerações 5G TSMC, ASE, MediaTek e outros desenvolvimentos da indústria, tem destacado a avançada tecnologia de embalagem SiP Para a indústria de semicondutores resistência à referida tecnologia de embalagem da próxima geração introduzindo mais fã-out (Fan-out) de pacotes, tal como um módulo de extremidade dianteira pacote 5G antena FO-AIP, etc. Verifica-se que, como TSMC avançado para dentro do pacote campo, publicada em 10 de processo nm dois fios de ligação, cada dado, chamado sistema de chip integrado (sistema-a-chips integrados; SoICs) tecnologia de embalagem, bastante semelhantes às embalagens SIP, o que significa que, não SiP pacote beta fundição apenas pontos fortes profissionais, TSMC entrou SiP arte de embalagem, já não se limita a um empacotamento avançado único chip. indústria beta representa, geração SiP 5G serão importantes tecnologias de embalagem, tais como 5G radiofrequência módulo (RF) arquitetura, vezes de forma clara e 4G são diferentes, o qual irá incluir 12 a 16 do IC, o que faz com que a importância de SIP é aumentada substrato de embalagem SiP, um número estimado de ASE Holdings informação investimento disposição positiva e outra embalagem núcleo e a indústria de teste irá beneficiar associado para a indústria, tais como sincronização king master, também são esperados para beneficiar. embalagem e indústria de testes apontou que o ritmo atual do ponto de vista do desenvolvimento, baseada em Taiwan indústria de design IC mais lento, Coréia do Sul Samsung fábrica, plantas terrestres Huawei são muito ativos nas oportunidades 5G para o segmento da indústria de teste de embalagem e , no segundo semestre de 2019 será ainda Há 5G contribuição de receita testes de chips, a planta Taiwan mais do que naquele momento a verdadeira fermentação após 2021, mas o mais cedo possível é o caminho certo para se preparar para o investimento em recursos, mas também propício para a embalagem SiP tem sido associada com sistema de abastecimento de multi-tinta. Digitimes
5. Nova benção da aplicação, a DRAM continuará a crescer de forma constante na próxima década
US fabricante de memória Micron (Micron) publicou 21 ganhos e perspectivas último trimestre foram melhores do que o esperado, e otimista sobre o abastecimento da indústria e situação de procura é estável, refletindo o desenvolvimento saudável do mercado de DRAM este ano. Otimista sobre a indústria, com boas condições de mercado, Nanya, Winbond, DADOS, Apacer, Grupo Team e outros grupos também vai pagar um trago belos resultados.
quatro principais negócios relacionados DRAM de Taiwan também estão otimistas sobre este ano Operations Manager Geral Nanya Li Peiying apontou boas perspectivas para aplicações de servidor, PC e aplicação laptop constante; móveis variações sazonais na memória de baixa potência mudou, mas a participação total constante, o segundo trimestre ainda deverá aumentar ligeiramente na segunda metade da temporada para a indústria de meia, como um todo, ainda é positivo. a única observação é que os grandes fabricantes, incluindo a Samsung ea Hynix e outras tendências de expansão.
presidente Winbond Jiaoyou junho apontou que falta de memória no ano passado, o primeiro semestre deste ano, os clientes estão digerir inventário, a situação atual melhorou significativamente, enquanto que o segundo semestre é a época de pico, é esperado para superar o primeiro semestre; memória em novas aplicações continuam a aumentar, Continuará a crescer de forma constante na próxima década.
presidente DATA Simon Chen também acredita que a forte demanda por memória de centro de dados, a demanda do mercado de jogos continua a crescer, PC constante desenvolvimento, automotivo e AI vai impulsionar a demanda está aumentando, estima pelas condições de mercado DRAM ano de 2020 estão otimismo positivo.
Zhang Kun, gerente geral da Apacer acredita que DRAM para o terceiro trimestre deste ano não podia ver as nuvens escuras, o maior ritmo de crescimento virá do servidor.
Micron anunciou terceiro trimestre fiscal (encerrado em 31 de maio) o lucro, a receita de US $ 7,8 bilhões, um crescimento anual de 40%, trimestre em 6,1%, melhor do que a revista 21 de maio emitido após valor estimado de gama média de 77,5 bilhão de dólares; (non-GAAP) de renda não-GAAP líquido por ação de US $ 3,15, o aumento anual foi de 94,4%, superior não só reparar a faixa média das estimativas é de US $ 3,14 há poucos dias a empresa, também melhor do que os analistas esperavam.
Micron estima que entre 8 bilhões em receita neste trimestre, para US $ 8,4 bilhões, um ponto médio de US $ 8,2 bilhões; lucro líquido de não-GAAP EPS gama é 3,23 a US $ 3,37 um ponto médio de US $ 3,3 receita e won Lee continua a crescer.
6. Memória emergente descobre oportunidades de aplicações incorporadas
Emergentes tecnologias de memória esperar encontrar no mercado um grande número de aplicações embarcadas, tais substituído NOR memória flash (flash), para armazenar o código no microcontrolador (MCU) e um ASIC.
Jim mercado Handy empresa de pesquisa analista Objective Analysis, disse, 'para o ponto no tempo, nem colocam desafios por causa de problemas em miniatura, todos os fabricantes ASIC MCU e sua fundição lógica, vai exigir nova natureza não-volátil tecnologia de memória para armazenamento de código - que poderia acontecer ou 14nm 40nm, em última análise, dependerá dos progressos no processo de lógica de fundição de 'tendências Handy mercado de memória emergentes será publicado na Exposição de semicondutores internacional (Semicon Ocidental) próxima. .
Desafios atualmente enfrentados pela indústria é que antes que estes nova tecnologia de memória para a produção em massa, o preço será muito caro. Handy disse, que magnetoresistive memória de acesso aleatório (MRAM) a mais vantajosa, porque Everspin muito tempo nas vendas Bolacha independente para armazenamento temporário.
MRAM grade Tecnologia Núcleo (Globalfoundries) suporta incorporado (Emram) David Eggleston, vice-presidente de memória embutida Globalfoundries disse: 'No momento, estamos trabalhando com os cinco primeiros antes de fabricantes de MCU em quatro empresas, que precisam depois de 40nm é FD-SOI FinFET ou em menor custo embutido de memória flash (eFlash) Como alternativa, uma vez que o custo da lógica eFlash adicionados à plataforma começou a aumentar significativamente.
Eggleston apontou que com Globalfoundries, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) e Samsung (Samsung), respectivamente produção de diferentes versões do Emram --FD-SOI, a granel e produto de substituição SRAM, Emram tornou-se mais maduro, a produção também é melhorar gradualmente em.
Globalfoundries lançado usando usando o processo de 22nm Emram, e criou um de 256 Mbit e Gbit produtos MRAM independentes para Everspin. Globalfoundries e TSMC tem a capacidade de mostrar Emram desempenho de alta temperatura para assegurar que os fabricantes de automóveis e os usuários industriais podem em altas temperaturas (incluindo O ambiente de solda de refluxo a 260 ° C ainda mantém as informações armazenadas.
Globalfoundries também trabalhou com fornecedores de IP projeto eVaderis, proporcionando redução vazamento de energia projeto MRAM incorporado Eggleston disse: 'Comparado com o mais SRAM, os fabricantes de automóveis para Emram mais fácil de reduzir a fuga para aumentar a potência do orçamento preparado pelas características de interesse '
CEO barra Inc. George Minassian observou que na memória de alternativa emergente, 'ReRAM tem a vantagem de escalabilidade, uma vez que mesmo de forma compacta, o filamento condutor (filamento) 1 e 0, e nenhuma multa condutora a diferença entre o fio e ainda ser grande o suficiente para ser medido. 'Minassian da última ReRAM será publicado na Semicon Ocidente.
Minassian disse que a aplicação ReRAM inicial será incorporado elementos lógicos de memória. Componentes Crossbar sendo aceitas pelos clientes utilizando materiais CMOS convencionais para verificação e ensaio. Microsemi fez recentemente o licenciamento de tecnologia barra. Além disso, a empresa também mostrou Chip ReRAM para reconhecimento de imagem de borda AI.
Eggleston representa: 'ReRAM tornando-se cada vez mais interessante nestes nó de processo menor, estes custos mais baixos utilizando um elemento de diodo simples substituído nos transistores selectores, que pode ser incorporado em flash de código armazenamento da concorrência de preços é formado. além disso, embora a própria pilha é muito simples, mas, a fim de controlar a variação do design original do que células bit muitos (bitcell), resultando em constante ReRAM atraso time to market ".
Até agora, apenas aplicativos de negócios ReRAM parece ser Adesto tecnologia de memória de ponte condutora (CBRAM). Handy disse que estes elementos anti-radiação atualmente usada na esterilização de raios-X de instrumentos cirúrgicos.
Usando o FET ferroelétrico dielétrica de alta K (FeFET) é outra opção. Eggleston disse, o FeFET vai custar compromissos ou Emram e-flash pela metade, enquanto fornece um baixo consumo de energia, fácil integração com o elemento lógico, no entanto, a sua durabilidade grau continua a ser melhorado, por isso, ele acredita FeFET precisar de mais pesquisa e desenvolvimento.
Handy disse, Fujitsu (Fujitsu) produziu um grande número de elementos de bilhete de metro PZT Feram da geração anterior, mas a tecnologia à base de chumbo, ainda existem integração Fab de componentes de nova geração, utilizando óxido de háfnio (dióxido de háfnio), a vantagem é o uso de materiais tem sido em Fab produção em massa, mas os elementos de desgaste podem ser problemas presentes, actualmente durabilidade extremamente limitada. eettaiwan
Compilar: Susan Hong