Como un chip DRAM que lleva la empresa, Samsung está produciendo ahora 10nm clase de energía, 16 GB de capacidad máxima de memoria LPDDR4, memoria GDDR5 y la memoria DDR4.
De acuerdo con Digitimes citado por News1 Korea, Samsung lanzó en silencio la introducción de EUV (ultravioleta extrema) proceso de litografía de la investigación DRAM chip de memoria y el desarrollo, basada 1ynm.
Según los informes, Samsung comenzará la producción masiva de chips DRAM fabricados con EUV 1ynm en 2020.
litografía EUV se utiliza actualmente, en general, Samsung, TSMC, Intel y así sucesivamente nodo de proceso 7 nm, está fabricado AP (procesador de aplicaciones). Samsung ha dicho, 7 nm proceso LPP a la producción en masa en la segunda mitad de este año, puso en marcha la primera mitad del próximo año Chip de lógica comercial.
La combinación de material disponible, Qualcomm ha confirmado su chip de banda base 5G por Samsung fundición 7 nm.
