Applied Material zugibt, dieses Gerät Kobalt neue Materialien ausgeliefert fab, TSMC und Samsung nutzt der Markt, dass der Käufer abgeschlossen, die Hauptursache für den Strom, der in 7 nm Prozess Gießerei nur TSMC und Samsung.
TSMC 7 nm-Prozess in der Produktion konzentriert, hat die Massenproduktion gewesen, exklusive OEM für Apples neueste A12-Prozessor. Allerdings Samsung kündigte auch der Erfolg erreicht 7 nm Hochpaßinformation High-End-Aufträge Telefon-Chip, und sich aktiv um Apples neuer Prozessor, wird der Krieg nicht aufhören, die beiden Seiten in einem 7 nm kollidieren.
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Da das Material der wichtigste Lieferant wichtiger Gießereimaschinen ist, erwartet die Industrie, dass Samsung mit TSMC die neueste Materialtechnologie und -ausrüstung einführen wird und die beiden Seiten wieder mit einem Krieg von 7 Nanometern oder weniger gegeneinander kämpfen werden. Es beschleunigt auch künstliche Intelligenz (AI) Chip-Funktionen stärker.
Applied Material gesagt, es erfolgreich abgeschlossen wird Kobaltmetall öffnen hergestellt, löst die Schlüssel-Chip Verkleinerung, Tradition Wolframkupfermaterial 10 nm oder weniger in der Bearbeitungsfläche ist elektrisch bereits auf dem Kontakttransistor des lokale mittleren Metallverdrahtungsprozess An die Grenzen der physikalischen Grenzen zu kommen, der technische Engpass, der nicht reibungslos schrumpfen kann, lässt den fortschrittlichen Halbleiterprozess weiter voranschreiten.
Applied Materials hat es abgelehnt, diese fab neue Materialien, Technologien und Geräte zu übernehmen, nur offen zu legen die jüngste Entwicklung ist der Transistor abgeschlossen Kobalt als Kontaktstelle verbunden mit einigen Kupferdraht, Chip-Performance und Energieverbrauch ermöglicht, zeigt wieder Momo Das Gesetz verfolgt das Ziel von PPAC (höhere Effizienz, geringerer Stromverbrauch, kleinere Fläche und niedrigere Kosten).
Es wird angenommen, dass dies die größte Veränderung in den Halbleitermaterialien in den letzten 20 Jahren ist und möglicherweise eine Langzeitverwendung von Wolframmetall ermöglichen wird, das allmählich in dem fortgeschrittenen Halbleiterprozess verschwindet.
Es sollte betont werden, dass die Verwendung von Kobalt im Vergleich zu Wolframmaterial die Transistorleistung stark erhöhen kann, der Energieverbrauch kann um 87% signifikant verringert werden, Wafer können unter der gleichmäßigen Kontraktion stehen, um eine verbesserte Leistung, einen niedrigeren Energieverbrauch und Kostenreduzierungsziele zu erreichen.