1.传MLCC龙头村田与客户协商再涨价二到三成;
集微网消息, 路透引用外资报告指出, 全球积层陶瓷电容 (MLCC) 龙头村田制作所 (Murata) 已开始和客户端协商涨价, 要求调涨二到三成, 获利将大幅改善.
路透引用外资报告指出, 在对MLCC大客户进行访调后得知, 日系MLCC供货商已开始和客户协商涨价, 要求调涨20%至30%, 因此将村田的评等自原本的「中立」, 调升为「优于大盘」, 并同步调升另一家日系大厂太阳诱电的目标价.
村田上周才刚刚宣布, 为因应MLCC需求增加, 旗下生产子公司「福井村田制作所」已取得建厂用地, 计划投资290亿日圆兴建MLCC新厂, 新厂预定今年9月动工, 明年12月完工.
更早之前, 村田也宣布在「出云村田制作所」和位于菲律宾马尼拉近郊的工厂进行扩产, 预估2020年3月底, 村田的MLCC产能将增加两成.
村田大规模启动建厂计划, 主要是因应未来车用和第五代移动通讯 (5G) 需求增加. 但在完成建厂前, MLCC缺货趋势没有改变, 客户订单持续涌入, 因此市场屡次传出村田可能会向客户端调涨售价.
2.互联汽车将成为2018年物联网增长最强引擎? ;
摘要: IC Insights在 '2018年IC市场驱动力' 报告中指出, 2018年物联网市场的销售总额有望达到939亿美. 互联汽车将成为物联网领域增长最强劲的市场, 增长幅度或高达21.6% .
集微网消息 (文/小北) IC Insights在 '2018年IC市场驱动力' 报告中指出, 2018年物联网市场的销售总额有望达到939亿美元. 其中面向工业互联网应用的物联网产品有望实现17.7% 的销售增长, 达到359亿美元; 面向智能城市的物联网产品, 包括智能交通, 智能路灯, 安全监控, 环境监测等, 有望实现7.0% 的销售增长, 达到388亿美元; 面向互联家庭的物联网产品有望实现16.0% 的销售增长, 达到29亿美元; 可穿戴类物联网产品有望实现12.4% 的销售增长, 达到118亿美元.
该报告对工业互联网, 互联家庭以及可穿戴市场的复合年均增长率的预期值进行下调, 分别从18.7%, 16.8, 12.8%, 下调至17.8%, 14.8%, 11.9%. 对智慧城市的复合年均增长率进行了略微上调, 从6.3% 上调为6.5% , 如下图.
IC Insights预测, 互联汽车将成为物联网领域增长最强劲的市场, 增长幅度或高达21.6% , 并实现45亿美元的销售额. 2016年至2021年的复合年均增长率将达22.9% . 互联能力被视作提高汽车安全性, 提升信息娱乐体验的重要因素, 比如, 定位, 道路状况提醒, 辅助驾驶功能以及车间通信. 因此, 汽车制造商在互联技术的导入上非常积极. (校对/小北)
3.日本半导体半世纪兴衰浮沉 外资 '瓜分' 最后的巨头;
历时8个多月的东芝半导体出售案终于尘埃落定. 这被日媒视作日本半导体产业衰败的另一标志性事件. 日本半导体业曾有过黄金时代, 曾在世界范围内具有举足轻重的地位, 这令人唏嘘的兴衰背后, 究竟发生了什么?
历时8个多月的东芝半导体出售案终于尘埃落定.
6月1日, 东芝宣布, 已完成出售旗下半导体公司(TMC)的交易, 售予贝恩资本牵头的日美韩财团组建的收购公司Pangea. 尽管东芝对Pangea拥有40.2%股份, 但大股东已易主贝恩资本.
这被日媒视作日本半导体产业衰败的另一标志性事件. 据IC Insights此前公布的2018年第一季度全球前十五大半导体公司(以销售额计算)名单中, 东芝半导体是硕果仅存的日本公司. 而在鼎盛时期的1993年, IC Insights发布的全球十大半导体公司中有6家日本公司.
日本半导体产业这令人唏嘘的兴衰背后, 究竟发生了什么?
起家: 从依赖进口到自主研发
日本索尼公司的官网上至今都挂着这样一段历史, 该公司创始人之一井深大1952年在美国进行为期3个月的调查旅行, 期间听说了西方电器公司(WE)有意转让晶体管专利, 但代价高达25000美元, 这相当于日本东京通信工业公司(索尼前身)总资产的10%, 尽管心生向往, 但井深大最终带着遗憾回国. 索尼的另一创始人盛田绍夫后来于1953年赴美谈判, 最终拿下了这项技术.
但他们并没有采纳WE的建议——将晶体管用做助听器, 而是摸索出一个全新的应用领域. 1955年, 索尼研制出全球第一台晶体管收音机. 1959年, 索尼收音机销售额达250万美元.
日本公司纷纷效仿. 到1965年, 日本的收音机出口量达到2421万台. 另外, 电子计算器和电视也撬动了美国市场的大门.
日本消费电子在美国市场获得成功, 不仅因为其产品创新和性价比高, 还与美国的政策有关. 当时美国将电子产业的重心转移到了军用上, 这为日本的民用电子产品提供了机遇.
到1960年代, 日本半导体产业继续追赶美国. 当时, 日本政府以关税壁垒和贸易保护政策为产业的起步 '保驾护航' . 但外资开始 '叩响' 大门, 终于在1968年, 美国德州仪器以合资的模式进入日本市场, 但得遵守严苛的技术转让等限制.
当时日本国内半导体制造设备的国产化比率只有20%, 美国的反制措施让日本半导体产业意识到自身的被动. 其一, IBM在1970年宣布将在其新推出的大型计算机中使用半导体存储器, 半导体存储器开始替代磁芯, 在半导体存储器中占据重要位置的DRAM内存芯片, 成为潜力无限的大市场. 一夜之间行业游戏规则大变. 其二, 美国拒绝向日本提供 IC集成电路, 使日本电子计算器在美国的市场份额从繁盛时期的80%跌至了1974年的27%.
由此, 日本开始以 '举国之力' 来进行自主研发. 一个官产学研发项目彻底改变了日本半导体产业的地位. 这个项目就是日本通商产业省(经济产业省前身)发起成立的VLSI共同研究所(超LSI技术研究组合), '打造未来计算机必不可少的大规模集成电路' 这一口号也显示了日本的巨大野心. 日本通产省将市场中的各大竞争对手(富士通, 日立, 三菱电机, 东芝和NEC)的研发人员集结起来, 总计投入700亿日元, 政府出资290亿日元(几乎相当于当时通产省补贴支出的一半).
上述项目在4年到期后, 取得专利1000多项. VLSI共同研究所所长, 有日本半导体之父之称的垂井康夫设定的方针或许总结了成功的秘诀: 竞争者们能否互相协作是一个大问题, 那么我们就以 '基础的, 共通的' 为方针, 从各家公司的共同点出发, 来研发, 制定未来的大规模集成电路技术.
1970年代日本对美国等外部的关键制程设备和生产原料依赖率达到80%, 而到1980年代初, 日本半导体制造装置国产化率达到了70%以上, 为日后超越美国成为半导体业霸主奠定了基础.
由此日本半导体业开启了 '黄金时代' , 全球市场份额不断上升, 在世界范围内开始具有举足轻重的地位. 以1980年投入市场的64K DRAM为例, 1981年, 日立市场占有率全球第一, 占40%的份额; 第二位是富士通, 占20%, NEC占9%. 之后, NEC主导了256K时代, 东芝主导了1MB时代. 到1986年, 日本半导体企业在全球DRAM的市占率达到了80%, 超越了美国.
这一时期的日本产业发展主要靠出口. 1970-1985年的15年间, 日本该产业的产值增加了5倍, 出口增加了11倍.
转折: 由盛而衰背后是未能抓住规模化机会
祸兮福所倚, 福兮祸所伏.
1980年代后期, 日本的DRAM市场份额开始大幅衰退, 根本原因是DRAM市场结构发生巨变, 频繁发生的贸易摩擦也一定程度上阻碍了行业发展.
日本企业在早期大型计算机所用的存储器上有技术优势, 看重的是存储器的品质. 但1980年代后期, 随着个人电脑市场蓬勃发展, 对存储器的可靠性和寿命要求较低, 更侧重于低价. 但日本当时依旧以高可靠性为生产标准, 未能很好地适应市场变化.
有业内人士指出, 尽管当时日本公司看到了个人电脑市场的动向, 但仍执着于成品率, 在降低成本方面比较欠缺. 对比日韩的半导体公司会发现, 韩国公司在成本上大幅领先于日本公司, 生产同样的元器件, 日本公司使用的设备数量竟是韩国的2倍, 生产流程过长, 进而无法降低成本.
另有分析指出, 这也和日本制造商没有采取Fabless模式有关. 这种水平分工的发展模式可以使专业公司专注设计, 代工厂专注生产, 可以对市场变化做出迅速反应, 将机器折旧影响到的成本劣势降到很低.
'日本的半导体制造大多仍是大集团下的子部门, 尽管个别产品有不错的成绩, 但在品牌占有率达到一定程度后, 该模式无法再有效推升其半导体的零组件往下一个里程碑前进. Fabless模式是半导体产业在规模经济发展下的必然走向. 而以日本的发展模式来看, 与其说错失了市场的大变化, 不如说半导体发展有很强的规模经济作为营运支撑, 而日本制造商未能发展出具有相对应经营型态与经济规模的厂商, 造成其竞争力不断被削弱. ' 集邦拓墣产业研究院研究经理林建宏对21世纪经济报道记者表示.
此外, 日本半导体产业也受到了外部贸易摩擦的影响. 日本半导体业的不断崛起, 让美国同行危机感攀升. 这可以从媒体报道窥见一斑. 1978年, 美国《财富》杂志刊登了《硅谷的日本间谍》的报道; 1981年3月和12月, 又两次刊登报道敲响美国半导体行业的警钟. 1983年, 《商业周刊》杂志刊登了长达11页的《芯片战争: 日本的威胁》的专题.
随着日本厂商的大量产能进入市场, 供给严重过剩引发了全球DRAM的价格暴跌. 1985年6月, 美国半导体工业协会(SIA)向美国贸易代表办公室提起对日本半导体产品倾销诉讼; 此后, 美光向美国商务部提起日本64K DRAM倾销诉讼. '日美半导体战争' 正式开战.
这场战争最终以 '日美半导体协定' 了结. 协定内容主要包括改善日本市场的准入和终止倾销. 美国加快推进研发, 成功夺回宝座. 到1993年, 美国半导体公司的世界份额重回世界第一, 并保持至今.
由于外部贸易摩擦激化, 日本公司开始向内需拉动的增长模式转型. 在1985-2000年的15年间, 日本电子产业的产值和出口增加了1.5倍, 而内需增加了2倍多.
在1990年代初, 日本经历了泡沫经济崩溃, 进入 '失去的20年' . 2000年以后, 日本GDP增长停滞, 日本电子产业总体出现衰退. 2013年日本电子产业的产值是11万亿日元, 不到峰值时(26万亿日元)的一半.
'1980年代末, 日本经济达到了全球第二, 美国以广场协议和日美半导体协定来施压, 这大幅打压了日本企业的获利能力. 而韩国趁势举国家之力来发展半导体行业, 不久后日本经济泡沫破裂, 补贴难以维系. ' 显示及半导体行业咨询机构CINNO副总经理杨文得对21世纪经济报道记者表示, 半导体行业发展和一国的宏观经济情况息息相关, 因为这是资金超级密集的产业, 需要持续的, 大规模资金投入才会成功. 当一国经济整体不景气时, 就难以大力支持其发展.
重振: 结构性改革和重启 '官产学' 项目
日本半导体产业试图以结构性改革和重启 '官产学' 项目来重振旗鼓.
在日本通产省的主导下, 1999年, 日立和NEC的DRAM部门整合成立了尔必达(Elpida), 三菱电机随后也参与进来, 而其他日本半导体制造商均从通用DRAM领域中退出, 将资源集中到具有高附加值的系统集成晶片等领域. Elpida是希腊语 '希望' 的意思, 这个公司名体现了日本半导体产业对这最后的DRAM制造商所寄予的厚望.
无奈, '外面的世界' 瞬息万变. 2008年金融危机后, 全球需求骤降, DRAM供应严重过剩, 2GB的DRAM在2008年的价格为20美元以上, 而2012年则跌至1美元以下. 全球DRAM生产商都陷入严重赤字, 尔必达也不例外. 日本政府在2009年伸出援手, 注资并为其担保获得日本政策投资银行融资.
但终究颓势难挽, 尔必达不堪负债最终于2012年2月底宣布破产, 2012年7月被美光并购.
一位日本半导体从业者向21世纪经济报道记者表示, 自然灾害对日本半导体产业发展有一定的影响. 3·11大地震加速日本半导体产业竞争力下滑.
'我们公司在地震中也损失惨重, 股价一路下跌, 直到前两年重组又建厂才恢复正常的产量. 股价也翻了三番. 半导体生产对环境要求很高, 要无尘稳定的环境下才能制作出精良产品. ' 该日本半导体业内人士表示.
但也有分析指出, 尔必达的失败是日本半导体产业重蹈覆辙, 即跟不上行业的变化, 上次是跟不上个人电脑市场的崛起, 这次是跟不上电脑向智能手机和平板电脑的转向.
'日本企业一般精于钻研技术, 但对外界变化的应对能力比较迟钝, 因为其内部通常较为官僚化, 决策过程慢. 其过去30年的成果其实是在外部没有很多劲敌的情况下取得的, 当面临更多竞争对手时, 这种专注但又反应迟缓的弱点就会被放大. ' 杨文得说.
日本启动了多项官产学项目, 包括飞鸟(Asuka)计划, 未来计划MIRAI, HALCA等. 2006年, 日本推出新的五年计划, 被视为ASUKA计划的延续. 新五年计划分两部分: 一是SELETE五年研发项目, 每年投资预算100亿日元, 探索45纳米和32纳米实际应用工艺. 另一部分是STARC五年研发计划, 每年投资预算50亿日元, 用于开发DFM设计平台.
尽管日本半导体业的辉煌已成为历史, 目前的全球市占率已不到10%, 但在一些细分领域仍然扮演着重要角色.
'日本在材料, 精密机械, 基本的物理化学数学等的科研能力与厂商都仍有影响力. 历史累积的专利与专业人才都仍然很强. 只要资本与公司运作的模式对了, 若能抓到下一波重大商品的转变点, 日本的半导体产业仍会有很好的竞争力. ' 林建宏说.
'半导体是一个集成性的行业, 一个芯片的产生需要近一万人的工作量, 同时需要多年的经验积累才有创新. 日本半导体根基很深, 目前可能发展得比较慢, 但其基础仍在, 要翻身就看国家以后对半导体行业的投入. ' 上述日本半导体业内人士表示. 21世纪经济报道
4.日系存储双雄: 尔必达的末路 东芝的退路;
6月1日, 东芝公司宣布旗下半导体业务部门的出售交易正式完成. 历时8个月, 全球第三大NAND厂商的出售一事终于画上句号.
作为全球十大半导体厂商中最后的日本元素, 存储已是东芝这家143岁的老牌日企最具盈利能力的业务部门, 但深陷财务泥潭的东芝不得不做出壮士断腕之举.
不过, 和几年前DRAM的大溃败相比, 日本半导体产业在NAND领域还留有颜面: 通过该项交易获得的2万亿日元(约合180亿美元)东芝将极大改善财务状况; 此外, 东芝也通过再投资的方式保有了东芝存储40.2%的股份.
而就在2012年, 日本半导体产业曾经的另一张名片——尔必达曾在当年2月申请了破产保护. 同年7月, 美国半导体厂商美光科技宣布以25亿美元的 '白菜价' 收购尔必达, 日本最后的DRAM厂商黯然退场.
留得青山在, 未来仍可期
尔必达和东芝存储的故事, 在日本半导体产业的衰落之中颇具代表性: 前者本就是多家日本电气巨头各自剥离旗下存储芯片业务的产物, 其成立本身就具有强烈的政府保护色彩; 后者则是闪存诞生之初, 东芝员工发明的NOR和NAND两种类型的闪存如今合计已占据存储市场的45%.
不过该次出售某种程度上对东芝和东芝存储都会是一项利好: 前者壮士断腕留得青山, 保住日本制造的金字招牌, 以期未来在其他领域继续发力; 后者则可背靠贝恩充足的资金支持, 最大化其技术优势, 在存储市场进一步同三星等厂商抗衡.
在东芝和贝恩先后发布公告表示已通过全部所需的反垄断审查时, 韩国三星证券分析师Hwang Min-seong就曾表示, 东芝是三星电子目前在相关科技方面的唯一竞争对手, 随着东芝半导体在出售后的后续调整重组, 该产业将面临诸多策略性调整.
'东芝在技术能力上的确是唯一能够和三星抗衡的存在, 本来美光和英特尔的组合或许也可以, 但它们之后会分家, 不确定目前的研发实力是否会被分散. ' 集邦咨询半导体产业首席分析师陈玠玮对21世纪经济报道记者表示.
陈玠玮指出, 目前东芝在96层NAND Flash的发展进度与三星相当, 两者计划的量产时间均放在了今年第四季度. '贝恩资本投入后, 东芝存储在未来的投资规划上, 不再会像之前一样因母公司其他部门表现不佳而拖累, 贝恩的加入是正向的. ' 他表示.
'大企业病'
芯谋研究首席分析师顾文军对21世纪经济报道记者指出, 探究日本半导体产业的衰落, '大企业病' 是其中的关键. 东芝存储的故事正是 '大企业病' 的一面.
1993年, 2000年, 2006年和2016年, 东芝分别在全球十大半导体厂商中位列第三, 第二, 第四和第八, 是仅存的依然处于领导地位的日系半导体厂商.
然而, 母公司在2006年对西屋电气的收购为日后严重的财务危机埋下了伏笔. 2011年, 日本福岛核电站事故引发了全球范围对核电建设计划的谨慎, 不少项目开始重新评估, 东芝核电业务遭遇严重困境.
2016财年, 东芝净亏损高达9657亿日元, 已是连续第三年亏损, 面临被东京证券交易所摘牌退市的风险, 出售东芝存储成为了公司断臂求生的选择.
相较之下, 日本DRAM厂商尔必达更令人唏嘘. 尽管在2011年第四季度依然在DRAM市场保持着12%的占有率, 挣扎多年也未能走出亏损泥沼的尔必达依然在2012年2月申请了破产保护, 并在3月被东京证券交易所摘牌退市.
2012年7月, 美光科技宣布了对尔必达的收购. 2013年6月, 尔必达正式成为美光科技子公司, 其最后一期市场占有率统计定格在了2013年第二季度的15.2%.
'这些日本企业经营着各类产品和业务, 资源也就非常分散. 如果哪个业务部门表现不佳, 很可能就会被抛弃. ' 顾文军表示, '半导体业务相对来讲产值较小, 很难成为一家日本企业的核心业务. '
尔必达的成立就是一例. 1999年, 受困于经济衰退引起的DRAM价格急剧下滑, NEC和日立分别剥离旗下存储芯片业务, 成立了新的DRAM公司尔必达. 2003年, 尔必达继续并入了三菱电机的DRAM业务部门.
自此, 曾在IC Insights 1993年的全球十大半导体厂商排名中分别位列第二, 第五和第八的三家日本半导体厂商的DRAM业务汇集在了一起. 2004年, 尔必达在东京证券交易所上市. 在经历了早期的大跨度扩张后, 尔必达市场占有率和产能均大幅提升, 并在2006年进入半导体前20强.
但自2007年起, 因产能过剩, DRAM市场价格开始急剧下滑. 2008年金融危机又导致全球DRAM需求继续大幅减少, 产品价格进一步下滑. IC Insights数据显示, 2008年, DRAM颗粒价格由2007年的2.57美元骤降至1.83美元, 降幅近30%. 2009年, 进一步降至1.74美元.
尽管日本政府在2009年通过《产业再生法》修正案, 共计向尔必达提供了1300亿日元的援助. 但在韩国公司强势崛起的巨大冲击和日元连续升值的影响下, 尔必达终究没能走出困境.
其破产前于2012年2月发布的财报显示, 公司仅2011年4月至12月亏损就达到989亿日元, 至2012年3月底, 总负债达4480亿日元.
求精不求变
尔必达也曾有过一次抓住救命稻草的机会. 作为欧美仅存的DRAM企业的美光科技一直在努力寻求更多的产业合作, 以和韩系厂商形成抗衡. 2012年1月前后, 美光与尔必达的联手本已基本谈成.
但屋漏偏逢连夜雨, 美光时任CEO Steve Appleton突遭飞机失事遇难, 美光和尔必达在最为关键的价格问题上需要重新进行讨论, 谈判被迫推迟. 不久之后, 尔必达即宣告破产.
但这只是压垮尔必达的最后一根稻草. 顾文军认为, 日系半导体厂商的衰落不能简单归结为企业经营不善, 还有很多深层原因. 日本独特企业文化下的人员流动较少或是其中之一.
'这种从入职到退休的终身雇佣模式, 以及日本企业中存在的等级观, 一定程度上压制了年轻人的成长. ' 顾文军表示, '半导体行业变化非常快, 这种现象明显不利于新鲜血液的补充, 也就影响了企业的创新和技术进步. '
此外, 两大日系存储厂商未能及时捕捉到市场变化趋势, 均陷入了 '求精不求变' 的困局: 东芝未能把握技术先发优势, 将领先地位拱手让人; 尔必达则是继续专注DRAM, 寄希望于单纯通过技术上的精进在竞争中获胜.
东芝半导体研发部门负责人Fujio Masuoka分别在1984年和1987年成功发明了NOR和NAND两种类型的闪存. 但NOR在当时并未引起日本产学研界的重视, 反而是远在硅谷的英特尔迅速与东芝签订交叉授权许可协议, 并在1988年成功推出了世界上第一个商用闪存芯片.
东芝制成NAND之时, 三星电子正在和苦于资金周转的东芝进行联合开发提议的谈判. 前者再次错判了NAND闪存的前景, 认为这短期无法带来利益, 而与三星的合作能立刻扩大生产规模, 以降低成本, 拓展市场.
三星实现了后发制人, 在NAND市场上长年压制东芝, 稳坐第一大NAND厂商的王座. 2018年第一季度, 三星和东芝在NAND市场分列第一, 第二, 占有率分别为37%和19.3%.
尔必达则是忽视了闪存市场的增长. 2011年第一季度, DRAM市场规模为82.9亿美元, 到2018年第一季度, 该市场增长至了230.8亿美元; 同期, NAND市场规模从53.63亿美元增长至了157.41亿美元, 增速同样迅猛. 此外, SEMI在2015年发布的数据显示, 当年全球3D NAND市场规模达到了52亿美元, 而到2022年这一数字将达到390亿美元.
分析指出, 随着智能手机, 平板设备的兴起, NAND闪存正在冲击着传统内存的需求, 而尔必达长期坚持出售存储颗粒这一较为单一的业务模式, 限制了利润率的提升.
2008年3月, 尔必达时任CEO坂本幸雄还曾表示, 公司在技术研发方面的投入, 将使尔必达能够在DRAM市场中占据领先地位. 他认为, 公司可于2010年将三星从DRAM市场的龙头宝座挤下. 当时, 尔必达还在积极投资扩产, 并表示将在未来三年保持每年2座12英寸厂的扩增速度.
其后, 尔必达在2010年宣布其成功研制出全球首款基于40nm制程的4-gigabit DDR3内存, 又在2011年宣布成为全球首个掌握了25nm制程的DRAM厂商. 2012年2月, 在申请破产保护之前, 坂本幸雄还曾表示, 在DRAM市场上能够幸存到最后的是尔必达这样拥有技术实力的公司.
21世纪经济报道
5.8英寸晶圆产能供不应求, 这场抢夺战有看头
两岸8英寸晶圆代工报价第3季确定调涨, 6英寸晶圆代工价格亦蠢蠢欲动, 被迫接受涨价的台系IC设计厂商表示, 能在2018年下半卡位8英寸及6英寸成熟制程产能才是重点, 近期两岸8英寸晶圆厂开始出现久违的人脉牵线大抢产能的盛况, 不管是透过学长, 学弟关系, 或是过去同事, 上司及部属情谊, 纷纷都被翻了出来, 目的就是希望在晶圆产能紧缺之际, 能多争取一些产能来协助自家公司打开产品, 市场及客户通道, 并带动公司营运走强. 面对8英寸晶圆产能明显供不应求的情形, 加上车用电子, 物联网相关芯片订单持续大举涌进, 以及8英寸晶圆代工产能面临机台难买, 扩充不易的瓶颈, 使得8英寸晶圆产能不足现象已从短期压力, 逐渐拉长为中期趋势, 晶圆代工价格调涨已不是芯片厂商急迫考量的问题, 现阶段更重要的是拥有充足产能, 才是在终端芯片市场致胜关键. 台系IC设计厂商坦言, 目前客户在考虑芯片采购的条件时, 有没有货才是先决条件, 过去全球半导体发展过程已一再证明, 芯片缺货之际, 新进市场的芯片供应商才能有所作为, 面对当前上游晶圆代工产能紧缺情况, 能够交出货的IC设计公司自然会有订单上门, 在有货就是赢家的当下, 业界预期两岸半导体供应链透过人脉牵线大抢产能的竞局将持续进行. 台系MCU供应商强调, 尽管整个芯片成本仅占终端产品约20~30%, 其中又细分好几种芯片, 即便自家MCU性价比和外商相较有20%的价差, 但对于客户而言, 成本变动仅约1%上下, 除非到最后关头, 否则客户愿意采购新芯片解决方案的兴趣通常不高. 不过, 当芯片出现缺货压力, 或是客户为压低原芯片供应商报价, 策略分散芯片来源, 就可能采用新的芯片解决方案, 其中, 若是客户欲策略分散芯片来源, 通常是旷日废时, 芯片厂往往会变成客户的棋子, 任人摆布, 但若是因为芯片出现缺货压力, 那就不用担心客户的刻意挑剔, 以及竞争对手的干扰, 甚至客户还会亲自护航, 确保有足够的芯片产能. 随着两岸8英寸晶圆代工产能水涨船高, 芯片供应商拥有产能才敢大声抢单情况下, 各家芯片厂纷大显神通, 不仅派员在台积电, 世界先进等晶圆厂长期驻厂排队, 包括联电, 中芯及华虹等亦是门庭若市, 现在甚至连力晶, 茂硅, 汉磊亦看到长长的人龙, 凸显有晶圆产能才是王道的产业现实. 面对2018年下半8英寸晶圆产能紧缺压力, 包括联咏, 联阳, 联杰, 智原及原相等联家军IC设计公司, 可望具备潜力趁势追击, 至于力积, 晶相等力晶转投资IC设计公司, 以及华邦转投资的新唐, 亦有子凭母贵的实力, 在多争取一片晶圆就等于多一些芯片市占率的关键时刻, 两岸半导体产业界透过人脉牵线力抢产能的盛况, 短期内仍将持续涌现. DIGITIMES
6.硅晶圆供货吃紧, 世界先进: 货源充足
晶圆代工大厂世界先进14日召开股东会, 面对硅晶圆供货吃紧与涨价问题, 竞争对手联电已首度表示会将硅晶圆涨价所造成的成本增加部分转嫁给客户, 采取一次涨足策略, 董事长方略则说, 世界先进与供应商, 客户多年来合作关系良好, 目前掌握足够硅晶圆, 不会有缺货问题, 硅晶圆涨价问题则会持续与客户沟通, 会采取机动因应策略, 适时反应成本. 方略表示, 2018年全球GDP成长较2017年为佳, 估达3.7%的水准, 半导体产业整体产值成长约可成长4%, 达4,270亿美元规模, 而晶圆代工领域在先进制程需求的带动下, 约有3%的成长, 达590亿美元, 其中有162亿美元来自8英寸晶圆代工的贡献, 约有2%的年成长率, 整体而言, 整体经济情势稳定, 加上世界先进接单畅旺, 8英寸产能满载, 乐观看待下半年运营表现. 此外, 世界先进在显示器相关驱动IC, 电源管理IC 和分离式功率元件的运营已见绩效, 为了分散产品及市场集中度, 进一步降低运营风险, 目前积极往高毛利市场耕耘, 除既有的高压模拟, BCD(Bipolar-CMOS-DMOS), 超高压制程外, 也持续加速感测元件, 指纹辨识IC, 高功率电源管理IC和嵌入式存储器平台等计划的执行, 以因应节能减碳时代的来临且满足车用电子和物联网市场需求. 同时也全力引进更多IDM客户群, 提高国外客户比重的计划也将持续进行, 希望借由深化客户长期伙伴关系, 进而确保特殊晶圆代工的领先地位, 并成为全球晶圆代工领域中高压及功率半导体制程的领导厂商之一. 而对于近期挖矿需求降温, 方略则说, 世界先进专注特殊晶圆代工领域, 主要提供各类制程与客户设计生产电源管理IC与LCD面板驱动IC等各项运用, 并持续与客户合作开发BCD以及高压/ 超高压的制程, 而挖矿用的特殊应用芯片(ASIC)主要是采用先进制程, 为高速运算芯片, 世界先进并未着墨太多, 因此需求升跌并未带来影响. 只有8英寸晶圆厂的世界先进, 目前产能持续满载, 基于客户需求和未来成长性, 方略表示已积极评估各种成长方向, 除现有3座8英寸晶圆厂会采取提升效率等方式持续扩充产能外, 新建或购买12英寸厂也是评估选项之一, 但目前仍未确定. 2017年运营状况方面, 由于受到新台币汇率变动的影响, 世界先进合并营收为新台币249.1亿元, 较2016年258.3亿元减少3.6%. 此外, 全年平均毛利率约32%, 税后净利约45亿元, 每股税后(EPS) 2.73元, 不及2016年3.35元. 2017年全年资本支出约为新台币18亿元, 全年生产产能约为234.2万片, 年增4%, 产能利用率89%, 晶圆出货量达到209万片. 为持续提升制程技术及进行产能扩充, 2018年资本支出预估略增至新台币21亿元, 预估2018年产能为239.2万片, 年增2%. 受到电源管理IC客户库存调整及新台币升值等影响, 世界先进2018年第1季合并营收约为64.25亿元, 较2017年第4季略增0.8%, 与2017年同期相比小幅成长2.6%, 毛利率32.2%, 较2017年第4季33.9%减少1.7个百分点, 税后净利11.48亿元, 季减5.7%, 年减0.2%, EPS 0.7元, 略低于2017年第4季0.74%, 与2017年同期持平. 展望第2季, 随着电源IC客户库存调整结束, 需求逐步回升, 以及IT面板受惠电竞需求成长, 驱动IC相对稳定, 世界先进预估合并营收约介于67亿~71亿元之间, 毛利率约31.5~33.5%, 营业利益率介于21~23%之间, 第2季产能将较首季增加6%, 单月约19.8万片. 整体技术发展方面, 显示器驱动芯片的技术开发部分, 0.2微米, 0.18微米, 0.15微米, 0.11微米高压制程, 以及专供于触控面板的0.16微米及0.18微米附加嵌入式非挥发性存储器的高压制程均已导入量产; 电源管理IC的BCD制程部分, 0.5微米, 0.4微米, 0.35微米, 0.25微米, 0.15微米及0.11微米BCD制程均已导入量产. 更新第二代的0.5微米超低导通阻值, 制程精简的超高压和0.25微米SOI制程也已完成开发, 并与特定客户完成产品设计及进行量产. 此外, 0.5/0.4微米SOI制程也已通过车用电子相关验证, 累积出货量已达一定规模, 深耕车用电子市场效益渐显; 另应用于电容式指纹辨识的0.18um/0.15um IC制程已导入量产, 而应用于光学式指纹辨识的0.18um IC制程, 已有客户开发完成, 并顺利整合在智能手机上, 成功展现最新的光学式指纹辨识功能. 另受关注的是, 5G高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术, GaN功率元件也开始应用在车联网及电动车领域. 据了解, 世界先进于2015年开始投入开发GaN技术, 与设备材料厂Kyma, 转投资GaN硅基板厂QROMIS合作, 2017年底已成功试产8英寸GaN晶圆, 但目前仍有新材料与成本等问题待克服, 预计2019年才会明显放量. 在全球晶圆代工营收及排名方面, 据调研机构Gartner统计, 2017年全球晶圆代工(含Pure Play和IDM)市占龙头为台积电, 营收成长9%, 市占率小幅衰退至53.8%, GlobalFoundries以8.9%市占位居第二, 紧追在后的联电是8.2%, 三星电子(Samsung Electronics)与中芯国际分居四, 五名, 而TowerJazz透过购并产能及产品组合优化, 年营收成长14%为第六名, 力晶科技则以1.9%市占位居第七名, 世界先进位居第九名, 市占率约1.4%. 世界先进股东会14日股东会通过2017年财报及盈余分派案, EPS为2.75元, 每股配发3元现金股利. DIGITIMES