无论大家能否接受, TCL闪存已经成为绝对主流, QLC闪存也即将普及, 因为它可以带来更高的存储密度, 更低的制造成本, 这都是厂商最喜欢的, 尽管寿命再次大减, 目前看正常情况下只有大约1000次编程/擦写循环, 平均两三天才能一次全盘写入.
类似TLC, 主控厂商们也需要为QLC闪存设计各种纠错辅助机制, 来延长其寿命. 群联电子就特别针对QLC闪存, 推出了 第四代数据纠错保护机制Smart ECC.
群联电子表示, 有了Smart ECC, 当数据被写入NAND闪存内部时, 主控会同时生成一组校正码, 与数据一起存入, 而当数据从NAND闪存读回时, 如果发生错误, 主控会借助校正码来更正数据.
如果校正码也无法恢复, 数据就会进入Smart ECC的补救流程, 借助特别设计的Smart ECC算法来尝试修正, 进一步提升数据的可靠性.
群联电子同时宣布, 旗下包括USB, 存储卡, eMMC/UFS, SSD等闪存主控, 都已经全面支持QLC闪存.
