AI และยุคข้อมูลขนาดใหญ่ชิปยังต้องปรับปรุงประสิทธิภาพผ่านการขนาดเล็กอย่างต่อเนื่องวิธีการผลิตที่มีประสิทธิภาพสูงในกระบวนการ 10 นาโนเมตรสิ้นเปลืองพลังงานน้อยลงและค่าใช้จ่ายของพื้นที่ขนาดเล็กบนชิปเซมิคอนดักเตอร์เป็นกระบวนการปัจจุบันหลัก เรื่อง
ตามคำอธิบายของวัสดุที่ใช้ในยุค PC, โครงสร้างผลึกของชิปเป็นส่วนใหญ่ระนาบวัสดุที่หายากที่ใช้และ microlithography ใช้ชิปลดขนาดเพื่อให้ประสิทธิภาพของชิปสามารถปรับปรุงและการใช้พลังงานสามารถลด แต่ด้วย เมื่อยุคก้าวหน้าไปจนถึงการสื่อสารเคลื่อนที่ลูกค้าเริ่มจัดเรียงภาพวาดลวดลายสี่รูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าในตัวเองและยังใช้แสงอัลตราไวโอเลต (EUV) ต่อเนื่องเพื่อลดผลกำไรจากการทำงานของชิปเริ่มชะลอตัวและลดต้นทุนลง
พร้อมด้วยของมัวร์ก้าวกฎหมายกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่ทันสมัยที่สุดได้เข้าสู่ระดับ 7 นาโนเมตร แต่ชิปขนาดเล็กอย่างต่อเนื่องในส่วนของวัสดุที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเช่นทังสเตนและทองแดงมีปัญหาขนาดเล็ก 10 นาโนเมตรหรือน้อยกว่า บริษัท Applied Materials อธิบายเพราะมันเป็นระบบไฟฟ้า ในทรานซิสเตอร์ของการติดต่อสถานีท้องถิ่นและลวดโลหะที่ได้รับใกล้ขีด จำกัด ทางกายภาพของกระบวนการทังสเตนเดิมและทองแดงจะไม่สามารถนำเข้าสู่อินเตอร์เฟซซึ่งได้กลายเป็นครีบทรานซิสเตอร์ (ก FinFET) อย่างเต็มที่ไม่สามารถออกแรงคอขวดประสิทธิภาพ
การประยุกต์ใช้วัสดุตั้งข้อสังเกตว่าเป็นโคบอลต์โลหะสามารถขจัดคอขวดนี้เปิดโคบอลต์โลหะเทคโนโลยีตัวนำนำไปสู่กฎของมัวร์ยังคงลงไปมีได้รับการยืนยันโคบอลต์สามารถนำไปใช้ผลิตมวลโคบอลต์ปรากฏในสายแคบ ๆ จาก low-pass ต้านทานลักษณะประสิทธิภาพในการปรับปรุงการใช้พลังงานเพื่อให้วัสดุวิศวกรรมขนาดเล็กสามารถอย่างต่อเนื่องและวัสดุใบสมัครมีการเพิ่มประสิทธิภาพสูงสะสมแบ่งเบาเทคโนโลยีกระบวนการ planarization สามารถลดค่าใช้จ่ายและการปรับปรุงผลผลิต
ในความเป็นจริง TSMC มีความสัมพันธ์กับ TSMC อย่างใกล้ชิดปัจจุบันมีอุปกรณ์และวัสดุที่สำคัญสำหรับกระบวนการผลิตขั้นสูงของ TSMC มาจากวัสดุที่ใช้ดังนั้นในขณะที่กระบวนการของ TSMC ยังหดตัวต่อไปวัสดุที่ใช้จะยังคงเป็นประโยชน์