AIと大きなデータ時代は、チップは、10 nmプロセスでより高い性能を製造する方法、連続小型を通じてパフォーマンスを向上させる、より少ない電力を消費し、主電流のプロセスのような半導体チップ上の小さい面積のコストしなければなりませんトピックス
アプライドマテリアルズは、PCの時代に、主平面にチップのトランジスタ構造、統合された材料の珍しい種類、およびリソグラフィチップミニチュアの使用を説明したので、あなたは、チップの性能向上とより少ない電力要件を作るが、とすることができますアクションへの通信およびその他の時間の進歩により、顧客は下位の自己整合パターンの絵を始め、自己整合四パターンの絵画、および極端紫外線（EUV）の使用は、マイクロフィルムを継続し、チップ性能の向上は、コスト効率が低下し、スローダウンし始めました。
ムーアの法則のペースを伴う、最も先進的な半導体製造プロセスは、7 nmのレベルに入ったが、それは電気的であるため、タングステン、銅等の導電性材料の連続小型チップ、部分は、アプライドマテリアルについて説明トラブル小型10ナノメートル以下を有しますローカル端末接点及び金属配線は、プロセスの物理的限界に近づいてきたのトランジスタでは、元のタングステン及び銅はもはや完全にパフォーマンスのボトルネックを発揮することができないフィントランジスタ（フィンFET）となっているインターフェースに導入することができません。
アプライドマテリアルズは、コバルト金属ビーイングは、コバルト金属導体技術のターンを、このボトルネックを解消することができ、ムーアの法則につながったと指摘下るを続け、コバルトは量産に適用することができますが検証された、コバルトは低域から狭い線に登場材料はエンジニアリングミニチュアを継続し、適用材料を焼き、高度に最適化された堆積を提供し、平坦化処理技術は、コストを低減し、歩留まりを向上させることができることができるように、抵抗特性が効果的に、電力消費を改善します。
実際には、ほとんどTSMC、TSMC高度プロセスとキー機材アプライドマテリアル近いパートナーシップのアプライドマテリアル供給により、TSMCプロセスはミニチュアを続けるように、アプライドマテリアルも利益を継続することが期待されるであろう。