人工智能以及大数据时代来临, 芯片也必须透过不断微缩提升效能, 如何在10纳米制程以下生产出效能更高, 耗电更少, 面积更小及低成本的芯片成为当前半导体制程上的主要课题.
应用材料解释, 在PC时代, 芯片的电晶体结构以平面为主, 少见整合型的材料, 并使用微影进行芯片微缩, 如此就能让芯片效能提升及耗电更少等要求, 不过随着时代进展到行动通讯等, 客户开始部属自对准图案画, 自对准四重图案画, 以及运用极紫外光 (EUV) 继续微缩, 芯片效能增益开始减缓, 成本效率也降低.
伴随摩尔定律的步调下, 现在最先进的半导体制程已经进入到7纳米等级, 不过在芯片不断微缩, 部分导电材料如钨与铜在10纳米制程以下已经无法顺利微缩, 应用材料解释, 因为其电性在电晶体接点与局部终端金属导线制程已经逼近物理极限, 原来的钨与铜再也无法导入成为接口, 这也成为鳍式电晶体 (FinFET) 无法完全发挥效能的瓶颈.
应用材料指出, 钴金属正可以消除该项瓶颈, 以钴金属为导体的技术转折, 带动摩尔定律持续往下走, 目前钴已经通过验证能适用于大量制造, 钴在窄线距所显现的低电阻特性有效改善功耗, 让材料工程能持续微缩, 且应用材料提供的高度优化沉积, 回火, 平坦化制程技术可降低成本及改善良率.
事实上, 应用材料与台积电合作关系紧密, 目前台积电先进制程的关键设备及材料上几乎都由应用材料供应, 因此随着台积电制程不断微缩, 应用材料也将可望持续受惠.