proceso de 14nm de Intel con tres generaciones consecutivas, sino también para dar una, 10 nm, ya que ha fracasado en producir un nivel satisfactorio y aplazado en repetidas ocasiones, ahora retrasado hasta 2019, pero la primera mitad o la segunda mitad de Intel propio no está bien.
Por el contrario, TSMC, Samsung comenzó la producción en masa 7 nm, GlobalFoundries 7 nm no muy lejos.
La tecnología de Intel realmente morir? Obviamente no. Aunque el xxnm llamada, pero por el contrario, Intel es sin duda la más rigurosa, ha estado en la búsqueda de los más altos indicadores técnicos, debido a esto, junto con un fuerte incremento de procesos de semiconductores más difícil, Intel 10nm ha sido difícil de producir.
Actualmente, los procesadores de 10nm de Intel han sido enviadas en pequeñas cantidades, sólo se conoce un producto de bajo voltaje de bajo consumo Core i3-8121U, el portátil Lenovo IdeaPad arranque 330.
TechInsight analizó este procesador y obtuvo algunos hallazgos asombrosos que confirman directamente la naturaleza avanzada del nuevo proceso de Intel.
Fotomicrografía del núcleo i3-8121U
El análisis encontró que proceso de 10 nm de Intel de tercera generación utilizando tres dimensiones tecnología de transistores FinFET, la densidad de transistores por cada milímetro cuadrado 100,8 millones (en línea con la reclamación oficial), es un 14nm completa de 2,7 veces!
Por el contrario, proceso de 10nm de Samsung, pero la densidad de transistores por cada milímetro cuadrado 55.1 millones por, equivalente a sólo la mitad de los múltiples puntos de Intel, 7 nm es 1,0123 cien millones por milímetro cuadrado, apenas más alto que el de 10 nm de Intel.
En cuanto a TSMC, 7nm de GF, la densidad del transistor es incluso más baja que la de Samsung.
En otras palabras, Cuanto a la integración de transistores, Intel 10 nm y, de hecho soporte rival 7 nm en el mismo nivel, incluso mejor!
Además, El paso de compuerta mínimo de 10nm de Intel (Gate Pitch) se redujo de 70nm a 54nm, el paso mínimo de metal (MetalPitch) se redujo de 52nm a 36nm, también mucho mejor que el del oponente.
De hecho Comparado con otros 10nm existentes y 7nm futuros, Intel 10nm tiene el mejor índice de reducción de tono.
Otros aspectos destacados de Intel 10nm incluyen:
- Por primera vez en el proceso de back-end de BEOL, se utiliza cobre metálico, rutenio (Ru), como un metal precioso.
- Esquema de diseño autoalineado por primera vez en los backends y puntos de contacto de BEOL
- Biblioteca de alta densidad 6.2-Track para hiperescala
- Tecnología COAG a nivel celular (contacto en puerta activa)
Por supuesto, los indicadores técnicos vuelven a avanzar, y eventualmente deben convertirse en productos competitivos antes de que cuenten.
