Segredo da Tecnologia Intel 10nm: Densidade do Transistor do que o Samsung Semiconductor 7nm

processo de 14nm da Intel com consecutivos três gerações, mas também para dar um, 10nm porque não foi capaz de produzir um nível satisfatório e repetidamente adiada, agora adiada até 2019, mas a primeira metade ou a segunda metade da Intel próprio não é OK.

Em contraste, a TSMC, Samsung começou 7nm produção em massa, GlobalFoundries 7nm não muito longe.

A tecnologia da Intel realmente morrer? Claro que não. Embora a xxnm chamada, mas pelo contrário, a Intel é sem dúvida o mais rigoroso, foi em busca dos mais altos indicadores técnicos, por causa desta juntamente com um aumento acentuado no processo de semicondutores mais difícil, Intel 10nm tem sido difícil de produzir.

Atualmente, os processadores de 10 nm da Intel foram enviados em pequenas quantidades, único produto conhecido de uma baixa voltagem de baixa potência Núcleo i3-8121U, o Lenovo IdeaPad 330 notebook arranque.

O TechInsight analisou esse processador e obteve algumas descobertas surpreendentes confirmando diretamente a natureza avançada do novo processo da Intel.


Fotomicrografia do Núcleo i3-8121U

A análise descobriu que O processo Intel 10nm usa uma tecnologia de transistor de tesselação FinFET de terceira geração.A densidade do transistor atingiu 008 milhões de células por milímetro quadrado (de acordo com o anúncio oficial), que é 2,7 vezes a corrente de 14 nm!

Em contraste, Os transistores de processo de 10nm da Samsung têm uma densidade de 55,1 milhões de células por milímetro quadrado, o que equivale a apenas metade dos multipontos da Intel.7nm é de 101,2 milhões de células por milímetro quadrado, pouco acima dos 10nm da Intel.

Quanto à TSMC, a densidade de transistores de 7 nm da GF é ainda menor que a da Samsung.

Em outras palavras, No que diz respeito à integração de transistores, o Intel 10nm está de fato no mesmo nível do 7nm do seu oponente, e ainda melhor!

Além disso, Intel 10nm passo portão mínimo (Portão Afastamento) é reduzido de 70nm a 54nm, o passo de metal mínimo (Metal Afastamento) é reduzido de 52nm a 36nm, a mesma muito melhor do que o adversário.

De fato Comparado com o outro 7nm 10nm existentes e futuros, Intel 10nm psiquiatra tem os melhores indicadores de pitch.

Outros destaques do Intel 10nm incluem:

- A extremidade traseira do primeiro processo BEOL utilizado cobre, ruténio (Ru), que é um metal nobre

- Esquema de padronização auto alinhado pela primeira vez nos backends e pontos de contato do BEOL

- 6.2-Track High-Density Library for Hyperscaling

- Tecnologia COAG (Contact on active gate) de nível de célula

Claro, indicadores técnicos avançou de novo, vai finalmente ser transformado em um produto competitivo, que conta.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports