Huda 3Dメモリゲーティング技術、中国製メモリチップの製造に専念

6月9日、6月9日、記者は6月9日に、2018年に湖北大学の学術会議に参加し、4回目の科学技術成果の変遷を学んだ。湖北大学の物理電子科学科のWang Hao教授チームはChangjiang Storage Technology Co.、Ltd.転勤3Dメモリストロボ管技術は、毎年恒例の出力値を、6億元に達すると予想される。双方は、3Dメモリストロボ管と高密度メモリと統合された抵抗技術、次の完全な開発の研究に協力していきます戦略的協力に達し、ローカリゼーションの早期実現のための世代の3Dメモリチップ、メモリチップ技術が貢献しています。

近年、主要な国家科学技術プロジェクト、国家研究開発プロジェクト、湖北省の主要技術革新プロジェクトの支援を受けて、Wang Hao教授のチームはゲートチューブ技術を専門としており、現在、研究開発成果は多くの学術論文を発表し、7つの国家発明特許を獲得している。

教授王皓によると、クラウドコンピューティング、ビッグデータ、ネットワーキングおよび他のアプリケーションの開発と導入、メモリの将来の需要は増加し続け、世界の消費量の50%以上の当社のメモリ消費量は、市場はおよそ$ 41.5十億でありますしかし、中国のIT産業のセルフコントロールの開発のための大きな課題である、輸入品に85%依存してメモリチップに。研究チーム王皓は、メモリチップの国内生産のサブプロジェクトである、ストロボ管が3DでありますX- Pointメモリチップの重要な部分は、次世代3Dメモリの製造に技術的なサポートを提供します。

報告によると、約100億円の量産に3Dメモリの市場価値、ストロボ管技術は王皓に6000万を占めることになる、現在の湖はストロボ管技術を研究開発することを約束され、長江によって保存された希望を持ちます共同で多面的研究を行い、情報技術の実際の変革を共同で推進し、メモリチップの「Made in China」を創出する。

教授王皓は、有効に学生が競争力を向上させるために訓練を目的と湖北大学、国家のメモリとの協力の基盤の深さは、あなたが協力プロジェクトの可能な機会を探して、最先端の集積回路技術を学ぶことができると述べた。このこのような協力が唯一の州、ローカルサービスの重要な方法に基づいていない、良くなっている国家メモリの原因を促進することができます。

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