湖大3D存储器选通管技术, 致力打造中国制造存储芯片

长江网6月10日讯9日, 记者在2018年第四批科技成果转化签约大会湖北大学专场上获悉, 湖北大学物理与电子科学学院王浩教授领衔的团队, 与长江存储科技有限责任公司签约受让3D存储器选通管技术, 年产值预计将达60亿元. 双方达成战略合作, 将继续在3D存储器选通管和高密度阻变存储器及其集成技术的研究上开展合作, 全力研发下一代3D存储芯片, 为早日实现存储器芯片技术的国产化贡献力量.

选通管技术是3D存储器制造的必备原件. 在国家科技重大专项, 国家重点研发计划和湖北省技术创新重大项目等项目的支持下, 王浩教授团队近年来专攻选通管技术, 目前, 研发成果已发表多篇学术论文, 先后获得7项国家发明专利.

据王浩教授介绍, 随着云计算, 大数据, 物联网等应用的发展, 未来对存储器的需求会持续增加, 我国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上, 市场约415亿美元, 但是存储器芯片85%依赖进口, 这对于发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战. 王浩团队的研究就是存储器芯片国产化生产的一个子项目, 选通管是3D X-Point存储器芯片的重要组成部分, 将为生产下一代3D存储器提供技术支持.

据介绍, 3D存储器投入量产后的市场价值约有1千亿, 选通管技术将占其中60亿. 王浩介绍, 目前湖大正致力选通管技术的研发, 希望通过与长江存储的合作, 联合多方攻关, 共同推进信息技术的现实转化, 打造存储芯片的 '中国制造' .

王浩教授表示, 对湖北大学来说, 与国家存储器基地深度合作, 可以了解最前沿的集成电路技术, 寻找可能的项目合作机会, 从而实现对学生有针对性的培养, 提高学生竞争力. 这种合作不仅是立足本省, 服务地方的重要方式, 更是能够推动国家存储器事业越做越好.

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