第二の製造構築のための中国エレクトロニクス技術グループ株式会社研究所、100シリコンカーバイド（SiC）の成長を「苦労」中の100台のデバイス速すぎて、SiC単結晶を実行している単結晶成長装置では6月5日、。
中国の電気事業は、2つの第1の分割ディレクター李濱は言った：「これは100のSiC単結晶成長装置および粉末は私たち自身のR＆Dと生産されている、私たちは私たち自身の生産にできることを誇りに思います」。
SiC単結晶は第3世代の半導体材料であり、大きなバンドギャップ、高い臨界破壊電界強度、高い電子移動度、高い熱伝導率などの独特な特性により、高温、高周波、高出力、耐放射性材料となっています。 、短波長光発光材料と理想光電子集積装置、新世代の重要な応用価値と幅広いアプリケーションの見通しを持っている重要なレーダー、衛星通信、高電圧送電、鉄道輸送、電気自動車、通信基地局と他のコア材料です。
中国の電気事業二つの第一課長李濱は、言った：「高純度のSiC単結晶のSiC原料粉末の単結晶成長炉の成長の鍵は、高品質のSiC単を成長させるためには、SiC単結晶の成長の中核です単結晶成長炉と条件を含む高純度SiC粉末における結晶は、製造プロセス設計、デバッグ及び最適化のために必要 '
報告書によると、単結晶育成炉は、高温高真空、高清浄度の要件を満たす必要がありますが、現状では国内の単結晶育成炉は2つしかなく、China Electronics 2も大口径SiCの成長を突破しました。温度フィールド設計は、直径150mmのSiC単結晶成長炉のための高真空を実現し、バックグラウンドリークレート成長炉の設計と製造、および小ロット生産を実現し、高純度SiC粉末、粒度制御技術、結晶制御技術およびその他の重要な技術は、99.9995％以上の純度を有するSiC粉末の大量生産を達成した。
