6月5日, 在中国电子科技集团公司第二研究所生产大楼内, 100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行, SiC单晶就在这100台设备里 '奋力' 生长.
中国电科二所第一事业部主任李斌说: '这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的. 我们很自豪, 正好咱们自己能生产了. '
SiC单晶是第三代半导体材料, 以其特有的大禁带宽度, 高临界击穿场强, 高电子迁移率, 高热导率等特性,成为制作高温, 高频, 大功率, 抗辐照, 短波发光及光电集成器件的理想材料, 是新一代雷达, 卫星通讯, 高压输变电, 轨道交通, 电动汽车, 通讯基站等重要领域的核心材料, 具有重要的应用价值和广阔的应用前景.
中国电科二所第一事业部主任李斌说: '高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料, 单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备, 要想生长出高质量的SiC单晶, 在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下, 还需要对生产工艺进行设计, 调试和优化. '
据介绍, 单晶生长炉需要达到高温, 高真空, 高洁净度的要求, 目前国内只有两家能生产单晶生长炉, 中国电科二所是其中之一. 他们突破了大直径SiC生长的温场设计, 实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空, 低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术, 粒度控制技术, 晶型控制技术等关键技术, 实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产.
