في يوم 5 يونيو ، في مبنى الإنتاج الخاص بالمؤسسة الثانية لمؤسسة تكنولوجيا الإلكترونيات الصينية ، تعمل 100 من معدات نمو الكريستال الأحادي كربيد السيليكون (SiC) بسرعة عالية ، وتكافح بلورات SiC المفردة لتنمو في هذه المعدات المائة.
وقال لي بين ، رئيس القسم الأول في شعبة الإلكترونيات الصينية الثانية: "إن معدات ومساحيق نمو الكريستال أحادي الكريمة 100 SiC هي أعمالنا الخاصة في مجال البحث والتطوير والإنتاج. ونحن فخورون جدًا بأننا قادرون على إنتاجه بأنفسنا".
كربيد الكريستال واحد هو الجيل الثالث من مادة شبه موصلة، مع فريدة من نوعها واسع عرضه الفرقة المحرمة، وارتفاع خصائص قوة الحقل انهيار الحرجة، وحركية عالية الإلكترون، والموصلية الحرارية العالية وما شابه ذلك، تصبح جعل العليا، عالية التردد، عالية الطاقة، ومكافحة الإشعاع ، المواد الموجات القصيرة التي ينبعث منها ضوء وأجهزة متكاملة الضوئية مثالية، جيل جديد هو رادار المهم، والاتصالات الساتلية، نقل عالية الجهد الكهرباء والنقل بالسكك الحديدية، والسيارات الكهربائية، محطات الاتصالات والمواد الأساسية الأخرى لها قيمة تطبيق الهامة وآفاق تطبيق واسع النطاق.
الأولين مدير قسم لى بن شعبة الصين الكهربائية، وقال: 'عالية النقاء كربيد الكريستال واحد كربيد مسحوق المواد الخام هو المفتاح لنمو الفرن نمو البلورات واحد هو جوهر النمو الكريستال واحد كربيد، من أجل أن تنمو عالية الجودة كربيد احد البلورات، في عالية النقاء مسحوق كربيد تضم أفران نمو البلورات واحدة والشروط المطلوبة لعملية تصميم الإنتاج، وتصحيح الأخطاء والتحسين ".
ووفقا للتقارير، يحتاج الفرن نمو البلورات واحد لتلبية متطلبات ارتفاع في درجة الحرارة، وارتفاع فراغ، ونظافة عالية، في الوقت الراهن اثنين فقط قادرة على إنتاج الفرن نمو البلورات واحد، الصين شعبة الكهربائية اثنين هو واحد منهم. إخترقوا نمو كربيد ذات القطر الكبير درجة الحرارة تصميم المجال، ويمكن استخدامها لتحقيق 150MM قطر كربيد الكريستال واحد الفرن النمو فراغ النهائي عالية، وانخفاض معدل تسرب خلفية نمو صغير تصميم دفعة الفرن وتصنيع، بل اختراق عالية النقاء كربيد السيطرة الشوائب مسحوق، والسيطرة على حجم الجسيمات، التكنولوجيا الرئيسية التكنولوجيا تحكم نموذج، لتحقيق انتاج كميات كبيرة من 99.9995٪ نقاء مسحوق كربيد.
