Проект был начат 12 февраля 2017 года. 22 января 2018 года завод по уплотнению и измерению начал переходить в оборудование и установить его. 15 марта заводская панель начала перемещаться в оборудование и устанавливала его. В настоящее время компания начала пробную продукцию на стадии предварительного производства, а фабрика также начнет производство проб в третьем квартале. Ожидается, что все проекты будут полностью завершены к концу этого года и будут введены в эксплуатацию. На первом этапе проекта ожидается выпуск 20 000 чипов в месяц и 500 миллионов для упаковки и тестирования. Чип будет иметь годовую производственную стоимость в 400 млн. Долл. США. На втором этапе ожидается выпуск 50 000 чипов в месяц, а 1,25 млрд. Полупроводниковых чипов будут упакованы и протестированы. Годовая стоимость производства достигнет 1 млрд. Долларов США.
Председатель и главный исполнительный директор AOS International Чжан Фусинг из Chongqing Wanguo Semiconductor заявил в своем выступлении, что 12-дюймовый силовой полупроводниковый чип Chongqing Wanguo Semiconductor и пакетный тестовый проект, начатый с 12 февраля 2017 года, продолжался 16 месяцев. Технология и зрелые продукты, Chongqing Wanguo Semiconductor будет встроена в силовую полупроводниковое предприятие мирового класса.
Компания AOS International Semiconductor также провела в Чунцине «Форум саммита по коммуникациям в области технологий AOS». Чжан Фусин подробно рассказал о роли силовых полупроводников в зеленой энергосберегающей отрасли, а также заявил, что AOS возьмет на себя корпоративную социальную ответственность. Изобретатель B Jayant Baliga, изобретатель IGBT и T Paul Chow, профессор в Политехническом институте Rensselaer в США. Специально приглашен Оргкомитетом для участия в форуме и чтения лекции.