SiC技術は、シリコンデバイスより優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。SiCダイオードは逆回復電流がなく、スイッチング性能は温度とは無関係です。優れた熱性能、高出力密度、電磁干渉（EMI） 、システムサイズの縮小とコスト削減により、SiCはますます高性能自動車アプリケーションに最適です。
表面の新しい半導体のSiCダイオード人気の使用マウントとTO-247、D2PAKとDPAKなどスルーホールパッケージ。FFSHx0120 1200ボルト（V）と第1世代のデバイス650 Vがゼロ逆を提供FFSHx065第二世代のデバイス回復、低い順方向電圧、温度安定性の現在の独立、低リーク電流、高容量及び正の温度係数サージそれらはより高いエネルギー効率を提供し、より速い回復スイッチング速度を増加させ、それによって還元必要な磁気要素のサイズ。
耐久性の要件を満たし、かつ、自動車用途での過酷な電気的環境で確実に動作するためには、ダイオードは、大きな突入電流に耐えるように設計されています。彼らはまた、信頼性を向上させるための独自の特許終端構造を含み、動作温度の安定性を高めます175℃〜-55℃の範囲です。
ファビオNeccoは、半導体シニアディレクターオン、言った：「セミコンダクターデバイスは、ショットキーダイオードシリーズを拡大し、AECの車の規則に準拠してON、自動車用の重要な利点のSiC技術をもたらし、この業界の性能を達成するために顧客を有効にします厳しい要件。技術は、SiC自動車環境に適用され、高いエネルギー効率、より高速なスイッチング、優れた熱性能と高い耐久性。注意を払うの分野では、スペースや重量、SiCの高い電力密度を保存します顧客に歓迎プログラム全体の大きさ、および利点を関連小さい磁気デバイスを、減らすために助けをもたらすために。 "
オン・セミコンダクタは、広範囲のバンドギャップ、自動車、モーター制御、USB-C電源、LED照明、産業予測保守アプリケーション用のスマートパッシブセンサー（SPS）などのソリューションを、PCIMで発表します。 ）。
また、オン・セミコンダクタは、プログラムパラメータや回路レイアウトの乱れの影響を受けやすい業界の先進的なSPICEモデルを実証し、現在の業界のモデリング能力を大幅に上回る進歩を遂げています。 ON Semiconductorの堅牢なSPICE予測モデルのもう1つの利点は、さまざまな業界標準のシミュレーションプラットフォームポートに接続できることです。