ON Semiconductor kündigt SiC-Dioden für die Automobilindustrie an

ON Semiconductor hat eine Erweiterung der Siliziumkarbid-Schottky-Dioden bekannt gegeben, darunter auch Geräte, die speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt wurden: Die neuen SiC-Dioden in Autoqualität entsprechen den AEC-Q101-Messgeräten. Und Robustheit und das Äquivalent einer breiten Palette von Leistungsvorteilen der Wide-Gap-Technologie (WBG).

Die SiC-Technologie bietet eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit als Silizium-Bauelemente SiC-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und die Schaltleistung ist temperaturunabhängig Hervorragende thermische Leistung, erhöhte Leistungsdichte und reduzierte elektromagnetische Interferenz (EMI) , Reduzierte Systemgröße und reduzierte Kosten machen SiC zu einer ausgezeichneten Wahl für immer leistungsfähigere Automobilanwendungen.

New Semiconductor SiC-Dioden verbreitete Verwendung von oberflächenmontierbaren und Durchgangsloch-Pakete, einschließlich TO-247, D2PAK und DPAK. FFSHx0120 1200 Volt (V) und eine erste Erzeugungseinrichtungen die zweite Erzeugungseinrichtung FFSHx065 650 V liefert einen Null-Rückwärts Rückgewinnung, niedrige Durchlassspannung, Strom unabhängig von der Temperaturstabilität, geringen Leckstrom, eine hohe Kapazität und einen positiven Temperaturkoeffizienten surge sie eine höhere Energieeffizienz bereitzustellen und eine schnellere Erholung Schaltgeschwindigkeit erhöht wird, wodurch die Die Größe des erforderlichen magnetischen Elements.

Um die Anforderungen an Robustheit und arbeiten zuverlässig in rauen elektrischen Umgebung in Automobilanwendungen gerecht zu werden, wird die Diode die große Einschaltstrom standhalten. Auch einzigartige Patent Abschlussstruktur, um die Zuverlässigkeit zu verbessern und verbessern die Stabilität der Betriebstemperatur Sie enthalten Der Bereich liegt zwischen -55 ° C und 175 ° C.

Fabio Necco, Senior Director von ON Semiconductor, sagte: "On Semiconductors hat Geräte eingeführt, die die AEC-Vorschriften erfüllen und die Schottky-Diodenserie erweitern, um der SiC-Technologie für Automobilanwendungen entscheidende Vorteile zu bieten und Kunden diese Leistung zu ermöglichen. Strenge Anforderungen Die SiC-Technologie eignet sich sehr gut für Automobilumgebungen und bietet eine höhere Energieeffizienz, schnellere Schaltvorgänge, bessere thermische Leistung und höhere Robustheit.Im Bereich der platzsparenden und gewichtssparenden Bauweise weist SiC eine höhere Leistungsdichte auf. Reduziert die Größe der Gesamtlösung sowie die Vorteile kleinerer Magnetgeräte und wird von den Kunden gerne angenommen.

ON Semiconductor wird diese neuen Geräte während der PCIM sowie die Lösungen des Unternehmens in Breitbandlücke, Automotive, Motorsteuerung, USB-C-Stromversorgung, LED-Beleuchtung und intelligenten passiven Sensoren (SPS) für industrielle prädiktive Wartungsanwendungen zeigen. ).

ON Semiconductor wird darüber hinaus fortschrittliche SPICE-Modelle aus führenden Industriezweigen präsentieren, die anfällig für Störungen der Programmparameter und des Schaltungslayouts sind, und stellt damit einen bedeutenden Fortschritt gegenüber den aktuellen Modellierungsfunktionen dar. Mit diesem Tool können Schaltungsentwickler die Simulation vorantreiben Prozessauswertungstechnologie ohne teure und zeitraubende Fertigungswiederholungen Ein weiterer Vorteil des robusten SPICE-Vorhersagemodells von ON Semiconductor ist die Verbindung mit einer Vielzahl von industrietauglichen Simulationsplattformports.

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