Intel y Micron anunciaron su avance en la memoria flash QLC. Desde el principio estructural, la memoria flash QLC puede contener 4 bits de datos por unidad, que es un tercio más que TLC, pero PE solo tiene 1000 veces, que es 1/3 de TLC.
Por supuesto, el beneficio es un aumento significativo en la capacidad del chip de memoria, es decir, la misma capacidad en comparación con TLC tendrá una ventaja de precio competitivo.
Además de los módulos de memoria DDR4 no volátiles de Intel, Intel también anunció más progreso en SSD QLC durante las actividades de almacenamiento de hoy.
Intel reveló que En la segunda mitad del año, las SSD de QLC se introducirán en el mercado de consumo. De las noticias anteriores, se puede llamar 660p, adoptar el tipo de placa M.2, tomar canales PCIe x2 y tener una capacidad máxima de 2TB..
La imagen muestra DC P4510
En el dominio empresarial, el progreso de Intel es más rápido. Incluyendo el SSD flash QLC de 2,5 pulgadas para lograr un tamaño de 20TB Parece que debería tratarse de un producto NVMe con interfaz U.2 de 15 mm de grosor, en última instancia colocado debajo del DC P4510, que actualmente ofrece productos de interfaz U.2 de 8 TB.
Se informa que toda la producción de memoria flash 3D propietaria de Intel se completa ahora en la planta Fab 68 en Dalian. La IM (Intel / Micron) Fab2 en Utah está dedicada a la producción de chips de memoria 3D Xpoint.
