En la primera mitad de 2018, se publicaron las mejores clasificaciones de fundición de obleas del mundo.

De acuerdo con la topología del Instituto de Investigación reportaron las últimas estadísticas, la primera mitad de 2018, la demanda de teléfonos inteligentes de gama alta de lo esperado, así como los fabricantes introdujo de gama alta y de gama media teléfonos inteligentes son cada vez más borrosos límites, los fabricantes de teléfonos inteligentes introducen nuevas características no son los esperados estímulo la demanda de sustitución de los consumidores, la represión fabricantes de teléfonos inteligentes demanda indirecta de procesadores de alto rendimiento tan buenos como los años anteriores, la industria de la fundición se enfrenta el desarrollo avanzado proceso de desaceleración de la fuerza motriz, por lo que la primera mitad de esta tasa de crecimiento anual del PIB el año de la fundición global de baja en el mismo período del año pasado, el valor de producción estimado de $ 29.06 mil millones, la tasa de crecimiento anual de la cuota de mercado del 7,7% de los tres principales operadores son TSMC, el núcleo celular, UMC.

industria de la topología Instituto de Investigación señaló que la primera mitad de 2018, la clasificación de la industria de la fundición, pocos cambios en comparación con el año pasado, sólo el X-Fab llena zona este más baja, de alta tecnología, ocupó el décimo lugar, que representan el valor de proceso avanzado del mundo de casi el Qi Cheng TSMC, la primera mitad también está sujeto a una demanda más débil por la influencia de los teléfonos móviles, aunque de proceso avanzado hace la fuerza que el crecimiento de los ingresos esperados, pero su cuota de mercado sigue siendo hasta el 56,1%; en segundo lugar en la primera mitad del año debido a la mayor estructura de clientes núcleo celular no lo hizo hay cambios importantes, en comparación con el mismo período del año pasado, los pequeños cambios en los ingresos.

UMC ocupó el tercer lugar en ingresos en el primer semestre del año debido a la presión de la alta presión de proceso de fabricación de TSMC, el crecimiento de los ingresos de UMC fue limitado. Actualmente, los nuevos clientes de 28nm y 14nm están desarrollando desarrollar capacidades de proceso avanzadas para el desarrollo. En cuarto lugar, Samsung está lanzando activamente el Multi-Project Wafer (MPW) para fortalecer la posibilidad de cooperación con nuevos clientes. El SMIC quinto, su cuello de botella de rendimiento de 28nm, aún no se ha roto. Debido al buen estado de la facturación de los clientes locales, el rendimiento del proceso maduro sigue siendo la fuerza principal para respaldar el crecimiento de sus ingresos.

Torre Semiconductor porque el centro de gravedad se trasladó a los productos de beneficio más altos conducir a una mala evolución de los ingresos en la primera mitad, la disminución fue de aproximadamente un 4% respecto al año pasado, el PSC para beneficiarse de la creciente demanda de OEM, crecimiento de los ingresos a paso ligero en la primera mitad, Crecimiento estimado de 27.1% con respecto al mismo periodo del año anterior.

8 pulgadas desde el punto de vista productivo, la primera mitad de 2018, ocho pulgadas situación de escasez de capacidad continuó el año pasado, ocho pulgadas de precios OEM precios de productos donde el rendimiento de 8 pulgadas de ingresos fab a paso ligero, el mundo avanzado y la primera mitad pronóstico de ingresos Huahong respectivamente, crecerá 15,1% y 13,5%; X-Fab es de beneficiarse del campo industrial y automotriz en la primera mitad los ingresos crecieron ligeramente por 4,6%.

Además, TPI señaló que las empresas de fabricación de obleas han logrado nuevos avances en semiconductores de tercera generación, y el servicio de fundición GaN-on-Silicon de 8 pulgadas se ha convertido en el primer GaN-on de 8 pulgadas del mundo. Fabricantes de negocio de silicio; X-Fab integra SiC en fábricas de silicio de 6 pulgadas con una capacidad de 30,000 obleas por mes; el fabricante taiwanés Han Lei también está activo en el negocio de fundición de SiC y GaN.

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