Western Digital (및 Toshiba) BiCS4 기술은 TLC, QLC NAND 플래시 메모리 입자를 제조하는 데 사용할 수있는 96- 레이어 스태킹 디자인을 사용합니다.
작년 Western Digital의 성명서에 따르면 96 층 적층형 플래시 메모리는 처음에는 256Gb (32GB)의 다이 용량으로 3D TLC 플래시 메모리를 제조하는 데 사용되었으며 수율이 높으면 대용량 3D TLC로 전환되어 결국 3D QLC로 전환되었습니다. 최대 1TB (128GB).
Western Digital과 Toshiba는 작년에 76 층 QLC 이전에 BiCS3 64 층 스택 3D QLC 플래시 메모리 입자의 768Gb (96GB) 단일 다이 용량을 사용할 수 있다고 발표했다.
QLC 플래시 메모리는 셀 당 4 비트의 데이터를 저장할 수 있으며 TLC보다 3 분의 1에 불과하므로 대용량에 유리할뿐 아니라 비용 절감에 도움이됩니다. 수명과 성능이 계속 증가하더라도 향후 플래시 메모리 제조업체의 초점이되어야합니다. 감소율.
Micron은 이전에 QLC 기반의 플래시 기반 SSD를 출하 했었습니다.이 SSD는 스크래치 수명이 겨우 1,000 사이클이었으며 잦은 쓰기 작업에는 전혀 적합하지 않았습니다.
