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在过去两年中, NAND, DRAM两大存储芯片价格持续上涨, 不同的是NAND闪存今年Q1季度来已经开始下降, 但DRAM内存颗粒前两个季度都在涨价, 高价位将贯穿全年. 中国作为全球最大的存储芯片需求市场, 涨价对中国国内的公司带来了很大影响.
早前三星公司被中国监管部门约谈, 这两天又有报道称商务部又约谈了美光公司, 同样对内存涨价表达了担忧.
集邦科技旗下的DRAMeXchange日前报道称, 中国商务部反垄断调查局5月24日与美光代表举行了会议, 对过去几个季度中内存芯片价格持续上涨表示担忧, 涨价导致中PC OEM公司面临很大的零部件压力.
除了涨价事宜之外, 原文还提到 美光公司涉嫌不正当竞争 , 此前曾干扰上游供应商向中国福建晋华集团提供设备——福建晋华是国内自主发展DRAM产业的重要力量之一, 另一大阵营则是合肥长鑫/兆易创新, 长江存储主要目标是NAND闪存.
三星, SK Hynix及美光垄断了全球95%以上的内存市场份额
根据DRAMeXchange的统计, 三星, SK海力士, 美光在今年Q1季度中分别占据DRAM市场44.9%, 27.9%及22.6%的份额, 三者合计拥有全球95%以上的市场份额, 处于寡头垄断地位.
中国反垄断法规定旨在确保市场公平竞争, 单一供应商不能占据主导地位, 并操作价格.
另一方面, 内存芯片的生产周期超过8个星期, 从资本支出到产能输出需要至少一年时间, 供应商这才能增加芯片产能输出, 因此这些供应商最有可能被 '限制用于销售的产品数量' 的名义被调查.
中国目前已经成为全球最大的存储芯片进口国, 消费了全球20%的内存, 25%的闪存芯片. 近年来中国一直在积极建立国内的内存, 闪存产业, 但是这无法立即解决成本上涨压力, 因为中国解决自主技术研发及稳定大规模生产至少需要几个季度的时间.
今年早些时候, 中国发改委已经就内存涨价事件约谈过三星. 目前没有证据表明约谈三星, 美光两件事是有关联的, 不过中国政府一直在关注DRAM内存涨价一事.
