今日、浙江大学の公衆は、浙江大学のチームが新しいタイプのメモリを開発したことを発表しました。新しいタイプのメモリは、現在の回路デバイスのほんの数十分の1です。
この記事は、情報電子工学部と浙江大学のシリコン材料研究所が新しいタイプの低コスト、低消費電力メモリを開発したと述べた。 この研究グループは、ゲルマニウムの表面特性を利用して、ゲルマニウムの表面にメンター材料を成長させ、研究者が「メモリダイオード」と呼ぶ新しいデバイスを形成しました。
公式によると、半導体集積回路製造プロセスの工業生産に基づいてこの作品は、 または、大幅にデータ交換の速度を向上させ、ネットワークチップ製造コストを削減するためのソリューションを提供します。
また、 この新しいタイプのメモリはデータに「タグ付け」することができます 将来のインターネット社会のための想像力をさらに高めましょう。
プロジェクトリーダーの趙Yiは言った：チームによって開発された新しいデバイスは、回路を必要とする機能を実現するために1つのデバイスを使用しますが、使用領域は数十分の1に縮小されます。 '
具体的な調査結果は、6月の2018年のVLSI技術と回路に関するシンポジウムで発表される予定です。
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