集微网消息, 受惠于金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 市况热, 晶圆代工厂茂硅业绩畅旺, 茂硅现阶段订单大排队, 产能满载, 传出目前有10多万片的订单量在排队. 业者指出, MOSFET目前的景气情况, 堪称是20多年来最佳.
据了解, 茂硅目前6吋月产能约超过5.7万片, 已满载生产, 但需求远大于供给, 现阶段还有约12万至13万片, 约等于2个月的订单量在排队. 该公司主要负责代工MOSFET与二极体产品, 目前以前者的生产量较高, 排队订单以二极体较多.
业者表示, 因为整合元件制造 (IDM) 厂近几年已无扩增相关产能, 而且其大多主攻毛利率在40% 以上的高毛利产品, 所以毛利率相对较低的产品市场, 就由台系与陆系的厂商承接.
台湾地区主要的MOSFET厂, 包括杰力, 大中, 尼克森, 富鼎, 另外, 敦南也有部分相关产品.
杰力的首季业绩为历史新高, 累计前四月合并营收为4.44亿元 (新台币, 下同) , 年增七成, 不过该公司并无调涨价格, 而是调整产品组合. 大中累计前四月合并营收为7.51亿元, 年增约四成.
另外, 富鼎首季因新增子公司营收, 累计前四月合并营收为7.86亿元, 年增约五成. 尼克森首季EPS为0.35元, 累计前四月合并营收为7.89亿元, 年增逾一成.
MOSFET市况虽然热络, 不过业者也承受上游硅晶圆缺货价涨, 以及代工产能吃紧的压力, 报价若能逐步向客户端反映, 则可改善毛利率与获利表现.
2.ASML坚认摩尔定律可延伸至1.5纳米, 至少发展至2030年
摩尔定律出现重大突破. 外资摩根大通最新报告表示, 半导体设备厂艾斯摩尔 (ASML) 确认1.5纳米制程的发展性, 支撑摩尔定律延续至2030年. 重量级分析师一致预期, 台积电与三星新一轮军备竞赛将开打, 并以制程领先的台积电胜算较大.
摩尔定律是指半导体制程每18个月, 就会推进一个世代. 由于晶体管愈做愈小, 电路线宽愈来愈窄, 几乎已达到物理极限, 一度引起业界忧心半导体先进制程将面临无法继续升级的问题.
摩根大通科技产业研究部主管哈戈谷指出, 艾斯摩尔更坚定摩尔定律可延伸至1.5纳米, 支持半导体产业至少发展至2030年.
此外, 艾斯摩尔将在3纳米与更先进制程采用高数值孔径 (NA) 光学系统; 过去艾斯摩尔为发展NA系统, 收购德国卡尔蔡司子公司蔡司半导体. 如今外资圈消息进一步证实, 艾斯摩尔将拓展3纳米以下技术.
异康集团暨青兴资本首席顾问杨应超解读, 艾斯摩尔技术进展是半导体业一大突破, 有利整个大产业. 而在7纳米制程已开打军备竞赛的台积电和三星, 战况将更激烈.
Substance Capital合伙人暨基金经理人陈慧明指出, 台积电能维持产业龙头地位, 靠的是制程不断进步, 因此艾斯摩尔开展1.5纳米制程, 不仅有利台积电巩固优势, '对第一名最有利' , 也缓解市场原本担忧, 制程技术无法突破下, 红色供应链将迎头赶上.
台积电规划, 导入极紫外光 (EUV) 的7纳米强化版会于明年量产; 全数采用极紫光外光的5纳米, 则会在2020年量产. 经济日报
3.美光又与英特尔复合? 传开发全球密度最高闪存
美光科技周一盘后大涨近 4%, 系因该公司宣布将与英特尔合作制造用于闪存驱动器和数字相机内的下一代芯片.
美光将与英特尔共同合作, 采用新的 4 bits/cell NAND 技术制造, 该技术将能让晶粒密度达到 1 Tb, 使该芯片将成为世界上密度最高的闪存.
美光并表示, 采用 QLC NAND 技术的固态硬盘, 将开始对客户和商业伙伴出货, 预计今年秋季时, 美光即能够完成扩产, 扩大出货.
另外一个消息是, 美光将买回 100 亿美元股票.
周一交易时间美光已经收涨3.9%, 因为该公司调升 5 月底止的第三财季预期. 目前美光预期第三财季营收介于 77 亿至 78 亿美元, 较先前估计的 72 亿至 76 亿美元范围拉高.
美光今年股价已上涨近35%. 英特尔股价的反应则温和许多. 钜亨网
4.数据海量爆发, DRAM与NAND需求持续增温
在万物即将相连的时代, 大量数据的产生带动数据中心的蓬勃建置. 放眼未来5-10年, 数据量将继续呈倍数成长, 重视高传输, 低延迟与广域连接的5G, 以及边缘运算(edge computing)等运用将成关键性技术, 并引领下一波智能科技的发展. 在此基础架构下, TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)指出, 除了各式处理芯片与传感器的需求将呈现爆发性成长外, 扮演运算处理(DRAM)与信息储存(NAND)功能的内存需求也将持续增温.
在5G架构下, 除了通讯设备或手持设备, 举凡智能汽车, 智能家庭, 智能城市, 到其他无所不在的智能设备, 都可受惠于5G网路更广泛且密集的连线服务. 而边际运算在传统云端与终端设备间加入一层运算层, 帮助撷取, 过滤, 汇整并进行即时分析信息, 并对设备端做出立即回应, 省去所有数据都上传至云端的繁琐程序, 同时也降低数据传输所产生的时间递延与数据储存成本, 除了与5G技术相辅相成外, 通过AI的学习运算, 数据处理将会率先在端点完成, 以提供更优质的消费者体验.
DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出, 高频宽, 高运算速度的追求, 或省电与耐用度的考量, 亦或是产品的分散与多样性需求, 都是未来内存发展上所将面临的课题. 除此之外, 由于生产内存的制程已逼近物理极限, 供应商如何在未来的五到十年间持续在 'cost down' 的压力下维持技术创新, 亦将成为巨大商机来临前的挑战.
在DRAM领域, 受惠于数据中心的持续建置, 近年来服务器内存的出货量大幅攀升, 增长速度超越主流产品行动式内存. DRAMeXchange预估, 在未来的两到三年内, 服务器内存将超越行动式内存, 成为供货与需求的主流. 而由于IoT所需的技术设备将逐渐成熟, 代表小容量的利基型内存需求也将持续增加; 虽然单机搭载容量偏低, 但由于产品多样性高, 预计也将消耗可观的产业晶圆产能.
而在NAND Flash领域, 随着5G世代带动智能家庭, 自动驾驶等新兴领域持续发展, 拥有计算能力的终端产品数量预期会明显提升, 也因此带动中低容量的NAND Flash产品出货增加. 长期来看, eMMC/UFS产品出货数量最可能显著提升. 而针对主流消费产品如笔记型电脑, 智能手机等需求, 由于数据大量增加, 其他零组件规格稳健提升, 加上NAND Flash供应商纷纷扩产且在制程上不断进步, 每单位容量价格在未来两到三年内仍有相当可观的下跌空间, DRAMeXchange认为, 这将有助于存储容量持续推升, 并不会止步于现有的256/512GB. MoneyDJ
5.北方华创收到2.1亿元国家科技重大专项资金
集微网消息, 5月22日晚间, 北方华创发布公告, 公司及全资子公司北方华创微电子当日收到北京市经信委通过北京电子控股有限责任公司拨付的国家科技重大专项地方政府配套资金合计20978万元. 上述政府补助预计不会影响公司2018年度税前利润总额.
具体项目补助情况分别为:
1, '45-32nm LPCVD设备产业化' 项目根据 '极大规模集成电路制造装备及成套工艺' 专项实施管理办公室下发的《关于02专项2011年度项目立项批复的通知》 【ZX02[2011]003号】及其附件, 北方华创承担了国家科技重大专项 '45-32nm LPCVD设备产业化' 项目, 项目执行期六年 (2011年-2016年) . 本次, 北方华创收到地方政府配套资金2,328.00万元. 2, '14nm立体栅等离子体刻蚀机研发及产业化' 项目根据 '极大规模集成电路制造装备及成套工艺' 专项实施管理办公室下发的《关于02专项2014年度项目立项批复及落实地方配套经费的通知》【ZX02[2014]018号】及其附件, 北方华创微电子承担了国家科技重大专项 '14nm立体栅等离子体刻蚀机研发及产业化' 项目, 项目执行期四年 (2014年-2017年) . 本次, 北方华创微电子收到地方政府配套资金9,423.00万元. 3, '28-14nm原子层沉积系统 (ALD) 产品研发及产业化' 项目根据 '极大规模集成电路制造装备及成套工艺' 专项实施管理办公室下发的《关于02专项2015年度项目立项批复的通知》【ZX02[2015]018号】及其附件, 北方华创微电子承担了国家科技重大专项 '28-14nm原子层沉积系统 (ALD) 产品研发及产业化' 项目, 项目执行期四年 (2015年-2018年) . 本次, 北方华创微电子收到地方政府配套资金4,811.00万元. 4, '14-7nm CuBS多工艺腔室集成装备研发及产业化' 项目根据 '极大规模集成电路制造装备及成套工艺' 专项实施管理办公室下发的《关于02专项2016年度项目立项批复的通知》 【ZX02[2016]008号】及其附件, 北方华创微电子承担了国家科技重大专项 '14-7nm CuBS多工艺腔室集成装备研发及产业化' 项目, 项目执行期四年 (2016年-2019年) . 本次, 北方华创微电子收到地方政府配套资金4,416.00万元.
6.两岸8吋晶圆代工厂酝酿全面涨价 祭出以价制量策略