すべてのインターネットの時代の記憶の需要は、最初にコストと技術の障壁を突破する必要があります

22、2018 ----接続されているすべてのもののこれからの時代では、5先読みするデータセンターの建設ブームを駆動するために大量のデータを生成すること - 10年、データの量は飛躍的に成長を続け、高透過率、低遅延かつ広域に注意を払います5G接続、および、そのような技術の使用としてエッジ(エッジ・コンピューティング)上で動作し、キー、および科学技術の発展の次の波をリードする知恵となります。このインフラストラクチャでは、DRAMeXchangeコンサルティング半導体研究センター(DRAMeXchange)は、処理チップのすべての種類に加えて、ということを指摘しました需要とセンサーが爆発的な成長が表示されます、ストレージプレイ演算処理(DRAM)と、情報記憶(NAND)機能の需要も温暖化継続されます。

5Gのアーキテクチャでは、通信やハンドヘルドデバイスに加えて、スマートな車をカバーし、スマートホーム、スマートシティは、他のユビキタスインテリジェントデバイスに、5Gネットワ​​ークより広範かつ集中的なオンラインサービスの恩恵を受けることができます。伝統的でエッジのクラウドコンピューティングと一つの操作端末装置の中間層は、リアルタイムの情報に集約し、分析し、濾過し、得助けるために加え、端末装置は、面倒な手順をクラウドにアップロードされたすべてのデータを除去する、直ちに応答するだけでなく、生成されたデータ転送を減らすために時間の延期とデータストレージのコストは、5Gの技術を補完することに加えて、AIの学習を通して、より良い消費者エクスペリエンスを提供するためにエンドポイントで完了する最初のデータ処理となります。

DRAMeXchangeシニア・リサーチ・アソシエイトWuyaティンは、高帯域幅の主題は、高い命令サイクルを追求する、または製品、あるいはまた分散化やニーズの多様化のパワーと耐久性を検討することを、直面するメモリの将来の発展していると指摘した。に加えて、メモリの製造工程に、このほかには、サプライヤーは今後5年から10年にわたり「コストダウン」の圧力に技術革新を維持し続ける方法を物理的限界に近づいている、非常に大きなビジネスチャンスの到来前に課題となります。

ドリブンデータセンター、主流の市場へのサーバーのメモリ

DRAM分野では、データセンターの継続的な建設の恩恵を受けるために、近年では、サーバのメモリ急激な上昇は、出荷台数は主流の行動メモリーよりも速く成長しました。DRAMeXchangeは、今後2〜3年で、アクションサーバーのメモリを超えるであろうと推定しメモリ、主流の需給とにより必要な技術設備にたIoTは、小容量メモリのニッチ需要が増加していきますに代わって、満期を迎える;スタンドアローンながら搬送容量は低いが、高いので、製品の多様性のまた、かなりの業界のウエハ容量を消費することが予想されます。

インテリジェント端末装置は、NANDフラッシュの需要が正のまま

端末の計算能力を大幅に製品の数を高めることが期待されて5G世代とNANDフラッシュの分野では、インテリジェントホーム、自動操縦や他の持続的発展の新たな分野を主導し、ひいては低容量NANDフラッシュ製品出荷の増加につながった。長いを持っています見て、製品出荷ののeMMC / UFS番号は音の仕様を強化するのが最も大幅に改善する可能性が高い。そして、データの大幅な増加により、ラップトップ、スマートフォンやその他のニーズなど主流の消費者製品、のために、他の構成要素であり、プラスNANDフラッシュ・サプライヤーは拡大を持っていますおよび製造プロセスの進歩は、今後2〜3年で容量の単位当たりの価格は、下落する余地がまだある、DRAMeXchangeストレージ容量を押し上げるために引き続き支援する、既存の256/512ギガバイトで停止しないであろうと考えています。

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