TSMC e UMC também enviaram 8 polegadas RF Soi e estão planejando investir em um 12-inch RF Soi competição de capacidade de construção. Global 5g RF oportunida

Com o advento da geração global de 5g, movimentação contínua de 8 polegadas e 12 polegadas de capacidade da fábrica Wafer requisitos, não só parte da expansão da planta Wafer da planta de 8 polegadas RF Soi (RF silicone na Isolator) capacidade, a fim de travar forte demanda do mercado, atualmente incluindo TSMC, GlobalFoundries, TowerJazz e UMC, e mais ao mesmo tempo para expandir ou importar 12 polegadas planta RF Soi processo, atender plenamente a primeira onda de 5g RF chip ordem de negócios oportunidades. Atualmente em todo o mundo cerca de 95% do chip RF Soi por construção de fábrica de 8 polegadas, celular-relacionados RF Soi chip é também mais de 8 polegadas de produção de fábrica, ea grande maioria do RF switch (RF switches) e produtos relacionados também estão em 8 polegadas de construção de fábrica, mas com o RF O processo de manufactura de Soi de 0,18 mícrons para baixo a 0,13 e a 0,11 mícrons, nesta fase, alguns produtos girados para a planta de produção da bolacha de 12 polegadas. Fabricantes de semicondutores internacionais, incluindo TSMC, GlobalFoundries, TowerJazz, UMC, Sony, SMIC, Huahong e italiano-francês semicondutor (STMicroelectronics), que tem 8 polegadas Wafer planta RF Soi capacidade, é de salientar que A fábrica recente grande-escala da geração da bolacha importam ativamente a capacidade do RF Soi da planta de 12 polegadas, incluindo TSMC, GlobalFoundries, TowerJazz e UMC, etc. são todos lanç a produção da planta de 12 polegadas, importação 0,13 mícron a 45 nm e outros nós do processo. Indústria de semicondutores salientou que a introdução de RF Soi processo para construir o chip pode ser bloqueado no mercado de aplicação diferente, a aplicação principal é o módulo front-end RF do monofone (módulos front-end do RF), seus componentes RF 0 integrados tais como o amplificador de poder, afinador da antena, amplificador Low-Noise, interruptor do RF, etc. Responsável pelo manuseio de funções de transmissão e recepção de telefonia móvel. No presente, o telefone móvel RF 0 preço da microplaqueta do componente de aproximadamente 12 ~ 15 dólares dos e.u., o futuro de 5g telefones móveis inteligentes, os preços de microplaqueta relacionados ao telefone móvel alcangarão mais de 18 ~ 20 dólares dos e.u., que é igualmente a capacidade atual do RF Soi apertada uma das razões. Soitec, o maior fornecedor do mundo de substratos RF Soi, tem uma quota de mercado de até 70%, enquanto a produção de 8 polegadas e 12 polegadas RF Soi substratos. Os outros dois fornecedores são a letra japonesa Yue (Shin-Etsu) e fábrica de Taiwan Wafer global, também fornecer 8-inch e 12-inch RF Soi substrato, como para a planta de terra Qinghua única fonte de 8 polegadas RF Soi substrato. Actualmente, a capacidade de substrato RF Soi no estágio de gargalo, se o substrato de 8 ou 12 polegadas é um estado apertado de abastecimento, o que torna a planta de geração Wafer na expansão do Limited. Quanto para à microplaqueta de RF Soi na produção do volume da fábrica de 12 polegadas, ainda não pode resolver o problema total da capacidade do RF Soi apertado, porque a capacidade da fábrica de 12 polegadas travou principalmente aplicações de sistema de alta ordem 5g, alguma da capacidade de aplicações do telefone móvel de 4G. Futuro de 12 polegadas RF Soi capacidade será uma condição necessária para o desenvolvimento de aplicações 5g, para a microplaqueta de RF Soi, a capacidade da planta de 12 polegadas tem muitas melhores condições, incluindo a provisão de mais controle de processo e controle de automação da planta da bolacha, e na tolerância, a repetibilidade e o rendimento, etc. são superiores à capacidade da planta de 8 polegadas. Para o RF Soi substrato capacidade de abastecimento apertado problema, Soitec executivo Vice-Presidente Thomas Piliszczuk disse, com o parceiro China Green certificação, 8 polegadas RF Soi capacidade de substrato esperado para ser melhorado em 2019, como para 12 polegadas RF Soi capacidade de substrato, em Soitec, Mais a letra e a bolacha global e assim por diante para aumentar a capacidade de produção, 2019 desde que a fonte apertada e a demanda devem poder começ o relevo. Da perspectiva da capacidade de expansão da indústria da geração da bolacha, mais de 12 polegadas RF Soi capacidade de substrato é necessária, embora o fornecedor está disposto a expandir a capacidade, mas no curto prazo, 12 polegadas RF Soi abastecimento substrato ainda é bastante limitado. Enfrentando o advento da geração de 5g, 12 polegadas planta RF Soi concorrência capacidade foi lançado, wafer expansão planta de geração para atender a forte demanda por encomendas, atualmente GlobalFoundries foi em Nova York State East Fishkill e Singapura 2 12-inch planta para importar RF Soi produção, Incluindo o processo de 0,13 mícrons e 45 nm. na verdade, GlobalFoundries foi nos Estados Unidos Vermont State Burlington e Singapura dois de 8 polegadas planta na produção de RF Soi, o objetivo é a demanda da cadeia de fornecimento de primeiro cartão, no investimento de 12 polegadas planta RF Soi capacidade, enquanto Também estabilizar a sua capacidade de 8 polegadas planta, para manter as ordens do cliente. TowerJazz tem enviado de 8 polegadas RF Soi, atualmente na planta do Japão de 12 polegadas para iniciar a produção de RF Soi, atualmente 65 nm processo, e é esperado para ser uma miniatura de 45 nm.

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