Источники сообщили: «Samsung Electronics и SK Hynix увеличат свои общие инвестиции в полупроводниковые объекты до 45 трлн вон в этом году. Samsung планирует увеличить свои инвестиции в крупномасштабные производственные мощности на вафелях с 27,3 трлн вон до 30 трлн вон». Кроме того, капитальные затраты SK hynix также Увеличится до 15 трлн вон.
Один из руководителей SK hynix сказал, что SK hynix все еще может корректировать свой инвестиционный план. SK Hynix ранее намекнул, что компания инвестирует 13 триллионов вон в полупроводниковые объекты.
С другой стороны, Yonhap цитирует отраслевые источники, в которых говорится, что Samsung Electronics создала центр исследований и разработок для своего литейного бизнеса. Источники сообщили, что Samsung стремится догнать лидера лидирующего TSMC (2330); 4-й по величине литейный завод.