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En los últimos días, Intel ha sufrido mucha controversia e incluso críticas. La compañía de semiconductores veteranos que está a punto de cumplir 50 años parece perder a Samsung, los descendientes de TSMC.
Debemos saber que la mano de obra original de TSMC también fue cuidadosamente dirigida por Intel. No se esperaba que TSMC y Samsung liderarán de varias maneras, especialmente el nodo de proceso de 10nm será desechado por las dos compañías.
La razón por la que la gente común tiene este tipo de conocimiento es que el conocimiento de los semiconductores es demasiado complicado. Intel aún tiene una gran fortaleza en la fabricación de semiconductores. Su densidad de transistor de proceso de 10nm es incluso mejor que la de Samsung y el proceso de 7nm de TSMC. .
En la percepción de muchas personas, el Samsung, TSMC están en gran medida fuera XXnm digital de Intel confundirse, en la superficie de 7 nm a 10 nm avanzada, 10nm avanzada que la de 14nm, sino en nombre de la tecnología de semiconductores atrás hace demasiado complicado, largo No es lo que el ancho de línea puede representar.
Samsung, TSMC es la primera vez en el nodo FinFET 16 / 14nm vez más allá de Intel, saboreó la dulzura de la comercialización, por lo que la parte de atrás del proceso de denominación tiene una gran cantidad de componentes de marketing, como se hace la optimización de procesos 12nm a 16nm, 12nm se convirtió en la optimización en el LP de 14nm proceso, en comparación con sólo se atreven a llamar a Intel de 14nm, 14nm +, ++ 14nm y así sucesivamente, mucho para ser honesto.
Cuando la gente honesta sufrirán está pagado, incluso en el nodo de 10nm, Samsung, TSMC se deriva del proceso detrás de 8 nm y similares, la gente mira deslumbrante, incapaz de averiguar los pormenores.
Para este problema, Intel expresó anteriormente su impotencia y también contrarrestó el nivel de este proceso de medición e introdujo una nueva fórmula:
En esta fórmula, Intel cree que una medida importante de la tecnología de semiconductores es Densidad de transistores , El proceso de cálculo específico anterior será ignorado. Se debe a la comprensión en la industria.
Bajo tales circunstancias, Intel tiene ventajas sobre otras compañías en el proceso. En la Conferencia del Día de Fabricación del año pasado, Intel comparó los procesos de otras compañías:
14nm condiciones de proceso
Primero, hablamos del proceso de 14nm, sin mencionar que Intel ha estado cosiendo 14nm hasta ahora, pero en comparación con otras casas, la densidad del transistor es 134% del proceso de 20nm, mientras que las otras dos solo dicen 104%, 109%.
Comparación del proceso del nodo 10nm
En el nodo de 10nm, Intel declaró que su densidad de transistor de proceso de 10nm alcanza los 100MTr / mm2, que son 100 millones de transistores por milímetro cuadrado, más del doble del proceso de 14nm.
Y luego compararlo con otra familia? Semiwiki debatido recientemente el caso de Samsung 10nm, 8 nm y tecnología 7 nm, en el que el proceso 10nmm densidad de transistores es 55.10MTr / mm2, de 8 mm es 64.4MTr / mm2, 7 nm proceso, sino también 101.23MTr / mm2.
Según el original, la densidad de transistores de Samsung es menor que la densidad de proceso de Intel 10nm calculada anteriormente, que es ligeramente más alta que la de Globalfoundries, el transistor de proceso de 7nm de Taiwan Semiconductor Manufacturing.
En otras palabras, proceso de 10 nm de Intel es equivalente a la densidad de transistores Samsung, TSMC, 7 nm GF del proceso, en la superficie de una generación por detrás incluso dos generaciones, pero Intel en los indicadores técnicos de lo que realmente conducen.
Por lo tanto, no sorprende que Intel esté deprimida, no es que no esté trabajando duro, sino que sus oponentes son demasiado embarazosos y que primero se aprovechan del nombre del proceso.
Intel no tiene poder. En cualquier caso, los inversores y los analistas no prestan atención a estos detalles técnicos. ¿Cuáles son sus dificultades de 10 nm?
¿Por qué es difícil de producir? Intel no puede responderlo. Presumiblemente porque están embarazadas, tendrán más de dos años de tiempo de nacimiento.
