Le lamentele di Intel che capiscono? 10nm distocia | ma meglio dell'avversario 7nm

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Negli ultimi giorni, Intel ha subito molte polemiche e persino critiche: la società di semiconduttori veterani che sta per compiere 50 anni sembra perdere a Samsung, i discendenti di TSMC.

Dobbiamo sapere che l'originale lavorazione di TSMC è stata attentamente gestita da Intel, ma non ci si aspettava che TSMC e Samsung fossero in grado di condurre in vari modi, in particolare il nodo di processo a 10 nm verrà gettato via dalle due società.

Il motivo per cui le persone comuni hanno questo tipo di comprensione è che la conoscenza dei semiconduttori è troppo complicata: Intel ha ancora una forte forza nel settore della produzione di semiconduttori: la loro densità di transistor a 10 nm è addirittura migliore di quella di Samsung e TSMC a 7 nm. .

Nella percezione di molte persone, la Samsung, TSMC sono in gran parte al di là XXnm digitale di Intel confuso, sulla superficie 7nm avanzata di 10nm, 10nm avanzata di 14nm, ma per conto della tecnologia dei semiconduttori dietro troppo complicato, molto tempo fa non linewidth può rappresentare fino.

Samsung, TSMC è la prima volta in 16 / 14nm nodo FinFET una volta al di là di Intel, gustato la dolcezza del marketing, in modo che la parte posteriore del processo di denominazione ha un sacco di componenti di marketing, come ad esempio diventa l'ottimizzazione del processo 12nm a 16nm, 12nm è diventato l'ottimizzazione a 14nm LP processo, rispetto a solo il coraggio di chiamare Intel 14nm, 14nm +, 14nm ++ e così via, tanto da essere onesti.

Quando le persone oneste soffriranno è pagato, anche nel nodo 10nm, Samsung, TSMC sarà derivata dal processo dietro 8nm e simili, la gente guarda abbagliante, in grado di capire i pro ei contro.

Per questo problema, Intel aveva in precedenza ha anche espresso la loro frustrazione, ma anche per contrastare questo tipo di misura del livello di tecnologia, ha introdotto una nuova formula:

In questa formula, Intel ritiene che una misura importante della tecnologia dei semiconduttori sia Densità dei transistor , Il processo di calcolo specifico sopra verrà ignorato, a causa della comprensione nel settore.

In una tale situazione, il contrasto Intel quando le altre aziende hanno il vantaggio della tecnologia, e la data di fabbricazione conferenza dello scorso anno, Intel ha dovuto confrontare la situazione delle altre aziende del processo:


Condizioni di processo a 14 nm

Lasciatemi parlare di processo 14nm, Intel fino ad ora non guardare il processo 14nm di guarigione, ma in confronto con le altre case sono evidenti vantaggi, la densità di transistor è processo 20nm 134%, mentre gli altri due solo dire 104%, 109%.


Confronto del processo del nodo 10nm

Il nodo 10nm, Intel ha loro tecnologia 10nm densità transistor raggiunto 100MTr / mm2, cioè, per millimetro quadrato 100 milioni di transistor, più del doppio processo 14nm.

E poi confrontarlo con altri familiari? Semiwiki recentemente discusso il caso di Samsung 10nm, 8nm e la tecnologia 7nm, in cui il processo 10nmm densità di transistor è 55.10MTr / mm2, 8 mm è 64.4MTr / mm2, processo 7nm ma anche 101.23MTr / mm2.

Originale detto, elabora Intel 10nm Samsung questa densità transistor densità di quanto precedentemente calcolato per essere inferiore GLOBALFOUNDRIES, 7nm densità di transistor processo TSMC leggermente superiori.

In altre parole, processo 10nm di Intel è equivalente alla densità transistor Samsung, TSMC, GF 7nm del processo, sulla superficie di una generazione dietro anche due generazioni, ma Intel sugli indicatori tecnici quello che effettivamente conducono.

Quindi non sorprende che Intel sia depressa, non che non stia lavorando sodo, ma che i suoi avversari siano troppo imbarazzanti e che stiano sfruttando il nome del processo prima di tutto.

Intel è impotente, in ogni caso, gli investitori, gli analisti non prestano attenzione a questi dettagli tecnici. Quali sono le tue difficoltà 10nm?

Perché è difficile da produrre? Intel non può rispondere. Presumibilmente perché sono incinta, avranno più di due anni di tempo di nascita.

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