Cet article a été réimprimé avec la permission de Superpower.com.
Intel a récemment subi beaucoup de controverse et même critique, il est question atteint l'âge de 50 sociétés établies de semi-conducteurs semblent perdre à Samsung, TSMC ceux de la jeune génération.
Vous savez, TSMC est la fonderie avait à faire était des conseils d'Intel attention, mais maintenant il est TSMC, Samsung divers leader, en particulier nœud de processus de 10nm est à la fois Rejetez.
La raison pour laquelle les gens ordinaires ont cette compréhension, en fait, enracinée dans la connaissance des semi-conducteurs est trop Intel a toujours complexe. Une forte résistance dans la fabrication des semi-conducteurs, et leur densité de transistor que le processus de 10nm, Samsung, TSMC processus de 7nm encore mieux, qui est le point dystocie .
Dans beaucoup de la perception des gens, Samsung, TSMC sont largement au-delà XXnm numérique d'Intel confondu, sur la surface de 7 nm avancée que 10nm, 10nm avancé que 14nm, mais au nom de la technologie des semi-conducteurs derrière trop compliqué, il y a longtemps non linewidth peut représenter jusqu'à.
Samsung, TSMC est la première fois en 16 / 14nm noeud FinFET une fois au-delà de Intel, goûté à la douceur de la commercialisation, de sorte que le dos du processus de désignation a beaucoup de composants de marketing, comme il devient l'optimisation des processus de 12nm à 16nm, 12nm est devenu l'optimisation à 14nm LP processus, contre seulement oser appeler Intel 14nm, 14nm +, 14nm ++ et ainsi de suite, beaucoup pour être honnête.
Quand les gens honnêtes souffriront est payé, même dans le nœud 10nm, Samsung, TSMC sera dérivé du processus derrière et comme 8 nm, les gens regardent éblouissante, incapable de comprendre les tenants et les aboutissants.
Pour ce numéro, Intel a déjà exprimé son impuissance et a également contré le niveau de ce processus de mesure, et introduit une nouvelle formule:
Dans cette formule, Intel estime qu'une mesure importante de la technologie des semi-conducteurs est Densité de transistor Le processus de calcul spécifique ci-dessus sera ignoré, en raison de la compréhension de l'industrie.
Dans ce contexte, Intel a des avantages par rapport aux autres entreprises: lors de la conférence Manufacturing Day de l'année dernière, Intel a comparé les processus d'autres entreprises:
14nm conditions de processus
D'abord parler du processus 14nm, sans compter qu'Intel coud la technologie 14nm jusqu'à présent, mais comparé aux autres avantages évidents de maisons, la densité de transistor est de 134% du processus de 20nm, tandis que les deux autres seulement 104%, 109%.
Comparaison de processus de noeud 10nm
Le noeud de 10 nm, Intel ladite densité de leur technologie transistor 10 nm atteint 100mtr / mm2, qui est, par millimètre carré de 100 millions de transistors, plus le processus de 14nm à deux reprises.
Et puis le comparer à autre famille? Semiwiki a récemment discuté de la 10nm, 8 nm et la technologie de 7 nm Samsung cas, où la densité transistor processus de 10nmm est 55.10MTr / mm2, 8 mm est 64.4MTr / mm2, processus de 7 nm mais aussi 101.23MTr / mm2.
Original dit, traite Intel 10nm Samsung cette densité de transistor de densité que précédemment calculé inférieur à GLOBALFOUNDRIES, la densité des transistors processus TSMC 7nm être légèrement plus élevé.
En d'autres termes, Le processus de 10nm d'Intel est équivalente à la densité de transistor Samsung, TSMC, GF 7 nm du processus, sur la surface d'une génération derrière même deux générations, mais Intel sur les indicateurs techniques qu'ils mènent en réalité.
Il n'est donc pas étonnant qu'Intel soit déprimé, non pas qu'ils ne travaillent pas dur, mais que leurs adversaires soient trop gênants et qu'ils profitent d'abord du nom du processus.
Intel est impuissant.En tout cas, les investisseurs, les analystes ne font pas attention à ces détails techniques Quelles sont vos difficultés 10nm?
Pourquoi est-ce difficile à produire? Intel ne peut pas y répondre. Vraisemblablement parce qu'elles sont enceintes, elles auront plus de deux ans de temps de naissance.
