انٹیل 14nm پر، موقع کو جنم دینے کی 10nm عمل کو دوسرے سیمی کنڈکٹر کمپنیوں کے ساتھ، اس سے پہلے 2019، سیمسنگ، TSMC کی پیداوار کے عمل کو اس سال 7nm گا 10nm چپس کا تعارف نہیں ہو سکتا کے بعد سے مقابلے کے اس دور کو پکڑنے کے لئے، انٹیل سچ کھوئے ہوئے، سرکاری بارہا کارکردگی میں 7nm گھر کے علاوہ کسی کو اس کے اپنے 10nm عمل نوڈ، کا اعلان کر دیا گیا ہے یہاں تک کہ اگر بہتر ٹرانجسٹر کثافت بیکار ہے. 7nm نوڈ میں، TSMC، پہلے ہی مہتواکانکشی ہے 7nm ویگا AMD سرکاری اصل میں ذکر چپ باہر، مزید 50 7nm TSMC سلکان چپ انعقاد کی ایک بہسنکھیا، نئے عمل کی کارکردگی 35 فیصد یا 65 فیصد کم بجلی کی کھپت کی طرف سے، کے بعد مستقبل کے اپ گریڈ کرنے کی 5nm مزید کہا کہ 15٪ کی کارکردگی، 20 فیصد کم بجلی میں اضافہ کر سکتے بہتر بنانے کے کر سکتے ہیں.
EEtimes آج، جو کہ TSMC کی ٹیکنالوجی روڈ میپ، حکام کے عمل اور مستقبل 7nm 5nm کی تفصیلات کا اعلان، تمام پہلی نسل 7nm عمل سے اوپر، اس سال پیدا کرے گا رپورٹ کے مطابق، اور سی پی یو سے متعلق ایک کے بعد ایک، باہر ٹیپ 50 سے زیادہ چپس ہیں GPU، AI چپ، چپ خفیہ کاری کرنسی، نیٹ ورکنگ، گیمنگ، 5G، اور اسی طرح یہ autopilot چپ صنعت پر.
7nm عمل 35٪ یا اس سے بجلی کی کھپت میں 65 فیصد کمی کی کارکردگی کو بہتر بنائے گا، چپ کثافت کی سطح تین گنا تک پہنچ - یہاں اصل متن کا موازنہ کرنے کے جن کا ذکر نہیں کیا ہے، لیکن 10nm نہیں ہو سکتا، TSMC سرکاری ویب سائٹ نتائج 10nm عمل کے ساتھ اس کے برعکس ہے 20٪ کی کارکردگی کو بڑھانے یا 40 فیصد، چپ کا 1.6 گنا کثافت کی طرف سے طاقت میں کمی، تاکہ شاید TSMC 16nm عمل سے برعکس ہے.
7nm پہلی نسل کے عمل EUV لتھوگرافی عمل کا استعمال نہیں کرتا، N7 + نوڈ EUV لتھوگرافی خرچ کرے گا، لیکن مینوفیکچرنگ کے عمل کو تبدیل کر دیا جاتا ہے، N7 + عمل، ٹرانجسٹر کثافت کے بارے میں 20٪ سے 10٪ کی طرف سے بجلی کی کھپت میں کمی کی کارکردگی میں کوئی تبدیلی .
اس کے علاوہ، N7 + عمل کی موجودہ پیداوار اچھی ہے، لیکن اس سال یا اگلے سال کے شروع کے آخر میں کچھ اہم عناصر N7 + EDA اوزار شاید اگست تک انتظار کرنا پڑے لئے مکمل عمل حاصل کرنے کے لئے موجود ہیں، اگرچہ.
TSMC بھی مقدمے کی سماعت اس سال 7nm 5nm کی پیداوار کے عمل کے بعد، ابتدائی 7nm عمل کے ساتھ مقابلے کا خطرہ، TSMC کے عمل کو شاید اب 20 فیصد توانائی کی کھپت کو کم کرنے کے 5nm ہونا ہے، پھر 1.8 گنا زیادہ ٹرانجسٹر کثافت، کارکردگی کے طور پر، 15 فیصد کی طرف سے اضافہ ہونے کی توقع ہے، لیکن نئے آلات کے استعمال میں 25 فیصد تک اضافہ ہو جائے گا اگر ممکن ہو تو.
پچھلے منصوبے کے مطابق، 2020 میں ٹی ایس ایم سی کی 5nm پروسیسنگ کی مقدار میں حجم کی پیداوار ہو گی، جب انٹیل کے ہموار الفاظ 7nm نوڈ میں داخل ہوسکتے ہیں.