Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

5G wird bald das Geschäft betritt aus dem Transfer und Auto elektronischer Vernetzung Trend zu profitieren, die dritte Generation von Halbleitermaterial Galliumnitrid und Siliziumkarbid (SiC) in den schnell wachsenden, haben internationale IDM Hersteller von High-End-Ware war die dritte Generation von Halbleitern eingegeben Material Herstellungsprozess, TSMC, die weltweit fortgeschrittenen GaN-Prozess Volumen deutlich erhöht, in diesem Jahr, die nächsten zwei Jahre in die Erntezeit.

TSMC und fortschrittlichsten der Welt gestartet GaN-Prozesstechnologie seit vielen Jahren zu entwickeln, die Technologie ist ausgereift Massenproduktion, TSMC 6 Zoll Produktionsprozess schnitzt das deutsche Unternehmen GaN Le Dai Gitter (Dialog) Ausgangsleistung Adapterchip zur Verfügung zu stellen, und die modernste Ausrüstung und Materialien Werk der Welt Kyma, die Investition des Unternehmens in das GaN-Siliziumsubstratwerk QROMIS, hat im vergangenen Jahr zusammengearbeitet, um eine 8-Zoll-Kapazität für Power-Management-IC-Kunden bereitzustellen.

Dialog wies darauf hin, dass der GaN-Leistungsumrichter eine hohe Effizienz, eine geringe Größe, eine höhere Leistung und hervorragende Eigenschaften aufweist und damit die schnellsten Transistoren der Welt hervorbringt.Topologie-Industrieforschung zeigt, dass GaN und SiC zusätzlich zur Hochspannungsfestigkeit Zusätzlich zu den Merkmalen haben sie auch die Vorteile einer hohen Temperaturbeständigkeit und eines Hochfrequenzbetriebs, die nicht nur die Chipfläche signifikant reduzieren können, sondern auch das Design von peripheren Schaltungen vereinfachen.