1. 약한 수요, 똑똑한 기계 칩 공급 업체의 성능 저하가 다른 학위;
마이크로 네트워크 소식에 따르면 이번 주 몇몇 칩 업체들의 실적은 스마트 폰 수요의 계절적 감소로 인해 매출 성장에 일정한 영향을 미친 것으로 나타났다.
오스트리아 AMS 칩 메이커 단기 영향에 상당한 변화를 가져올 것입니다 스마트 폰 프로젝트에 고객을 기대하면서 스마트 폰의 판매 둔화하지만, ST 마이크로 일렉트로닉스의 첫 번째 분기에도 불구하고 여전히 강한 추진력을 보여 주었다.
2018 년 1 분기 ST 마이크로 일렉트로닉스 수익은 $ 2.23 억 22.2 % 증가, 9.8 %의 감소했다.
다가오는 5 월 31 ST 마이크로 일렉트로닉스 사장을 은퇴 CEO 카를로 보조 티 (Carlo Bozotti)는 기자 회견에서 말했다, 스마트 폰에 대한 수요 약세에도 불구하고 2018 년 상반기는 말했다,하지만 여전히 2 분기 매출은 약 17.5 % 성장할 것으로 기대 주로 자동차, 산업 및 사물 시장의 강력한 성장으로 인한 것입니다.
아날로그, MEMS 및 센서 사업 매출은 25 % 하락 때문에, ST 마이크로 일렉트로닉스는 1 분기 매출은 심각하게 영향을 받았다.이 회사는이 스마트 폰 시장의 원인이 전통적인 비수기 요인에 기인했다, 또한 사업을 이미징 할 수 있었다 어느 정도의 충격.
그 2 분기 영업 이익 잘라 기초 AMS '용량이 충분히 활용되지는'고성능 센서 솔루션을 제공하고, 다른 쪽을보십시오.
AMS는 AMS가 특정 고객의 신원을 공개하지 않지만. 용량 활용의 부족은 사전 제작 부분에서 할 수없는 결과, 제품 전환의 변화와 큰 고객 프로젝트에 주로 기인했다, 그러나 분석가들은 고객이 애플. 애플에게 지난해 말 것을 동의합니다 아이폰 X는 얼굴 인식 기능을 발표했다, 얼굴 인식 분야에서 제공하는 광학 센서의 AMS는되는 성능에 상당한 성장을 이끄는 중요한 역할을한다.
그러나이 회사는 올해 하반기의 증가는 준비 작업이 여전히 임박 할 것을 강조했다.
$ 452.7 백만 147퍼센트의 증가의 1 분기 매출 AMS,보고 있지만, 올해 수익성에 아래로 22 % 년이었다, 순이익은 작년는 $ 19.9 백만의 손실 동안, $ 99.9 백만 증가했다. 그리고 동시에,이 회사는 또한 인해 대형 고객의 주문에 대한 약화 수요에 그 말을, 경고 메시지를 발행, 따라서 2 분기 실적 전망은 매출, $ (250) 만 사이에 $ (220) 만 약 첫 번째 분기에 떨어질 것이다 인하 그것의 절반.
2. 보쉬 : 중국어 혁신 역량은 지금까지 과소 평가 또는 중국에 칩 공장을 건설하고;
Sina 금융 뉴스 4 월 28 일 (28 일 베이징 시간) 뉴스, 보쉬 그룹 이사회 멤버, 아시아 태평양 비즈니스 리더 Terui는 Sina 금융과 독점 인터뷰를 수락 : 슈투트가르트 시간은 인공 지능, 혁신 산업과 관련된 것들의 인터넷, 중국 중국은 이미 미국에 이어 두 번째로 큰 국가이며, 중국은 글로벌 생산 기지가 될뿐만 아니라 R & D 도시가 될 것입니다.
중국 정부는 혁신을 촉진시키기 위해 많은 노력을 기울여 왔으며 중국 기업의 특허 출원 건수와 신생 기업의 증가로 인해 중국은 첨단 과학 기술 분야를 뒤쫓아 가고 있으며 중국 제품이 시장을 겨냥 할 때 국내 시장 일뿐만 아니라, 테리 타일러 (프랭크 타일러)는 "5 년 전만해도 이런 일이 그렇게 빨리 일어날 것이라고는 아무도 예상하지 못했다. 중국의 국제 시장에 관해서는 자연스럽게 불만이 생길 것이다. 기술 혁신 역량이 과소 평가되는 것과는 거리가 멀다. '
더크 Hoheisel는 미국 하이 엔드 기술의 선두 주자임을 동의하지 않는 감독의 보쉬 보드의 회원 그는 로이터 인터뷰 또한 분명히 말했다 : 기술 자체에서 리더십, 미국은 확실히 독일 기업과 미국 기업, 일본 기업의 세계적인 선도 아니다 레벨 라인, 과학 기술에서 세계를 선도하는 미국을 말하는 것은 보쉬 포함을 포함, 새로운 기술을 개발하기 위해 중국, 바이두 (251.93, 13.24, 5.55 %)과 많은 기업의 협력. 정당화되지 않는다. 기술적 인 수준에서 중국의 부상을 매우 빠르고, 인공 지능 분야의 전자 엔지니어의 강한 인재는 우리가 미래에 뒤쳐하지 않습니다, 또한 잘 수행있다.
동시에 테리는 또한 다음과 같이 퉁명스럽게 말했다. 중국이 하이 엔드 칩 부문에서 구입할 수있는 제품이 극히 적기 때문에 중국 산업의 기술 역량을 실제로 업그레이드해야한다는 것은 부인할 수 없다. 중국 기업들은 유사한 제품을 수입하기 위해 막대한 액수를 소비했다. 무역 전쟁이 실제로 일어나면 중국에 주둔하는 회사가 구매할 수있는 자원도 직접적으로 제한 될 것입니다. 이는 비즈니스 커뮤니티에게 좋은 소식이 아닙니다.
Bosch는 비가 오는 경우 독일의 'Silicon Valley'Dresden에 10 억 유로를 투자하여 최첨단 칩 공장을 건설했습니다. 완전 자동화 된 300mm 실리콘 웨이퍼 생산 라인은 3 년 후에 생산에 들어갈 예정이며 이는 회사의 130 년 역사상 가장 큰 투자입니다.
타이 루이 (Tairui)는 Sina Finance에게 다음과 같이 밝혔다. "2 ~ 4 년 후에 중국은 새로운 공장을 짓기 위해 또 다른 칩을 만들 계획 중 가장 강력한 후보자 중 하나가 될 것입니다."
"기술 투자 분야에서 중국, 싱가포르, 독일은 비슷한 장비 투자를위한 3 개의 매우 중요한 지역 세그먼트이며, 물론 기존 업계 지도자들의 지원에도 의존 할 것입니다."
현재 Bosch의 약 6 만 명의 중국 직원 중 약 10 %가 R & D에 전념하고 있으며, R & D 직원 비율이 높다는 것은 Toser가 '현지화'전략을 수립하면 Bosch는 중국에 공장을 건설하고 중국을 생산 기지로 활용할뿐만 아니라 중국을 중요한 R & D 기지로 전환 할 것이며 장기적으로는 지역 사회의 기술적 요구를 완벽하게 보장 할 수있을 것입니다.
3. 블룸버그 : TSMC는 신 추 공장 지역 확장을 위해 135 억 달러를 투자 할 계획이다.
설정 마이크로 네트워크 뉴스, 블룸버그 뉴스, TSMC는 신주 공장을 확장 $ 13.5 억 달러를 투자 할 계획, 글로벌 스마트 폰 시장의 성장세 둔화를 부활 할 계획이다.
TSMC 대변인 일 - 원자바오는 TSMC 도움이 착륙 할뿐만 아니라 정부, 환경 영향 평가를 기다리는 전화로 블룸버그 말했다, 그래서이 계획은 예비 단계에 아직도있다. TSMC, 신주 본사와 R & D 센터 등 주요 웨이퍼 생산 기지.
대만의 경제 데일리 뉴스 인터뷰와의 인터뷰에서 투자 이사 장 빈은 신주 과학 공원 징에서 국내 반도체 산업은 12 인치 웨이퍼 팹을 건설 40 억 위안 투자 할 계획이라고 밝혔다. 투자의 경우 모든 준비가 "입니다 만 강한 바람 . "
TSMC는 새로운 광산 장비 및 기타 금융 시장 암호화로 떨어졌다 TSMC는 ST 마이크로 일렉트로닉스 및 기타 기술 주식에 애플에서 확대되고 트리거, 지금까지 애널리스트의 기대 아래, 지난 주 분기 매출 전망을 만들었지 만, 시장 개발로 포화 및 교체 사이클이 길어지면서 스마트 폰 제조업체에 대한 수요가 둔화되었습니다.
4. 세계에서 가장 진보 된 GaN 웨이퍼 공정 인 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
5G 곧 전송 및 자동차 전자 네트워킹 트렌드의 혜택을 비즈니스를 입력합니다, 반도체 재료 질화 갈륨 (GaN) 및 실리콘 카바이드 (SiC) 빠른 성장으로의 제 3 세대이며, 국제 IDM 업체들은 최초의 하이 엔드 제품을 입력 3 세대의 반도체 재료 제조 공정 인 TSMC는 수확기로 향후 2 년 동안 세계의 첨단 GaN 공정량이 크게 증가했습니다.
세계에서 가장 진보 된 장비 및 재료 공장, TSMC는 세계에서 고급 몇 년 동안의 GaN 공정 기술을 개발하기 시작, 기술이 성숙 대량 생산이다, TSMC 6인치는 독일 기업의 GaN 르 다이 그리드 (대화) 출력 전원 어댑터 칩을 제공하기 위해 생산 공정을 개척 GaN 실리콘 기판 공장 인 QROMIS에 대한 Kyma의 투자는 지난 8 년간 전력 관리 IC 고객을 위해 함께 작업 해 왔습니다.
대화는 전력 변환 컨트롤러는 질화 갈륨 높은 효율, 작은 크기, 높은 전력의 우수한 특성, 세계에서 가장 빠른 트랜지스터를 가져올. 질화 갈륨 외에도 고전압 SiC를 견딜 세트 국가 과학 기술의 산업 연구 토폴로지 것을를 포함 생산, 지적 이 외에도 고온 저항 및 고주파 동작의 장점을 지니고있어 칩 면적을 크게 줄일뿐만 아니라 주변 회로 설계를 단순화합니다.