台积电, 世界先进GaN制程投片量大增, 将进入收割期

受惠于5G即将迈入商转及车用电子, 物联网大势所趋, 第三代半导体材料氮化镓与碳化硅 (SiC) 进入快速成长期, 国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程, 台积电, 世界先进GaN制程投片量大增, 今, 明两年进入收割期.

台积电与世界先进着手研发GaN制程技术多年, 技术成熟进入量产, 目前台积电6英寸产能开出GaN制程提供德商戴乐格 (Dialog) 产出电源转接芯片; 而世界先进则与设备材料厂Kyma, 转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作, 在去年陆续为电源管理IC客户开出8英寸产能.

Dialog指出, 以GaN生产电源转换控制器具备高效率, 体积小, 更高功率优异特性, 带来全世界最快速的电晶体. 集邦科技旗下拓墣产业研究指出, GaN与SiC除了耐高电压的特色外, 也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势, 不仅可使芯片面积可大幅减少, 并能简化周边电路的设计.