En comparación con Samsung, Toshiba, Micron y otras empresas, China es ahora la memoria DRAM, tecnología de memoria flash NAND para estar detrás de muchos años, pero los investigadores chinos han estado persiguiendo a la tecnología de última generación, informó recientemente que China invirtió 13 mil millones de yuanes para iniciar la construcción de la fase PCM memoria de cambio, el rendimiento es 1000 veces los chips de memoria normales, es ahora más potente llegado - Microelectrónica de la Universidad de Fudan profesor Zhang Wei, Zhou Peng dirigió el equipo que desarrolló una nueva chips de memoria de dos dimensiones no volátiles, que utilizar la estructura de semiconductores, el desarrollo de chips de memoria excelente rendimiento, es 100 veces el chip de memoria tradicional de dos dimensiones, y el rendimiento más largo, tiempo de refresco es de 156 veces la memoria, es decir, con una mayor durabilidad.
jugadores de bricolaje deben saber que la memoria, Flash sus ventajas y desventajas - memoria rápida, pero la falta de energía eléctrica será una pérdida de datos, y caro memoria flash, de alta latencia de un orden de magnitud, pero la ventaja es que podemos guardar los datos, mientras que el costo de más Bajo, por lo que la industria ha estado buscando chips de memoria que puedan tener simultáneamente las ventajas de la memoria y la memoria flash, es decir, pueden guardar datos al mismo tiempo con velocidades extremadamente rápidas.
Intel-desarrollado memoria flash 3D XPoint tienen características similares, conocidos como el rendimiento de Flash es 1.000 veces, 1.000 veces la durabilidad de la memoria flash, memoria de cambio de fase PCM se mencionó anteriormente noticia también una tecnología similar para guardar los datos cuando se corta la energía al mismo tiempo, memoria de un rendimiento similar, pero estos nuevos chips de memoria no han alcanzado todavía la memoria, la memoria flash etapa tan maduro.
Los chips de memoria desarrollados por académicos chinos también están en esta dirección. Según sus artículos publicados en la revista "Nature · Nanometer Technology", desarrollaron chips de memoria que usan FET que no son chips convencionales, porque estos últimos tienen dimensiones físicas. En el caso de una contracción gradual, la interferencia cuántica se encontrará. Así que el equipo de Zhang Wei y Zhou Peng utilizó una tecnología de transistor de puerta semiflotante. Mostraron una heteroestructura de Van der Waals. Estructura de compuerta semiflotante casi no volátil, este nuevo chip de memoria tiene un excelente rendimiento y durabilidad.
Específicamente, en comparación con la memoria DRAM, sus actualización de datos de tiempo es de 156 veces el anterior, es decir, los datos pueden ser almacenados ya, además de una velocidad de escritura de nanosegundos (ns) nivel (memoria flash NAND se retrasa generalmente Milisegundo), que es un millón de veces más rápido que los materiales bidimensionales convencionales, por lo que se espera que este nuevo tipo de memoria reduzca la brecha entre la memoria tradicional y la memoria flash.
Por supuesto, esta tecnología es todavía muy buen progreso, pero no espere que la tecnología va a la producción pronto masa, menos probabilidades de entrar en el mercado en los próximos dos a tres años, siempre junto con DRAM, la ventaja NAND de nuevos chips de memoria tienen este problema, y no lo suficientemente maduro para La producción en masa, la memoria tradicional, la memoria flash tiene una larga vida.
