सैमसंग, तोशिबा, माइक्रोन और अन्य कंपनियों की तुलना में, चीन अब DRAM स्मृति, NAND फ्लैश मेमोरी प्रौद्योगिकी कई वर्षों के पीछे होने के लिए है, लेकिन चीनी शोधकर्ताओं नवीनतम पीढ़ी की प्रौद्योगिकी का पीछा करते हुए किया गया है, हाल ही में खबर दी है कि चीन 13 अरब युआन का निवेश पीसीएम चरण का निर्माण शुरू करने के लिए परिवर्तन स्मृति, प्रदर्शन 1000 बार सामान्य मेमोरी चिप, अब और अधिक शक्तिशाली है आने - माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक, फूडन विश्वविद्यालय के प्रोफ़ेसर जांग वी, झोउ पेंग टीम है कि एक नया दो आयामी नॉन-वोलाटाइल मेमोरी चिप विकसित नेतृत्व में, वे , अर्धचालक संरचना, मेमोरी चिप के विकास के उत्कृष्ट प्रदर्शन, है 100 बार पारंपरिक दो आयामी मेमोरी चिप, और लंबे समय तक प्रदर्शन का उपयोग समय से ताज़ा 156 बार स्मृति है, कि अधिक से अधिक स्थायित्व के साथ कहने के लिए है।
DIY खिलाड़ियों है कि स्मृति को पता होना चाहिए, अपने फायदे और नुकसान फ्लैश - तेजी से स्मृति, लेकिन बिजली की विफलता डेटा की हानि, और परिमाण के एक आदेश से महंगा, उच्च विलंबता फ्लैश मेमोरी होगा, लेकिन लाभ यह है कि हम, डेटा को बचा सकता है, जबकि अधिक की लागत है कम है, इसलिए उद्योग के लिए भी एक ही समय में स्मृति, फ्लैश मेमोरी चिप लाभ यह है कि है, बहुत तेज गति के साथ हो सकता है डेटा को बचाने के लिए सक्षम हो दे रहा है।
1,000 बार, 1,000 बार फ्लैश मेमोरी के स्थायित्व इंटेल से विकसित 3 डी XPoint फ्लैश मेमोरी के समान लक्षण, फ्लैश प्रदर्शन के रूप में जाना है है, पीसीएम चरण में बदलाव स्मृति डेटा को बचाने के लिए पहले खबर भी इसी तरह की प्रौद्योगिकी का उल्लेख किया जब सत्ता एक ही समय में निकाल दिया जाता है इसी तरह के प्रदर्शन स्मृति, लेकिन इन नए मेमोरी चिप अभी तक नहीं पहुंची है, स्मृति, फ्लैश मेमोरी इतनी परिपक्व चरण।
चीनी विद्वानों का विकास किया है एक मेमोरी चिप इस दिशा में है, उनके कागज को देखने के "प्रकृति नैनो" पत्रिका के अंक में प्रकाशित के अनुसार, वे विकसित किया गया एक स्मृति का उपयोग किया चिप एक पारंपरिक FET चिप्स सिद्धांत, शारीरिक आकार में क्योंकि बाद नहीं है प्रमात्रा हस्तक्षेप प्रभाव स्थिति है, तो झांग वी ह्रासमान मुठभेड़, झोउ पेंग टीम एक अर्द्ध चल गेट (अर्द्ध चल गेट) ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकी, जिससे वे वैन डेर वाल्स heterostructure का एक प्रकार प्रदर्शित का उपयोग करता है nonvolatile चल गेट संरचना के लगभग आधे, उत्कृष्ट प्रदर्शन और स्थायित्व के साथ नए मेमोरी चिप।
विशेष रूप से, DRAM स्मृति के साथ तुलना में, अपने डेटा समय 156 बार पूर्व, डेटा अब संग्रहित किया जा सकता, कि है, नैनोसेकंड की एक लिखने की गति के साथ है ताज़ा (एनएस) स्तर (NAND फ्लैश मेमोरी आम तौर पर देरी हो रही है मिलीसेकंड), पारंपरिक दो आयामी सामग्री गति 100 गुना तेजी के साथ तुलना में। इसलिए स्मृति के इस नए प्रकार के पारंपरिक और फ्लैश मेमोरी के बीच की खाई को संकीर्ण करने की उम्मीद है।
बेशक, यह तकनीक अभी भी बहुत अच्छी प्रगति है, लेकिन उम्मीद नहीं है प्रौद्योगिकी होगा जल्द ही बड़े पैमाने पर उत्पादन, कम DRAM, नई मेमोरी चिप इस समस्या के नन्द लाभ के साथ प्रदान की है, अगले दो से तीन साल में बाजार में प्रवेश करने, और नहीं होने की संभावना काफी परिपक्व मास उत्पादन, पारंपरिक स्मृति, फ्लैश मेमोरी में एक लंबा जीवन है।
