مقارنة سامسونج، توشيبا، ميكرون وغيرها من الشركات، وتعد الصين حاليا ذاكرة DRAM، NAND تكنولوجيا ذاكرة فلاش لتكون وراء سنوات عديدة، ولكن تم الباحثون الصينيون مطاردة أحدث جيل من تقنية، ذكرت مؤخرا ان الصين استثمرت 13 مليار يوان للبدء في بناء المرحلة PCM ذاكرة التغيير، والأداء هو 1000 مرة رقائق الذاكرة العادية، والآن أكثر قوة قادمة - الإلكترونيات الدقيقة، وجامعة فودان البروفيسور تشانغ وى، قاد تشو بنغ الفريق الذي طور جديدة رقائق الذاكرة ثنائية الأبعاد غير متقلبة، فإنها استخدام بنية أشباه الموصلات، وتطوير رقاقات الذاكرة والأداء الممتاز، 100 مرة التقليدية رقاقة ذاكرة ثنائية الأبعاد، وأداء أطول، وتحديث الوقت هو 156 مرة من الذاكرة، وهذا هو القول مع قدر أكبر من المتانة.
يجب أن يكون لاعبو DIY على دراية بالمزايا والعيوب الخاصة بالذاكرة ، ذاكرة الذاكرة المؤقتة ، لكن فقدان الطاقة سوف يفقد البيانات ، ووقت استجابة الذاكرة الباهظ الثمن باهظ التكلفة أعلى من الذاكرة ، لكن الفائدة هي توفير البيانات ، في حين أن التكلفة أكثر منخفضة ، لذلك كانت الصناعة تبحث عن رقائق الذاكرة التي يمكنها في الوقت نفسه امتلاك مزايا الذاكرة والذاكرة المؤقتة ، أي ، يمكن حفظ البيانات في نفس الوقت مع سرعات عالية للغاية.
إنتل نموا 3D XPoint ذاكرة فلاش لها خصائص مماثلة، والمعروفة باسم الأداء الفلاش 1000 مرات، 1000 أضعاف متانة ذاكرة فلاش، وذاكرة PCM مرحلة تغيير ذكرت في وقت سابق أنباء أيضا تقنية مشابهة لحفظ البيانات عندما يتم فصل الطاقة في نفس الوقت وأداء الذاكرة مماثلة، ولكن هذه الرقائق الذاكرة الجديدة لم تصل بعد الذاكرة، ذاكرة فلاش مرحلة ناضجة جدا.
وقد وضعت العلماء الصينيين شريحة ذاكرة في هذا الاتجاه، وفقا لرقتهم المنشورة في نقطة "نيتشر نانوتكنولوجي" مجلة وجهة نظر، أنها وضعت شريحة الذاكرة المستخدمة ليست تقليدية مبدأ رقائق FET، لأن الأخير في الحجم المادي تواجه تأثير التدخل الكم التقليل من الوضع، لذلك تشانغ وى، ويستخدم فريق تشو بنغ بوابة العائمة شبه (شبه العائمة البوابة) تكنولوجيا الترانزستور، حيث أنها تكشف نوع من فان دير فال heterostructure ما يقرب من نصف غير قلق العائمة هيكل البوابة، ورقاقة ذاكرة جديدة مع الأداء الممتاز والمتانة.
على وجه التحديد، مقارنة مع ذاكرة DRAM، بياناتها تنعش الوقت هو 156 مرات في السابق، وهذا هو، ويمكن تخزين البيانات لفترة أطول، جنبا إلى جنب مع سرعة الكتابة نانو ثانية تأخر (م) مستوى (ذاكرة فلاش NAND عموما ميلي ثانية) مقارنة مع التقليدية سرعة المواد ثنائية الأبعاد 100 مرة أسرع، وبالتالي من المتوقع هذا النوع الجديد من الذاكرة، لتضييق الفجوة بين الذاكرة التقليدية وفلاش.
بالطبع، هذه التكنولوجيا لا تزال تقدم جيد جدا، ولكن لا نتوقع أن التكنولوجيا سوف الإنتاج الضخم قريبا، أقل عرضة لدخول السوق في 2-3 سنوات القادمة، شريطة جنبا إلى جنب مع DRAM، ميزة NAND رقائق الذاكرة الجديدة لديها هذه المشكلة، ويست ناضجة بما فيه الكفاية ل سوق الإنتاج الضخم لدرجة الذاكرة التقليدية، وذاكرة فلاش لها حياة طويلة.
