Samsung Electronics объявила, что Уже используя процесс уровня 10 нм, массовое производство чипов памяти LPDDR4X 16 ГБ для автомобильных приложений , Высокопроизводительный, высокопроизводительный и в то же время более устойчивый к температуре.
Предыдущие 20-нм микропроцессорные чипы памяти Samsung имеют класс Automotive Grade 2, который может выдерживать температурное изменение -40 ° C и максимум 105 ° C. Последнее обновление класса частиц до Automotive Grade 1, самая высокая температура может выдерживать 125 ° C тест, он может адаптироваться к различным суровым условиям.
И даже при таких высоких температурах новые частицы все еще могут 4266MHz На сверхвысокой частоте это уже самая высокая частота в стандартной спецификации LPDDR4X. По сравнению с предыдущей емкостью частиц LPDDR4 емкостью 20 Гбайт 8 Гбит, скорость также на 14% выше, чем предыдущая 3733 МГц.
В будущем Samsung также предоставит версии 12Gb, 24Gb, 36Gb и другие версии.
В феврале этого года Samsung также представила встроенную флеш-память eUFS емкостью 256 Гбайт, которая также ориентирована на автомобильные приложения. В сочетании с решением для хранения данных она может предоставить более совершенные комплексные решения для хранения данных для управляемых, беспилотных автопилотов и автомобильных развлекательных приложений.
