Samsung Electronics lo ha annunciato Utilizza già processi a livello di 10nm, produzione in serie di chip di memoria LPDDR4X da 16 Gb per applicazioni automobilistiche Ad alte prestazioni, alta efficienza e, allo stesso tempo, più tollerante alla temperatura.
I precedenti chip di memoria di processo classe 20nm di Samsung hanno un grado di grado automobilistico 2, che può sopportare un cambiamento di temperatura di -40 ° C e un massimo di 105 ° C. L'ultimo aggiornamento del grado di particelle al grado 1 automobilistico, la temperatura più elevata può resistere a 125 ° C di test, in modo che possa adattarsi a una varietà di ambienti difficili.
E anche a temperature così elevate, le nuove particelle possono ancora funzionare 4266MHz Alla frequenza ultraelevata, questa è già la più alta frequenza nella specifica standard LPDDR4X.Rispetto alla precedente capacità di particelle LPDDR4 da 8 GB a 20nm, la velocità è anche del 14% superiore rispetto ai precedenti 3733 MHz.
In futuro, Samsung fornirà anche versioni da 12 Gb, 24 Gb, 36 Gb e altre capacità diverse.
Nel febbraio di quest'anno, Samsung ha anche lanciato una memoria flash eUFS incorporata con capacità di 256 GB, anch'essa orientata alle applicazioni automobilistiche che, combinata con soluzioni di memoria, è in grado di fornire soluzioni di storage complete più avanzate per la guida assistita, il pilota automatico senza pilota e le applicazioni di intrattenimento automobilistico.
