SSD는 이미 설치 또는 구매를위한 절대 표준입니다 .SSD 기술 및 제품의 개발과 함께 만족스러운 SSD를 선택하는 방법에 더 많은주의가 필요합니다.
NAND 플래시 메모리 기술은 1 비트 (비트) SLC를 저장하는 단일 셀에서 단일 셀 스토리지 2 비트 MLC로, 현재의 주류 단일 셀 스토리지 3 비트 TLC로 계속 성장하고 있으며 곧 인기있는 단일 셀 저장소 인 4 비트 QLC 모든 기술 혁신에 따라 플래시 메모리 비용은 기하 급수적으로 줄었고 사용자는 더 저렴한 제품을 얻고 있습니다.
개인용 컴퓨터의 경우 SSD, 휴대 전화의 경우 eMMC / UFS와 같은 용량이 앞으로 몇 년 동안 두 배로 계속 유지 될 것이고 구매 비용은 점점 낮아질 것입니다.
글로벌 NAND 플래시 메모리 밀도 증가 추이 (출처 : 중국 플래시 시장)
시장에서 SSD 브랜드의 현재 배열, 일반 소비자를 시작할 수 있도록 일반 사용자가 이러한 표면 데이터를 기반으로 할 수 있도록. 여기에 우리가 적절한를 선택하려면, 일반 사용자 데이터를 SSD 좋은 또는 나쁜 품질의 스파이를 크롤링 할 수있을 것입니다 자신의 SSD.
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첫째, 입자의 수에 미치는 영향 SSD 플래시 품질
앞서 우리가 절대 주요 같이 TLC에 SLC 개발 MLC 발전에서 NAND 플래시 메모리 기술, 삼성, 하이닉스, 도시바, 마이크론, 인텔, 샌 디스크를 포함하여 현재 주요 공급 업체 (웨스턴 디지털이 인수에 의해), 그리고 TLC에 의해 앞서 언급 한 ( 3D NAND) MLC의 작은 금액.
모든 플래시 업체는 삼성의 플래시 성능으로 자신의 전략적 레이아웃, 고성능 휴대 전화 (삼성 UFS 공급 문제는 건 거짓말 주장 화웨이 휴대 전화) 주 사람이 선호된다. 휴대폰에서 인텔의 플래시 메모리 성능이 우수해야 서버 공간에 사용되는 자사의 CPU와 많은이, 안정성과 용량이 오히려 성능보다 알려져 있기 때문에 하드 내부 추적을 찾을 수 있습니다.
우리는 현재 시장에서 볼이 아닌 원래의 SSD 플래시 메모리의 브랜드는 삼성 전자와 하이닉스는 사용되는 최소를, 그리고 주류 도시바 / 샌 디스크와 인텔 / 마이크론 기반.
공동 SSD의 모든 부분, 즉, 마스터 + 플래시 메모리를 두 안정적인 동작을 필요로한다. 지원의 더 마스터 플래시 타입, 당신은 기본적인 비즈니스 로직 자연적으로 더 가치가 풍부한 제품,하지만 전류를 생성 할 수 있습니다 많은 컨트롤 플랜트가 원래의 모든 플래시 메모리를 지원한다고 주장하지만 사실 한국 플래시 메모리에 대한 지원은 일반적으로 동일합니다.
예를 들어, 인텔 2016 3D NAND 출시, 코드 L06B는 각각 32기가바이트 용량 다이 ONFI 4.0 표준을 사용하여 MLC 입자이고 L06B, B0KB가되면, 페이지 크기는 4 층 디자인을 사용 16킬로바이트이고, 플래시 메모리의 수명이 3000 P / E (프로그램 삭제주기).
B0KB는 TLC 파티클이며 실제로는 동일한 칩이 사용되므로 사용자는 요구 사항에 따라 MLC 모드와 TLC 모드를 선택할 수 있지만 단일 다이의 용량은 48GB이지만 수명은 1500P / E에 불과하므로 더 높은 LDPC ECC 오류 수정 표준이 필요합니다. .
인텔 3D NAND 아키텍처
복수의 다이 스택이 플래시 과립으로 패키징되며, MLC 플래시 메모리 용량은 32GB에서 512GB (16 층 스택)까지 선택할 수 있으며 TLC 플래시 메모리는 48GB에서 768GB까지입니다.
다중 다이 패키지를 사용하면 단일 플래시 메모리 입자의 용량을 더 크게 만들 수 있고 SSD에 이러한 입자를 사용한다는 매우 기본적인 논리가 있습니다. 즉, 다이의 품질이 높을수록 더 많은 레이어를 패키징 할 수 있고 용량 SSD에 사용되는 입자의 수가 많을수록 문제의 가능성이 낮아집니다.
그래서, SSD를 선택할 때 입자가 작고 용량이 클수록 SSD의 품질이 높아집니다.
최근 해체 사이트에서 본 120GB SSD는 8 개의 TSOP 캡슐화 된 입자
엔트리 레벨 120GB, 240GB 솔리드 스테이트 드라이브, TLC가 2 ~ 3 년 전 인기가 없다면 여러 개의 입자를 사용할 수 있지만 현재 TLC가 주류가되어 사용자는 먼저 볼륨을 측량하십시오.
해체 사이트에서 보이는 최근 640GB SSD는 단일 BGA 패키지 입자를 사용합니다
이것은 Intel TLC 싱글이 768GB의 최대 용량을 달성 할 수 있다고 언급 한 최초의 제품이어야하며, 640GB 용량의 SSD를 생성 할 수 있습니다.
둘째, OP 예약 공간의 품질에 미치는 영향
영업 이익은 영어 이름 프로비저닝 동안, 마스터 칩에 의해 제어되는 내장 SSD를 참조 이러한 GC 가비지 컬렉션으로 다양한 마스터 최적화 메커니즘을 조작하기위한 조작 공간을 숨길 수 없습니다 사용자가 평준화 등을 착용 공간을 소유.
평신도의 용어로, 강화하고 지속 고속 SSD를 유지하기 위해 영업을 위해 예약 더 많은 SSD 공간, 더는 자연스럽게 더 안정, 빠른 떨어지지 않을, 마모, 낮은 실패율과 긴 수명을 등 레벨링, GC 복구의 성능을 향상시킬 수 있습니다.
다른 사용 용량의 OP 점유율 (Kingston 공식 웹 사이트)
마이크론은 소비자에 대한 더 동안 MLC 시대에서, 256분의 128 / 5백12기가바이트 SSD 용량은, TLC 시대를 입력 한 후, 120G / 240 / 480기가바이트는 일반적인 숫자가 인텔 SSD가 서버 시장에서도 360 / 800기가바이트 등장, 더 일반적이다 275 / 525GB의 놀라운 용량을 출시하는 것과 같습니다.
외삽 수 있습니다. 360GB SSD의 경우 플래시 메모리의 원래 용량이 512GB 인 경우 OP의 예약 공간 비율은 42 %로 높으며, 275GB SSD를 192GB + 96GB (Intel의 B0KB와 함께 사용)로 사용하는 경우 OP 값은 4.7 %입니다.
원래의 공장이 SSD를 생산할 때 시장마다 다른 OP 값을 설정함으로써 시장을 만족시킬 수 있음을 알 수 있습니다. 원래 브랜드가 아닌 경우 TLC 제품이 OP 값이 클수록 좋습니다.
조립의 기계 및 상용 320G의 주요 하드 디스크 복구 속도를 줄이기 위해
관찰 가능한, 국내 대형 조립 및 전기 기계 거래자는 종종이 특별한 종류의 제품이 더 큰 OP 예비율을 가지고 있기 때문에 320GB, 160GB의 특수 용량을 사용합니다 .1 백 62 기 공개 카드가 160GB이면 OP 값은 수리율을 20 % 그것이 수리로 가져 오는 왕복화물을 줄일 수 있습니다.
인텔 서버용 S3520 시리즈
Intel S3520은 MLC 파티클을 사용합니다 .150GB의 엔트리 레벨 용량을 256GB 파티클로 구성하면 예약 OP 값은 70 %에 이릅니다! OP 값을 많이 예약하면 서버에서 안정적으로 실행될 수 있습니다. 인텔 플래시의 기업 전략 - 서버의 요구를 충족시키기위한 우선 순위.
셋째, SSD 속도에 오인하지 마십시오.
SSD의 속도는 마스터가 작동하는 방식과 사용 된 NAND 플래시의 두 가지 수준에 따라 다릅니다.
플래시 메모리의 속도면에서 볼 때 삼성은 항상 버그 같은 존재 였고 동일한 수준의 플래시 메모리에서 타의 추종을 불허합니다. 주요 제어 수준에서 서로 다른 솔루션이 서로 다른 SSD 성능을 가져옵니다.
현재의 TLC 시대에서 저렴한 솔루션이 제공하는 주된 컨트롤은 다음과 같습니다. TLC 시뮬레이션 SLC 모드의 일부인 포터 (SLC)의 첫 번째 부분 인 SLC에 쓰여진 데이터 (SLC 작성, SLC 작성, 마스터는 개인적으로 포터 (porter)로 진행됨, 이번에는 TLC의 진정한 속도를 반영합니다.
앞서 언급했듯이 TLC는 3 비트를 저장하는 셀이며 SLC는 1 비트를 저장하는 셀이므로 TLC는 총 용량의 1/3까지만 시뮬레이션 할 수있는 SLC 모드를 시뮬레이션합니다.
다른 사용자의 요구를 충족시키기 위해 주 제어 회사는 또 다른 솔루션, 즉 TLC가 SLC를 시뮬레이션하는 동안 캐시 된 입자가 데이터를 처리 할 수 있도록 DDR 캐시 입자를 추가합니다. 일반적으로 1GB 플래시 메모리는 1MB 캐시의 일치 관계를 처리합니다.
캐시없이 테스트 480G SLC 모드 (40G 쓰기)
버퍼링을하지 않으면 480G가 위의 테스트 (40G 쓰기)의 1/3을 채 웁니다.
버퍼 위의 1/3 전체 테스트로 채워진 500G (40G 쓰기)
HD Tune Pro라는이 도구는 사용자가 실제로 SSD의 실제 성능을 테스트 할 수있게 해주 며 브랜드 공장과 미디어에서 쉽게 오도하지 않습니다.
필독 후 테스트 리드가없는 이유는 기본적으로 SSD의 읽기가 동일하기 때문에 일반적으로 SSD를 사용하여 게임을 할 때 기본적으로 작업을 읽습니다.
오늘날에도 사용자가 기계식 하드 드라이브가 솔리드 스테이트 드라이브보다 우수하다고 말하는 것을 오도하는 사람들이 있으며 SSD 성능이 U 디스크보다 좋지 않다고 말하는 사람들도 있습니다.
위의 세 가지 그림을 비교하여 다음 결론을 도출 할 수 있습니다.
1, DDR 방식인지 DDR 방식인지에 관계없이 아날로그 SLC 세그먼트의 쓰기는 쓰기 비교 측면에서 유사합니다.
2, SLC 시뮬레이션 용량이 채워지면 쓰기 속도가 변경되며 DDR이있는 솔루션의 평균 속도는 DDR이없는 평균 속도의 두 배를 넘습니다.
3, 또는 DDR DDR 프로그램없이 여부, 상황이 최소 속도가 10MB / s의 아래에 나타납니다, 이것이 가비지 콜렉션 결정의 마스터 데이터를 처리 할 때 때문이다. 시간의 SSD를 작성 찾고, 최상의 평가 매개 변수는 평균 쓰기 속도이며 가장 높고 가장 낮은 값은 참조 용입니다.
매일 많은 복사본을 흡입해야하는 경우 DDR 또는 삼성의 SSD로 솔루션을 선택하는 것이 가장 좋습니다.
넷째, 국내 플래시 메모리는 갈 길이 멀다.
마지막으로 가정용 플래시 메모리의 추세와 진행 상황을 살펴 보겠습니다.
Yangtze Storage는 최근 32 층 적층 64Gb 3D 플래시 메모리가 2018 년 양산에 도달하고 64 층 적층 128Gb 3D 플래시 메모리가 2019 년에 대규모 R & D 단계에 진입 할 것이라고 발표했습니다.
단일 Die 64Gb는 8GB이며, 이전 기사에서 Intel의 이전 세대 인 B0KB 코드 명은 단일 Die 32GB TLC 였고, 현재 대량 생산 된 TLC 코드 명 B17은 단일 64GB 다이라고 언급했습니다.
이 방법으로, 국내 플래시 메모리의 수율이 국제 제조업체와 동일하더라도 비용 차이는 8 배에 달할 것이며, 무어의 법칙이 플래시 메모리에 계속해서 유효하다면 국내 플래시 메모리 비용은 시장 경쟁을 달성하는 데 오랜 시간이 걸릴 것이다.
현재 중국과 미국 간의 무역 전쟁이 계속되고 있으며, 이러한 상황에 직면하여 가능한 한 빨리 국내 플래시 메모리에 기술 혁신과 대량 생산을 실현시켜야 중국 코어의 SSD 제품을 가능한 한 빨리 사용할 수 있습니다.
NAND 기술은 계속해서 발전하고 있으며 여전히 무어의 법칙을 따르고 있습니다. QLC 시대가 정식으로 올 때 SSD가 HDD를 완전히 대체 할 수있을 것이라고 대담하게 예측할 수 있습니다.
SSD의 선택에서, 우리는 특정 기본 지식을 습득하고 다른 사람들의 깜박임 함정에 빠지지 않도록 기본적인 구매 논리를 따라야합니다.
