एसएसडी सॉलिड स्टेट ड्राइव अब पहले से ही स्थापित या निरपेक्ष मानक खरीद रहा है, लेकिन SSD प्रौद्योगिकी और उत्पादों के विकास के साथ, कैसे गुलाब के फूल एसएसडी के एक बिस्तर चुनने के लिए, यह भी अतिरिक्त ध्यान देने की जरूरत है।
NAND फ्लैश मेमोरी फ्लैश मेमोरी प्रौद्योगिकी एक एकल भंडारण इकाई सेल 1bit से विकसित करने के लिए, एसएलसी, एमएलसी टीएलसी की वर्तमान मुख्य धारा एकल सेल भंडारण 3bit करने के लिए, एक भंडारण सेल 2bit के रूप में विकसित की (बिट) जारी है, और एक एकल कोशिका 4bit लोकप्रिय QLC आगामी में संग्रहीत हर तकनीकी नवाचार के साथ, एक घातीय बार फ्लैश मेमोरी गिरावट की लागत, उपयोगकर्ता लाने सस्ता उत्पादों हो रही है।
और भले ही पीसी एसएसडी सॉलिड स्टेट ड्राइव के लिए, या eMMC / UFS में फोन का उपयोग, अगले कुछ वर्षों क्षमता को दोगुना करने की है, जबकि खरीद लागत कम और कम होगी जारी रहेगा।
वैश्विक NAND फ्लैश मेमोरी घनत्व वृद्धि की प्रवृत्ति (स्रोत: चीन फ्लैश बाजार)
वर्तमान में बाजार पर एसएसडी ब्रांडों की एक सरणी, ताकि औसत उपभोक्ता शुरू नहीं कर सकते। यहाँ हम, सामान्य उपयोगकर्ता डेटा के माध्यम से क्रॉल करने के लिए एसएसडी अच्छा है या बुरा की गुणवत्ता का एक जासूसी में सक्षम है, ताकि आम उपयोगकर्ताओं को भी इन सतह डेटा के आधार पर किया जा सकता है उचित चयन करने के लिए किया जाएगा, खुद एसएसडी।
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सबसे पहले, कणों की संख्या पर प्रभाव एसएसडी फ़्लैश गुणवत्ता
इससे पहले हम निरपेक्ष मुख्य के रूप में पहले उल्लेख किया है, टीएलसी के लिए एसएलसी विकास एमएलसी आगे के विकास से NAND फ्लैश मेमोरी प्रौद्योगिकी, वर्तमान में मुख्य प्रदाताओं, सैमसंग, Hynix, तोशिबा, माइक्रोन, इंटेल और SanDisk सहित (द्वारा पश्चिमी डिजिटल अधिग्रहित), और टीएलसी द्वारा ( 3 डी नन्द), एमएलसी की एक छोटी राशि।
हर फ़्लैश विक्रेताओं इस तरह सैमसंग की फ्लैश प्रदर्शन के रूप में अपनी सामरिक लेआउट, प्रदर्शन में बेहतर है, उच्च प्रदर्शन मोबाइल फोन के मुख्य व्यक्ति और पसंद किया गया (Huawei सेल फोन का दावा सैमसंग UFS आपूर्ति समस्याओं बंदूक झूठ) हो जाते हैं। मोबाइल फोन में इंटेल फ्लैश मेमोरी है अपनी हार्ड अंदर क्योंकि सर्वर अंतरिक्ष में प्रयोग किया जाता है अपने सीपीयू के साथ एक बहुत, स्थिरता और क्षमता, जाना जाता है बल्कि प्रदर्शन की तुलना में एक का पता लगाने लगता है,।
हम मौजूदा बाजार में देखते हैं, गैर-मूल एसएसडी फ्लैश मेमोरी के ब्रांड, सैमसंग और Hynix कम से कम उपयोग किया जाता है, और अधिक मुख्यधारा तोशिबा / SanDisk और इंटेल / माइक्रोन आधारित।
एक सहयोग एसएसडी के किसी भी हिस्से में केवल दो स्थिर आपरेशन, कि है, गुरु + फ्लैश मेमोरी की आवश्यकता है। समर्थन की अधिक मास्टर फ्लैश प्रकार, यदि आप एक उत्पाद की बेहतर, स्वाभाविक रूप से अधिक मूल्यवान है, जो बुनियादी व्यापार तर्क है, लेकिन मौजूदा बना सकते हैं बाजार दावे पर कई मेजबान पौधों सभी मूल फ्लैश समर्थन करने के लिए है, लेकिन वास्तव में एक सामान्य की तरह कोरियाई श्रृंखला फ्लैश समर्थन करते हैं।
उदाहरण के लिए, इंटेल 2016 3 डी नन्द का शुभारंभ किया, कोड L06B, B0KB, जिसमें L06B ONFI 4.0 मानक का उपयोग कर एमएलसी कणों है, प्रत्येक मरो 32GB की क्षमता है, पृष्ठ आकार 16KB है, एक 4-परत डिजाइन का उपयोग, फ्लैश मेमोरी का जीवन है 3000 पी / ई (कार्यक्रम मिटा चक्र)।
टीएलसी B0KB कण, वास्तव में, एक ही चिप का उपयोग करता है, उपयोगकर्ता की जरूरत के अनुसार और टीएलसी एमएलसी मोड मोड, 48GB के एकल मरो क्षमता है, लेकिन केवल 1500 पी / ई के जीवन का उपयोग कर चयन कर सकते हैं, यह एक उच्च मानक LDPC ईसीसी त्रुटि सुधार की आवश्यकता है ।
इंटेल 3 डी नन्द वास्तुकला
फ्लैश मेमोरी संकुल कणों की अधिकता स्टैकिंग मरो, एमएलसी फ्लैश मेमोरी क्षमता 512GB तक 32GB वैकल्पिक (16 परत स्टैक) है, टीएलसी फ्लैश मेमोरी 48GB से 768GB करने के लिए हो सकता है।
कई तरीके के माध्यम से पैकेज मरो, एकल फ्लैश मेमोरी क्षमता बड़ा और बड़ा कणों अनुमति देता है, और इन कणों एसएसडी में किया जाता है, वहाँ एक बहुत ही बुनियादी तर्क, जैसे, उच्च मरो की गुणवत्ता है, और अधिक परतों की संख्या पैक किया जा सकता है, क्षमता बड़ा, एसएसडी कणों की एक संख्या है, कम से कम समस्या की संभावना का उपयोग करता है।
इसलिए, एसएसडी के चयन में, जबकि कम कणों अधिक से अधिक क्षमता, उच्च एसएसडी के प्रमाण की गुणवत्ता।
हाल ही में एक विघटनकारी साइट पर देखा गया 120 जीबी एसएसडी 8 टीएसओपी encapsulated कणों का उपयोग करता है
प्रवेश स्तर 120 जीबी, 240 जीबी ठोस-राज्य ड्राइव, यदि टीएलसी दो या तीन साल पहले लोकप्रिय नहीं है, तो कई कणों का उपयोग कर सकते हैं, लेकिन मौजूदा टीएलसी मुख्यधारा बन गया है, उपयोगकर्ताओं को पहले चुनना होगा मात्रा वजन।
एक विघटनकारी साइट पर हाल ही में 640 जीबी एसएसडी देखा गया एक एकल बीजीए पैकेज कण का उपयोग करता है
इंटेल टीएलसी सिंगल का अधिकतम उल्लेख 768 जीबी की अधिकतम क्षमता प्राप्त करने वाला पहला होना चाहिए, कोई 640 जीबी क्षमता एसएसडी बना सकता है।
दूसरा, गुणवत्ता पर ओपी आरक्षित जगह का प्रभाव
ओपी अंतरिक्ष सुरक्षित, अंग्रेजी नाम से अधिक प्रोविजनिंग, आंतरिक एसएसडी मास्टर चिप के द्वारा नियंत्रित किया जाता है का उल्लेख, उपयोगकर्ता इस तरह के एक जीसी कचरा संग्रहण के रूप में विभिन्न मास्टर अनुकूलन तंत्र, संचालन के लिए आपरेशन अंतरिक्ष छिपा नहीं सकते, समतल और की तरह पहनते हैं।
आम आदमी के शब्दों में, अधिक एसएसडी अंतरिक्ष ओ पी के लिए आरक्षित है, और अधिक यह जीसी वसूली के प्रदर्शन समतल, आदि, कम विफलता दर और लंबे समय तक जीवन में सुधार कर सकते, पहनने इतनी के रूप में बढ़ाने के लिए और उच्च गति एसएसडी तक चलने बनाए रखने के लिए, तेजी से गिर जाएगी, स्वाभाविक रूप से और अधिक स्थिर,।
अलग क्षमता के उपयोग के ओपी लेखांकन (किंग्स्टन आधिकारिक वेबसाइट से)
एमएलसी युग में, 128/256 / 512GB SSD क्षमता अधिक आम, टीएलसी युग में प्रवेश करने के बाद, 120 ग्रा / 240 / 480GB अधिक आम संख्या, इंटेल एसएसडी सर्वर बाजार में भी 360 / 800GB दिखाई दिया है, जबकि माइक्रोन उपभोक्ता के लिए और अधिक है यह 275 / 525GB क्षमता इस अद्भुत काम की शुरूआत की तरह है।
Extrapolated किया जा सकता है यदि मूल 360GB SSD फ्लैश मेमोरी क्षमता 512GB है, ओ पी 42% के रूप में उच्च अंतरिक्ष अनुपात सुरक्षित। 192GB + 96GB (इंटेल और सह उत्पादन संयंत्र B0KB), ओ पी 4.7% 275GB SSD हैं।
यह मूल एसएसडी की इच्छा के उत्पादन में देखा जा सकता है ओ पी के बाजार मूल्य अमौलिक वर्ग ब्रांड के लिए सेट कर दिया जाता के आधार पर विभिन्न बाजार को पूरा करने, अगर टीएलसी उत्पादों, ओपी मूल्य बड़ा बेहतर होना चाहिए।
कम मुख्य वाणिज्यिक 320G हार्ड ड्राइव विफलता दर करने के लिए विद्युत विधानसभा
यह देखा जा सकता है, एक बड़े पैमाने पर विद्युत विधानसभा आपूर्तिकर्ताओं अक्सर, 320GB, 160GB इस विशेष क्षमता का इस्तेमाल किया है, क्योंकि इन उत्पादों एक बड़ा ओपी आरक्षित है। अगर कार्ड 192GB 160GB, 20% की ओपी मूल्य के लिए खुला है, विफलता दर को कम करके आप भाड़ा से लाया rework कम कर सकते हैं।
सर्वर के लिए इंटेल S3520 श्रृंखला का इस्तेमाल
इंटेल S3520 एमएलसी कण, 150GB क्षमता का उपयोग करता है, तो प्रवेश स्तर के 256 जीबी कण उत्पादन, एक तरफ मूल्य का एक बहुत माध्यम से आरक्षित ओपी! ओ पी के मूल्य का 70%, सर्वर, जो भी पहले से इस बात की पुष्टि पर स्थिर संचालन सुनिश्चित कर सकते हैं इंटेल की फ्लैश मेमोरी व्यापार रणनीति का उल्लेख किया - सर्वर की जरूरतों को प्राथमिकता देने की।
तीसरा, एसएसडी गति नहीं है 'गुमराह'
एसएसडी की गति दो पहलुओं, आपरेशन के अर्थात् मास्टर मोड और NAND फ्लैश मेमोरी की गोद लेने पर निर्भर करता है।
फ्लैश मेमोरी गति स्तर में, सैमसंग एक बग की तरह अस्तित्व में किया गया है, एक ही स्तर फ्लैश मेमोरी से मेल नहीं खाता है, लेकिन नियंत्रण के स्तर पर, अलग अलग समाधान एक अलग एसएसडी प्रदर्शन लाएगा।
टीएलसी के वर्तमान युग में, कम लागत समाधान मास्टर को दी: टीएलसी अनुकरण मॉडल एसएलसी का हिस्सा होगा, एसएलसी कुलियों के रूप में इस हिस्से हैं, डेटा एसएलसी, अधिकतम दक्षता के लिए लिखा है;, गुरु खुद को कुलियों के रूप में लड़ाई में बाद एसएलसी समाप्त हो गया, इस बार टीएलसी की सच्ची गति प्रतिबिंबित करने के लिए।
टीएलसी एक ऊपर उल्लिखित 3, बिट 'बिट भंडारण सेल, सेल एसएलसी स्मृति एक 1 है तो टीएलसी एसएलसी मोड सिमुलेशन, समग्र क्षमता का 1/3 का केवल एक अधिकतम अनुकरण करने के लिए है।
विभिन्न उपयोगकर्ताओं की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए विक्रेताओं मास्टर भी एक और समाधान देता है, अर्थात् जबकि टीएलसी सिमुलेशन एसएलसी, एक डीडीआर कैश कणों को जोड़ने, कण मदद करने के लिए डेटा कैश ले जाने के लिए अनुमति देता है, 1GB फ्लैश मेमोरी मिलान संबंध आम तौर पर 1 एमबी कैश के साथ सौदा।
कैश 480 जी एसएलसी मोड के बिना परीक्षण (40 जी लिखना)
उपरोक्त परीक्षण के 1/3 से अधिक 480 जी भरने के बिना (40 जी लिखना)
बफर के ऊपर 1/3 पूर्ण परीक्षण से भरा 500 जी (40 जी लिखना)
एचडी ट्यून प्रो नामक यह टूल, उपयोगकर्ताओं को वास्तव में एसएसडी के सही प्रदर्शन की जांच करने की अनुमति देता है, और ब्रांड फैक्ट्री और मीडिया द्वारा आसानी से गुमराह नहीं किया जाता है।
भरने के बाद कोई परीक्षण पढ़ने का कारण नहीं है क्योंकि एसएसडी का पठन मूल रूप से वही है। आम तौर पर, जब हम एसएसडी का उपयोग करते हैं, जैसे खेल खेलना, हम मूल रूप से संचालन पढ़ते हैं।
आज, अभी भी कुछ लोग हैं जो उपयोगकर्ताओं को यह कहने के लिए गुमराह करते हैं कि यांत्रिक हार्ड ड्राइव ठोस राज्य ड्राइव से बेहतर हैं, और कुछ लोग कहते हैं कि एसएसडी प्रदर्शन यू-डिस्क के जितना अच्छा नहीं है। यह वास्तव में हास्यास्पद है।
उपरोक्त तीन आंकड़ों की तुलना के माध्यम से, हम निम्नलिखित निष्कर्ष निकाल सकते हैं:
1, भले ही यह एक डीडीआर योजना या डीडीआर योजना है, एनालॉग एसएलसी सेगमेंट का लेखन लेखन तुलना के मामले में समान है।
2, जब एसएलसी सिमुलेशन क्षमता भर जाती है, तो लेखन की गति बदल जाएगी। डीडीआर के साथ समाधान की औसत गति डीडीआर के बिना औसत गति से दोगुनी से अधिक है।
3, चाहे डीडीआर या डीडीआर के बिना, एक ऐसा मामला होगा जहां न्यूनतम गति 10 एमबी / एस से कम हो। ऐसा इसलिए है क्योंकि मास्टर नियंत्रण डाटा ट्रांसफर के समय कचरा संग्रहण समारोह निर्धारित करता है। एसएसडी के लेखन को देखते समय, सर्वोत्तम मूल्यांकन पैरामीटर औसत लेखन गति है, और उच्चतम और निम्नतम मान केवल संदर्भ के लिए हैं।
यदि आपको हर दिन बहुत सारे कॉपी इनहेलर्स की ज़रूरत है, तो डीडीआर के साथ समाधान चुनें या सैमसंग का एसएसडी सबसे अच्छा विकल्प होगा।
चौथा, घरेलू फ्लैश मेमोरी जाने का लंबा रास्ता है
अंत में, चलो घरेलू फ्लैश मेमोरी के रुझान और प्रगति पर नज़र डालें।
यांग्त्ज़ी दुकान हाल ही में घोषणा की है कि परत स्टैक 64GB 3 डी फ्लैश के 32 2018, 2019, परत स्टैक 128GB 3 डी फ्लैश के 64 में छोटे पैमाने पर उत्पादन तक पहुँचने के पैमाने अनुसंधान और विकास चरण में प्रवेश करेगा।
एकल 64GB मरो क्षमता 8 जीबी है, और हम इंटेल टीएलसी एकल मरो 32GB पर पिछले पाठ पीढ़ी, कोड नाम B0KB बारे में बात की, वर्तमान उत्पादन कोड नाम टीएलसी एकल मरो 64GB की B17।
नतीजतन, यहां तक कि घरेलू फ़्लैश उपज अंतरराष्ट्रीय कंपनियों के साथ संगत, लागत अंतर 8 बार तक पहुंच जाएगा। मूर की विधि फ्लैश मेमोरी में प्रभावी करने के लिए जारी है, फ्लैश मेमोरी की घरेलू लागत अभी भी एक लंबे समय के बाजार प्रतियोगिता को प्राप्त करने के लिए ले जाता है।
चीन अमेरिका व्यापार युद्ध जारी है, स्थिति के इस प्रकार के चेहरे, केवल ईमानदारी से, घरेलू तकनीकी नवाचार और बड़े पैमाने पर उत्पादन का एक प्रारंभिक फ़्लैश प्राप्त करने के लिए इतना है कि हम जल्द ही चीन के मुख्य एसएसडी उत्पादों पर इस्तेमाल किया जा सकता इच्छा कर सकते हैं।
नन्द प्रौद्योगिकी विकास जारी रहता है, और अभी भी मूर की विधि का पालन करें, हम सुरक्षित रूप से यह है कि जब QLC युग हम पर है, एसएसडी पूरी तरह से HDD संभव हो जाएगा की जगह की भविष्यवाणी कर सकते हैं।
एसएसडी विकल्प पर, हम, कुछ बुनियादी ज्ञान होना खरीद, जो जाल में गिरने के अन्य लोगों झिलमिलाहट से बच सकते हैं के बुनियादी तर्क का पालन करने की जरूरत है।
