Vaut-il la peine d'acheter un SSD? Utilisez trois astuces.

Les SSD sont déjà la norme absolue pour l'installation ou l'achat.Avec le développement de la technologie SSD et des produits, comment choisir un SSD satisfaisant nécessite une attention particulière.

La technologie de mémoire flash NAND ne cesse de croître, passant d'une seule cellule stockant 1 bit (bit) SLC à un seul MLC 2 bits de stockage cellulaire, au stockage TLC 3 bits courant et à cellule unique, et à la future single QLC 4 bits Avec chaque innovation technologique, le coût de la mémoire flash a diminué de façon exponentielle, et l'utilisateur obtient des produits moins chers.

Et que ce soit un SSD pour les ordinateurs personnels ou un eMMC / UFS pour les téléphones mobiles, la capacité continuera à doubler au cours des prochaines années, et les coûts d'achat deviendront de plus en plus bas.


Tendances globales de densité de stockage instantané de NAND (source: marché instantané de mémoire de la Chine)

À l'heure actuelle une gamme de marques de SSD sur le marché, de sorte que le consommateur moyen ne peut pas démarrer. Ici, nous serons en mesure de ramper à travers les données utilisateur général, un espion de SSD bonne ou mauvaise qualité, de sorte que les utilisateurs ordinaires peuvent également être basés sur ces données de surface, pour sélectionner le approprié Votre propre SSD.


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Tout d'abord, l'impact du nombre de particules de mémoire flash sur la qualité SSD

Plus tôt nous l'avons mentionné plus haut, la technologie de mémoire flash NAND de développement SLC MLC développement à la CCM, actuellement les principaux fournisseurs, y compris Samsung, Hynix, Toshiba, Micron, Intel et SanDisk (Western Digital a acquis), et par CCM comme le principal absolu ( 3D NAND), et un petit nombre de MLC.

Tous les vendeurs flash ont leur propre mise en page stratégique, tels que la performance flash de Samsung est supérieure à la performance, les téléphones mobiles de haute performance deviennent la principale personne et préféré (téléphone cellulaire Huawei invoquant des problèmes d'approvisionnement Samsung UFS pistolet LIE). Mémoire flash Intel dans les téléphones mobiles à l'intérieur il est difficile de trouver une trace, car beaucoup avec son processeur utilisé dans l'espace serveur, la stabilité et la capacité est connue, plutôt que la performance.

Nous voyons dans le marché actuel, la marque de mémoire flash SSD non-original, Samsung et Hynix sont les moins utilisés, et plus grand public Toshiba / SanDisk et Intel / Micron basé.

Toute partie d'une collaboration SSD ne nécessite que deux un fonctionnement stable, c'est la mémoire principale + flash. Plus le type de support flash maître, vous pouvez créer un produit plus riche, naturellement plus précieux, ce qui est la logique métier de base, mais le courant Bien que de nombreuses usines de contrôle prétendent soutenir toute la mémoire flash d'origine sur le marché, en fait, le support de la mémoire flash coréenne est généralement le même.

Par exemple, l'Intel 2016 lancé 3D NAND, le code est L06B, B0KB, dans lequel L06B est constitué de particules MLC en utilisant 4,0 ONFI standard, chaque matrice capacité de 32 Go, la taille de page est 16KB, en utilisant une conception à 4 couches, la durée de vie de la mémoire flash est 3000 P / E (cycle d'effacement du programme).

TLC particules B0KB est, en fait, utilise la même puce, l'utilisateur peut choisir en fonction des besoins et CCM en utilisant le mode de mode MLC, la seule capacité de Die de 48Go, mais la vie de seulement 1500 P / E, il nécessite une correction d'erreur standard LDPC ECC supérieur .


Architecture Intel 3D NAND

Une pluralité d'empilements de matrices sont conditionnés en granules flash, la capacité de flash MLC est sélectionnable de 32 Go à 512 Go (empilement 16 couches) et la mémoire flash TLC est disponible de 48 Go à 768 Go.

package Die à travers de multiples façons, ce qui permet la capacité de mémoire flash unique plus en plus grandes particules et ces particules sont utilisées dans le SSD, il y a une logique très basique, dire, plus la qualité de Die, plus le nombre de couches peut être conditionnée, la capacité Plus le nombre de particules utilisées par un SSD est grand, plus la probabilité de problèmes est faible.

Donc, Lorsque vous sélectionnez des disques SSD, plus les particules sont petites et plus la capacité est grande, plus la qualité du disque SSD est élevée.

Le SSD de 120 Go récemment vu sur un site de démantèlement utilise 8 particules encapsulées TSOP

Les disques SSD d'entrée de gamme de 120 Go et 240 Go, si le CCM n'est pas populaire il y a deux ou trois ans, peuvent utiliser plusieurs particules, mais dans le CCM actuel est devenu courant, les utilisateurs doivent d'abord choisir Peser le volume.


Un SSD de 640 Go récemment vu sur un site de démantèlement utilise une seule particule de paquet BGA

Cela devrait être le premier à mentionner Intel TLC seul peut atteindre une capacité maximale de 768 Go, on peut créer une capacité de 640 Go SSD.

Deuxièmement, l'impact de l'espace réservé OP sur la qualité

OP réservée espace, nom anglais surapprovisionnement, reportez-vous au SSD interne est contrôlé par la puce maître, l'utilisateur ne peut pas cacher l'espace de fonctionnement pour faire fonctionner les différents mécanismes d'optimisation maître, comme une collection d'ordures de GC, porter nivellement et similaires.

termes populaires, Plus l'espace OP est réservé aux SSD, meilleure est la récupération de GC, le nivellement d'usure, etc., afin d'améliorer et de maintenir la vitesse élevée du SSD, sans perdre de vitesse, naturellement plus stable, plus le taux de réparation est bas.


la comptabilité OP de l'utilisation des capacités différentes (depuis le site officiel de Kingston)

À l'époque du MLC, 128/256 / 512Go SSD capacité est plus fréquente, après être entré dans l'ère TLC, 120G / 240 / 480GB nombre plus fréquents, Intel SSD sur le marché du serveur est également apparue 360 ​​/ 800Go, tandis que Micron est plus pour le consommateur il est comme l'introduction de la capacité 275 / 525GB ce travail merveilleux.

Il peut être extrapolée, Si la capacité de mémoire flash SSD 360GB est d'origine 512Go, OP réservée rapport cyclique aussi élevé que 42%. 275GB SSD Si 192Go + 96Go (Intel et de co-production B0KB), l'OP est de 4,7%.

On peut voir que lorsque l'usine d'origine produit des SSD, elle satisfera le marché en fixant des valeurs OP différentes pour différents marchés.Pour les marques non originales, si les produits TLC sont, plus la valeur OP est grande, mieux c'est.


Assemblage de 320G commercial et mécanique comme le disque dur principal pour réduire le taux de réparation

Observable, Une grande échelle fournisseurs d'assemblage électromécanique souvent utilisé 320GB, 160GB cette capacité particulière, parce que ces produits ont une plus grande réserve OP. Si la carte est ouverte à 192Go 160Go, la valeur OP de 20%, en réduisant les taux d'échec, Peut réduire le fret aller-retour qu'il apporte à réparer.


Série S3520 d'Intel pour serveurs

Intel S3520 utilise des particules du MLC, la capacité 150Go si la production 256Go d'entrée de particules, 70% de la valeur de l'OP! OP réservé par beaucoup de valeur à part, peut assurer le fonctionnement stable sur le serveur, ce qui confirme également le précédemment Mentionné la stratégie d'entreprise de Intel Flash - priorité pour répondre aux besoins du serveur.

Troisièmement, ne pas "tromper" par la vitesse SSD

La vitesse du SSD dépend de deux niveaux, à savoir le fonctionnement du maître et le flash NAND utilisé.

En termes de vitesse de la mémoire flash, Samsung a toujours existé comme un Bug, et il est en effet inégalé dans le même niveau de mémoire flash.Au niveau de contrôle principal, différentes solutions apporteront différentes performances SSD.

Dans l'ère actuelle de la CCM, le principal contrôle donné par la solution bon marché est: Une partie du mode de simulation TLC SLC, la première partie de la SLC en tant que porteur, des données écrites sur le SLC, la plus haute efficacité, écrite SLC, le maître continue personnellement en tant que porteur, cette fois pour refléter la vraie vitesse du TLC.

Comme mentionné précédemment, TLC est une cellule qui stocke 3 bits, SLC est une cellule qui stocke 1 bit, donc TLC simule le mode SLC, qui ne peut simuler que jusqu'à 1/3 de la capacité du disque entier.

Afin de répondre aux besoins des différents utilisateurs, les principales sociétés de contrôle ont également donné une autre solution, à savoir: Pendant que TLC simule SLC, ajoutez une particule de cache DDR pour permettre aux particules mises en cache de gérer les données.En général, une mémoire flash de 1 Go gère la relation de correspondance de 1 Mo de cache.


Test sans cache 480G mode SLC (écriture 40G)


Sans tamponner 480G remplit plus de 1/3 du test ci-dessus (écriture 40G)


500G rempli avec 1/3 test complet au-dessus du tampon (écriture 40G)

Cet outil, appelé HD Tune Pro, permet aux utilisateurs de tester réellement les performances réelles du SSD, et n'est pas facilement trompé par l'usine de la marque et les médias.

La raison pour laquelle il n'y a pas de test après le remplissage est parce que la lecture du SSD est fondamentalement la même.En général, lorsque nous utilisons des SSD, comme jouer à des jeux, nous lisons essentiellement des opérations.

Même aujourd'hui, il y a encore des gens qui induisent les utilisateurs en erreur à dire que les disques durs mécaniques sont meilleurs que les disques SSD, et certains disent que les performances du SSD ne sont pas aussi bonnes que celles du disque U. C'est vraiment risible.

Grâce à la comparaison des trois chiffres ci-dessus, nous pouvons tirer les conclusions suivantes:

1, Qu'il s'agisse d'un schéma DDR ou d'un schéma DDR, l'écriture du segment SLC analogique est similaire en termes de comparaison d'écriture.

2, Lorsque la capacité de simulation SLC est remplie, la vitesse d'écriture change: la vitesse moyenne de la solution avec DDR est plus de deux fois supérieure à la vitesse moyenne sans DDR.

3, Que ce soit avec DDR ou sans DDR, il y aura un cas où la vitesse minimale est inférieure à 10 Mo / s. En effet, le contrôle maître décide de la fonction de récupération de place lors du transport de données. Le meilleur paramètre d'évaluation est la vitesse d'écriture moyenne, et les valeurs les plus hautes et les plus basses sont données à titre indicatif seulement.

Si vous avez besoin de beaucoup d'inhalateurs de copie tous les jours, choisissez la solution avec DDR ou le SSD de Samsung sera le meilleur choix.

Quatrièmement, la mémoire flash domestique est un long chemin à parcourir

Enfin, regardons les tendances et les progrès de la mémoire flash domestique.

Yangtze River Storage a récemment annoncé que la mémoire flash 3D empilée à 64 couches 32-bit atteindra la production de masse en 2018, et que la mémoire flash 3D empilée à 64-couches 128-bit entrera dans la phase de R & D à grande échelle en 2019.

Le seul 64Gb Die est 8 Go, et nous avons mentionné dans l'article précédent que la génération précédente de code B0KB d'Intel était un seul Die 32GB TLC, et le nom de code TLC actuellement produit en masse B17 était un seul Die 64GB.

De cette façon, Même si le rendement de la mémoire flash domestique est le même que celui des fabricants internationaux, la différence de coût atteindra 8 fois.Si la loi de Moore reste efficace dans la mémoire flash, le coût de la mémoire flash domestique prendra encore beaucoup de temps pour atteindre la concurrence.

Face à une telle situation, nous ne pouvons que souhaiter sincèrement que la mémoire flash domestique puisse réaliser rapidement l'innovation technologique et la production de masse, afin que nous puissions utiliser aussi rapidement que possible les produits SSD de China Core.

La technologie NAND continue à se développer, et suit toujours la loi de Moore, vous pouvez hardiment prédire que lorsque l'ère de la QLC arrivera officiellement, il sera possible pour SSD de remplacer complètement le disque dur.

Dans le choix de SSD, nous devons maîtriser certaines connaissances de base et suivre la logique d'achat de base pour éviter de tomber dans les pièges de scintillement des autres.

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