DRAMeXchange指出, 从三大厂目前布局进度来看, 合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工, 去年第三季开始移入测试用机台. 合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同, 试产时程将会落于今年第三季, 量产则暂定在2019年的上半年, 时程较预期落后. 此外, 由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb, 尔后面临专利争议的可能性也较高, 为了避免此一状况, 除了积极累积的专利权外, 初期可能将锁定于中国销售.
反观专注于利基型记忆的晋华集成, 在2016年7月宣布于福建省晋江市建12英寸厂, 投资金额约53亿美元, 以目前进度来看, 其利基型内存的试产延后至今年第三季度, 量产时程也将落在明年上半年.
此外, 从中国厂商NAND Flash的发展进程来看, 2016年12月底, 由长江存储主导的国家存储器基地正式动土, 官方预期分三阶段, 共建立三座3D-NAND Flash厂房. 第一阶段厂房已于去年9月完成兴建, 预定2018年第三季开始移入机台, 并于第四季进行试产, 初期投片不超过1万片, 用于生产32层3D-NAND Flash产品, 并预计于自家64层技术成熟后, 再视情况拟定第二, 三期生产计划.
DRAMeXchange指出, 观察中国存储器厂商的研发与产出计划, 2019年将是中国存储器产业的生产元年, 但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大, 短期尚不会撼动全球市场现有格局.
长期来看, 随着中国存储器产品逐步成熟, 预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满载, 在最乐观的预估下, 届时两家合计约有每月25万片的投片规模, 可能将开始影响全球DRAM市场的供给. 另一方面, 长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片, 不排除长江存储完成64层产品开发后, 可能将进行大规模的投片, 进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响.