< 概要>
ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำของโลก ROHM ได้มีการพัฒนาอุตสาหกรรมชั้นนำระดับใหม่ทั้งการสูญเสียการนำต่ำ※ลักษณะที่ 1 และ 650V IGBT แรงดันพังทลายความเร็วสูงสลับ※ 2 'RGTV ชุด (ลัดวงจรทนต่อความสามารถในการรักษา※ 3 รุ่น)' และ 'RGW Series (รุ่นสลับความเร็วสูง )' รวมทั้งสิ้น 21 ชนิดของแบบจำลอง. ผลิตภัณฑ์เหล่านี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับ UPS (ยูพีเอส), อินเวอร์เตอร์วัตถุประสงค์ทั่วไปและแปลงเครื่องเชื่อมและอุปกรณ์อุตสาหกรรมพลังงานแผงควบคุมเครื่องปรับอากาศ, IH (เหนี่ยวนำความร้อน) และอำนาจของผู้บริโภคอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ การแปลง
ชุดผลิตภัณฑ์ใหม่ที่พัฒนาโดยใช้เทคโนโลยีเวเฟอร์บางและโครงสร้างที่เป็นเอกลักษณ์ของ ROHM ได้รับประสิทธิภาพระดับสูงสุดในแง่ของการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำและคุณลักษณะการเปลี่ยนเกียร์ความเร็วสูงที่มีความสัมพันธ์กับการค้าตัวอย่างเช่นเมื่อใช้ในวงจร PFC ที่มีการแทรกซึม เมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์รุ่นก่อนประสิทธิภาพจะเพิ่มขึ้น 1.2% ที่โหลดเบาและ 0.3% เมื่อใช้งานหนักซึ่งช่วยลดการใช้พลังงานของแอพพลิเคชันนอกจากนี้ด้วยการเพิ่มประสิทธิภาพภายในของส่วนประกอบ ประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ทั่วไปเมื่อเทียบกับการลดแรงดันไฟฟ้าที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้า 50% ※ 4 ทำให้ลดจำนวนชิ้นส่วนที่เคยใช้ในการตอบโต้ทำให้สามารถลดภาระการออกแบบได้มาก
ชุดผลิตภัณฑ์นี้มีจำหน่ายในเดือนตุลาคมปีพ. ศ. 257 (ราคาตัวอย่าง 400 เยน ~ /: ไม่รวมภาษี) และเริ่มผลิตในเดือนธันวาคม 2560 โดยมีกำลังการผลิตรายเดือน 100,000 อันกระบวนการก่อนหน้านี้ ฐานการผลิตคือ Rinpoche Semiconductors Miyazaki Co., Ltd. (Miyazaki, Japan) และกระบวนการผลิตหลังการผลิตคือ ROHM Integrated Systems (Thailand) (Thailand)
< 背景>
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาปริมาณข้อมูลที่เกิดจากกระบวนการ IoT เพิ่มมากขึ้นความต้องการศูนย์ข้อมูลสมรรถนะสูงได้กลายเป็นเรื่องที่สูงขึ้นไม่เพียง แต่เซิร์ฟเวอร์เองเท่านั้น แต่ยังรวมถึง UPS ที่จำเป็นสำหรับการจัดหาพลังงานหลักและประสิทธิภาพของระบบโดยรวม การบริโภคที่เพิ่มขึ้นอย่างมากทำให้การใช้พลังงานลดลงกลายเป็นประเด็นสำคัญ
นอกจากนี้ในแอพพลิเคชั่นที่ใช้พลังงานสูงโดยใช้ IGBTs เพื่อความมั่นใจในความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์คุณจำเป็นต้องใช้มาตรการป้องกันการขัดข้องที่อาจทำให้ส่วนประกอบหรืออุปกรณ์ทำงานผิดพลาดได้เมื่อเปลี่ยนง่ายขึ้นอย่างรวดเร็วยิ่งขึ้น
1. เพื่อให้เกิดการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำและความเร็วสูงในอุตสาหกรรม
ในซีรีส์ใหม่นี้เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง ๆ ถูกใช้เพื่อให้ความหนาของแผ่นเวเฟอร์ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ทั่วไปถึง 15% นอกจากนี้โครงสร้างเซลล์ขนาดเล็กที่มีลักษณะเฉพาะของ ROHM ถูกนำมาใช้เพื่อให้ได้รับความเสียหายที่ต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม (VCE) = 1.5 V) และความเร็วในการเปลี่ยนลักษณะพิเศษ (tf = 30 ~ 40ns)
2. ใช้การสลับแบบอ่อนเพื่อลดภาระการออกแบบของอุปกรณ์
โดยชิ้นส่วนภายในที่ดีที่สุดเพื่อให้บรรลุการสลับอ่อน ON / OFF สลับได้อย่างราบรื่น. ดังนั้นแรงดันไฟฟ้าที่สร้างขึ้นเมื่อมีการสลับแหกเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์สามัญลดลง 50% สามารถลดการปราบปรามการเจาะผ่านประตูต้านทานภายนอก จำนวนส่วนประกอบเช่นวงจร snubber ฯลฯ เมื่อใช้ IGBTs แอพพลิเคชันจะไม่จำเป็นต้องใช้มาตรการ overshoot ที่จำเป็นก่อนหน้านี้ซึ่งจะช่วยลดภาระการออกแบบ
< 产品阵容>
สายผลิตภัณฑ์ได้เพิ่มชุด RGTV ที่มีคุณสมบัติทนต่อการลัดวงจรของ2μsและชุด RGW ที่มีคุณสมบัติ "switching ความเร็วสูง" เพื่อรองรับการใช้งานที่กว้างขึ้น
RGTV Series (ลัดวงจรการเก็บรักษาความสามารถในการเก็บรักษาเวอร์ชัน)
ชุด RGW (High Speed Switch Edition)
< 应用> อุปกรณ์อุตสาหกรรม (เครื่องจ่ายไฟฟ้าแบบต่อเนื่อง, เครื่องเชื่อม, แผงควบคุมกำลัง ฯลฯ ), เครื่องปรับอากาศ, IH (เครื่องทำความร้อนแบบเหนี่ยวนำ) ฯลฯ
< 术语解说> * ทรานซิสเตอร์สูญเสีย MOSFETs และ IGBTs และทรานซิสเตอร์อื่น ๆ เนื่องจากโครงสร้างของอุปกรณ์การลดแรงดันไฟฟ้าเกิดขึ้นเมื่อกระแสกระแสการสูญเสียการนำคือการสูญเสียเนื่องจากแรงดันไฟฟ้าลดลงของส่วนประกอบนี้
※ 2 IGBT: ฉนวนประตูทรานซิสเตอร์ขั้ว (Insulated Gate Bipolar Transistor) ลักษณะการสับเปลี่ยนของมอสเฟ็ทความเร็วสูงและทรานซิสเตอร์แบบขั้วบวกซึ่งเป็นลักษณะการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำของทรานซิสเตอร์กำลัง
* 3 ความสามารถในการทนต่อการลัดวงจรของลัดวงจรที่เกิดจากความเสียหายต่อชิ้นส่วน (2 จุดของวงจรอิเล็กทรอนิกส์เชื่อมต่อกับตัวต้านทานความต้านทานต่ำ)
* 4 เมื่อสวิตช์เปิด / ปิดสวิตช์รับแรงดันไฟฟ้าเปิด / ปิดแรงดันไฟฟ้าจะมีค่าเกินค่าแรงดันไฟฟ้าที่ระบุค่าความต่างศักย์จะเกินค่าสถานะคงที่ชั่วคราวเนื่องจากการขัดจังหวะและส่งกลับค่าสถานะใกล้เคียง